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光通信技术逐渐崛起，光芯片成为现代光通信的核心元件，能够实现光信号与电信号之间的转换，并与其他电子元器件以及光器件共同组成光模块，最终应用于电信市场、数据中心等领域。光芯片包括激光器芯片与探测器芯片，激光器芯片技术壁垒较高，依照结构不同又可分为VCSEL、FP、DFB、EML等不同种类。全球范围内光芯片厂商多采用IDM模式，主要原因系1）光器件遵循特色工艺，价值量的提升不完全依靠制程的提升，更需要工艺平台实现光器件的特色功能，核心竞争力在工艺的成熟度和稳定性，工艺平台的多样性。2）光芯片制造的核心环节为外延和光栅，高速率光芯片有源区量子阱的层数较中低速率激光器芯片增加超过50%，需要对量子阱实现埃米级（0.1nm）的精度控制。其次，高速率光芯片的光栅升级为变相非等周期布拉格光栅，需使用更高精度和更先进的电子束光栅系统，以达到纳米级精度。光芯片下游直接客户为光模块厂商，光模块与光芯片的国产化率出现明显的差距。在海外数通市场向800G迭代以及国内数通市场向400G迭代的技术升级背景下，叠加国内光模块厂商的高市占率，国内的光芯片厂商有望加速国产替代进程。光芯片下游市场主要包括数通市场、光纤接入市场和移动通信市场。光芯片是现代光通信的核心元件，能够实现光信号与电信号之间的转换，并与其他电子元器件以及光器件共同组成光模块，最终应用于电信市场、数据中心等领域。全球范围内光芯片厂商多采用IDM模式，主要原因系1）光器件遵循特色工艺，价值量的提升不完全依靠制程的提升，更需要工艺平台实现光器件的特色功能，核心竞争力在工艺的成熟度和稳定性，工艺平台的多样性。2）光芯片制造的核心环节为外延和光栅，高速率光芯片有源区量子阱的层数较中低速率激光器芯片增加超过50%，需要对量子阱实现埃米级（0.1nm）的精度控制。其次，高速率光芯片的光栅升级为变相非等周期布拉格光栅，需使用更高精度和更先进的电子束光栅
