晶盛机电机构调研纪要

调研日期: 2025-11-27 浙江晶盛机电股份有限公司成立于2006年，是一家专注于半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造的高新技术企业。公司于2012年上市，拥有28家下属公司和3个研发中心。公司拥有以教授、博士为核心的技术研发和管理团队，研发技术人员占比超过20%。公司已成为全球光伏装备技术和规模双领先的企业，国内集成电路级8-12英寸大硅片生长及加工设备领先企业。公司为半导体产业、光伏产业和化合物衬底产业提供智能化工厂解决方案，满足客户数字化智能化的生产模式需求。公司获得制造业单项冠军产品、企业标准“领跑者”证书称号，连续多年完成利税位居中国电子专用设备行业首位，两次入选福布斯榜单，连续三年上榜胡润中国500强等荣誉。公司董事长曹建伟博士被评为“2021年度风云浙商”“第二十届浙江省优秀企业家”。 问:请介绍一下碳化硅衬底材料的应用前景? 答:SiC是第三代半导体材料的核心代表,因其耐高压、高频、高效等特性,广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时,在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域,SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。 问:请问公司12寸碳化硅衬底材料的进展? 答:9月26日,公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线,至此,子公司浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发,100%国产化,标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进,迈入高效智造新阶段。未来,公司将加速推进产线的量产进程,为客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底,携手产业链伙伴,共同推动我国第三代半导体产业蓬勃发展。 问:可否展开介绍一下这次12英寸碳化硅衬底中试线的设备情况? 答:子公司浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线,覆盖了晶体加工,切割,减薄,倒角,研磨,抛光,清洗,检测的全流程工艺,所有环节均采用国产设备与自主技术,高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成,性能指标达到行业领先水平。自此,晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环,彻底解决了关键装备"卡脖子"风险,为下游产业提供了成本与效率的新基准。 问:请问公司碳化硅衬底材料的产能布局? 答:公司积极布局碳化硅产能,在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目;并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场,在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目,进一步强化公司在全球市场的供应能力;同时,在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目,不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。 问:请问公司8寸碳化硅衬底的技术和市场进展? 答:公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售,量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平,8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列,公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证,送样客户范围大幅提升,产品验证进展顺利,并成功获取部分国际客户批量订单。 问:请问公司半导体装备业务进展? 答:报告期内,公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇,积极推进半导体装备的市场推广。在集成电路装备领域,公司自主研发的12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户,其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。12英寸硅减压外延生长设备顺利实现 销售出货,设备采用单温区、多温区闭环控温模式,结合多真空区间精准控压技术,确保外延生长过程的高度稳定性,其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计,能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性,满足先进制程的高标准要求。成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备,填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白,实现国产替代。在化合物半导体装备领域,公司紧抓碳化硅产业链向8英寸转移的行业发展趋势,充分发挥在碳化硅产业链装备的核心技术优势,加强8英寸碳化硅外延设备以及6-8英寸碳化硅减薄设备的市场推广,积极推进碳化硅氧化炉、激活炉以及离子注入等设备的客户验证,相关设备的市场工作进展顺利,为规模化量产奠定坚实基础。在新能源光伏装备领域,公司持续加强研发技术创新,在产品技术和工艺、自动化和智能化以及先进制造模式等领域持续进行创新,以创新产品为下游客户提效。在电池端,持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系,针对TOPCon提效以及BC创新,积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证,EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势,ALD设备验证良好,在推动产业创新的同时,助力公司高质量发展。