1 ◆ ◆ ◆ ◆ 国家/地区类型国家/地区名称被列入D：5国家组别阿富汗、白俄罗斯、缅甸、柬埔寨、中非共和国、国(含中国香港，不含中国澳门和中国台湾) 、刚果、古巴、塞浦路斯、厄立特里亚、海地、伊朗、伊拉克、朝鲜、黎巴嫩、利比亚、俄罗斯、索马里、南苏丹、苏丹、叙利亚、委内瑞拉、津巴布韦 新增物项简要描述3B001.a（其中新增部分为3B001.a.4）3B001.a.4：被设计用于硅、碳掺杂硅、硅锗或碳掺杂硅锗外延生长的符合特定条件的设备3B001.c3B001.c：符合特定条件的刻蚀设备，包括：3B001.c.1：被设计用于干法刻蚀的符合特定条件的设备，包括被设计或改造为用于各向同性干法刻蚀和各向异性干法刻蚀的符合特定条件的设备；3B001.c.2：被设计用于湿法刻蚀的符合特定条件的设备3B001.d3B001.d：符合特定条件的半导体制造沉积设备3B001.f（其中新增部分为3B001.f.1.b.2）3B001.f.1：（光刻设备）使用光电或X射线方法进行晶圆处理的对准和曝光步进重复（直接步进晶圆）或步进扫描（扫描仪）设备，具有以下任意一项或两项条件：f.1.a：光源波长小于193nm；或f.1.b：光源的波长等于或大于193nm的光刻设备，且同时满足：f.1.b.1：最小可分辨特征尺寸（MRF）小于或等于45nm；和f.1.b.2：满足以下任意一项：f.1.b.2.a：DCO（最大专用卡盘覆盖）值小于或等于1.50nm；或f.1.b.2.b：DCO值大于1.50nm但小于或等于2.4nm3BOO1.k3BOO1.k：被设计用于“EUV”掩膜的多层反射膜通过离子束蒸镀或物理气相沉积法成膜的设备3B001.l3B001.l：EUV薄膜3B001.m3B001.m：用于制造“EUV”薄膜的设备3B001.n3B001.n：被设计用于“EUV”光刻的光刻胶的涂敷、沉积、加热或显影的设备3B001.o3B001.o：在0.01Pa以下的真空状态中工作的特定退火设备3B001.p3B001.p：特定半导体残留物、氧化物清除和晶圆清洁设备3B002.c（原3B002.c被调整为3B002.b）3B002.c：被设计用于“EUV”掩膜基板或者带有图形的“EUV”掩膜的检测设备 13家被列入实体名单企业对应的中文名称Beijing Biren Technology Development Co, Ltd.;北京壁仞科技开发有限公司Guangzhou Biren Integrated Circuit Co., Ltd.;广州壁仞集成电路有限公司Hangzhou Biren Technology Development Co., Ltd.;杭州壁仞科技开发有限公司Light Cloud (Hangzhou) Technology Co., Ltd.;光线云（杭州）科技有限公司Moore Thread Intelligent Technology (Beijing) Co, Ltd.;摩尔线程智能科技（北京）有限责任公司Moore Thread Intelligent Technology (Chengdu) Co, Ltd.;摩尔线程智能科技（成都）有限责任公司Moore Thread Intelligent Technology (Shanghai) Co., Ltd;摩尔线程智能科技（上海）有限责任公司Shanghai Biren Information Technology Co., Ltd.;上海壁仞信息科技有限公司Shanghai Biren Integrated Circuit Co., Ltd.;上海壁仞集成电路有限公司Shanghai Biren Intelligent Technology Co., Ltd.;上海壁仞科技股份有限公司Superburning Semiconductor (Nanjing) Co., Ltd.;Suzhou XinyanHoldings Co., Ltd.;超燃半导体（南京）有限公司Suzhou Xinyan Holdings Co., Ltd.;苏州芯延半导体科技有限公司Zhuhai Biren Integrated Circuit Co, Ltd.珠海壁仞集成电路有限公司 iFinD