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晶盛机电机构调研纪要

2023-10-26发现报告机构上传
晶盛机电机构调研纪要

调研日期: 2023-10-26 浙江晶盛机电股份有限公司成立于2006年,是一家专注于半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造的高新技术企业。公司于2012年上市,拥有28家下属公司和3个研发中心。公司拥有以教授、博士为核心的技术研发和管理团队,研发技术人员占比超过20%。公司已成为全球光伏装备技术和规模双领先的企业,国内集成电路级8-12英寸大硅片生长及加工设备领先企业。公司为半导体产业、光伏产业和化合物衬底产业提供智能化工厂解决方案,满足客户数字化智能化的生产模式需求。公司获得制造业单项冠军产品、企业标准“领跑者”证书称号,连续多年完成利税位居中国电子专用设备行业首位,两次入选福布斯榜单,连续三年上榜胡润中国500强等荣誉。公司董事长曹建伟博士被评为“2021年度风云浙商”“第二十届浙江省优秀企业家”。 1、公司前三季度业务情况 答:公司以“打造半导体材料装备领先企业,发展绿色智能高科技制造产业”为使命,坚持“先进材料,先进装备”的双轮发展战略,在全体员工的努力下,报告期内公司业绩稳定增长。 公司前三季度实现营业收入134.62亿元,同比增长80.39%;归母净利润35.14,同比增长74.94%。未完成设备订单287.50亿元,其中半导体设备订单33.03亿元。 2、公司如何看待光伏行业的未来发展? 答:随着科技与生产力不断发展,清洁能源总体需求将持续增长。同时在全球能源结构转型的背景下,光伏发电作为清洁能源的重要来源,光伏行业将保持新增装机量的持续需求。 InfoLinkConsulting预测2030年新增装机量可达1000GW。公司在光伏设备业务上拥有技术与规模的领先优势,将继续加大研发创新,为产业的健康发展贡献力量。 3、公司第五代单晶炉超导磁场的推进情况如何? 答:公司基于下游更高转换效率需求,成功开发了基于N型产品的第五代单晶炉,将半导体超导磁场技术导入光伏领域,彻底打开了低氧N型晶体生长的工艺窗口,从材料端提升电池效率。光伏直拉单晶炉用首台量产超导磁体已成功下线,标志其正式进入量产阶段。 4、请问公司光伏设备的业务进展如何? 答:在光伏装备领域,公司产品覆盖了硅片、电池和组件环节,为客户提供光伏整线解决方案。 在硅片端,公司具有光伏硅片制造全产业链装备及智能化工厂建设能力,拥有单晶炉、截断机、开方机、切片机、脱胶插片清洗一体机、分选装盒一体机等产品,其中单晶炉市占率长期保持领先地位。在电池端,公司成立了浙江晶盛光子科技有限公司,专注于太阳能领域的高端装备研发及制造,其研发的管式PECVD、LPCVD、硼扩和退火,以及单腔室多舟ALD和舟干清洗等多种太阳电池工艺设备,在验证过程中获得客户的广泛认可,设备性能已达到或超过行业同款产品。在组件端,公司开发了叠瓦焊机、排板机、边框自动上料机、灌胶检测仪等多道工序的组件设备,目前已获得大批量订单并持续出货。 5、请问公司保持业内领先的核心竞争力有哪些? 答:公司始终坚持以技术创新和对客户需求深度挖掘的双轮驱动模式实施研发创新,持续加强研发投入,以确保公司竞争力的可持续性。通过持续的自主技术创新、不断提升产品品质和专业化的技术支持服务,在半导体和光伏产业领域高端客户群中建立了良好的品牌知名度,在行业内拥有较高的声誉。公司设备制造实施“稳健批量”和“柔性快速”双模制造管理模式,持续强化精益生产管理,打造高效率的生产制造过程和装配零缺陷的产品交付能力。 6、请问公司的研发投入与研发团队情况如何? 答:2023年前三季度公司研发费用达8.60亿元,同比增长68.38%。公司积极推进研发平台的搭建,拥有国家级博士后科研工作站、国家企业技术中心、浙江省半导体设备企业研究院、浙江省半导体装备精密零部件高新技术企业研究开发中心、浙江省外国专家工作站、工业4.0方向的浙江省省级重点研究院、浙江省晶盛机电晶体生长装备研究院、浙江省半导体智能制造重点企业研究院、浙江省半导体材料生长加工装备重点企业研究院等研究平台,同时,在公司内部建立了专业研究所和3个专业实验室。 7、请问公司在半导体装备领域有何进展? 答:目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售,6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长,成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸,开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。 8、请问公司材料板块业务进展情况如何? 答:公司加速推进坩埚的产能提升,随着扩产产能的逐步释放,公司石英坩埚业务取得快速增长;在金刚线领域,一期量产项目投产并实现批量销售,同时推动二期扩产项目建设,加快钨丝金刚线的研发进程。此外公司持续加强大尺寸碳化硅材料的研发,成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体,解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题,并积极推进碳化硅衬底的量产进程。