2022年1月第2周策略周报：美联储冲击走向平缓 半导体全面复苏继续驱动科技复苏行情

申港证券股份有限公司证券研究报告 敬请参阅最后一页免责声明 证券研究报告 策略研究 策略研究周报 美联储冲击走向平缓 半导体全面复苏继续驱动科技复苏行情 ——2022年1月第2周策略周报 投资摘要： A股在2021年度开年表现较弱，指数全部下跌，科创板和创业板表现强于大盘。周内仅个别指数上涨，包括、创50，创业板综和创成长。周内跌幅较大的指数为上证50、上证180、中证100、沪深300等。 年初至今表现靠前的板块分别是银行、石油石化、纺织服装、房地产，表现最差的分别是国防军工、食品饮料、公共事业、电子板块。本周北向资金总体呈现净流入，外资净买入额为74.45亿元。 美联储紧缩货币政策将会被疫情拖慢 根据CME预测，市场对2022年全年的紧缩预期更加确定。2021年9月以来，市场对加息的预期逐渐强化。而1月5日联储会议纪要公布后，市场的预期更是急转直下。经过了近一周的调整，对全年加息次数中枢更加上移。市场预计到2022年末，加息3次的概率为28.4%，加息4次的概率为30.4%，加息5次及以上的概率为23.8%。而一周之前（1月5日），市场预期加息三次的概率为29.9%，加息4次的概率为26.8%，加息5次及以上的概率为17.9%。 中观核心观察-第三代半导体材料全面扩张，碳化硅、氮化镓技术落地 碳化硅(SiC) MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度。尤其在SiC MOSFET 的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。 由于氮化镓GaN器件比硅具有更好的热导率和更高的温度，因此，电源的整体尺寸可能显著减小，可以减少对热管理组件的需求，如大型散热器、机架或风扇。移除这些内部元件，以及增加的开关频率，电源不仅更轻而且更紧凑。 英飞凌基于CoolSiC™沟槽栅的碳化硅功率MOSFET ，凭借杰出的系统性能，在功率转换开关器件的优值系数（FOM）值上取得了巨大改进。这能给许多应用带来更高的效率和功率密度，以及更低的系统成本。该技术也可为创造更多新应用和新拓扑带来可能。 作为电源解决方案的主要供应商，意法半导体已经加大力度，在产品中应用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙材料（WBG）。这两种技术的吸引力主要在于能在较高的电压下运行而不影响导通性能；它们可以更安全地应对更高温度，可以在更高的频率下工作。它们的物理和电气特性使其能够在小型化、可靠性和功率密度（对于电动汽车(EV)逆变器和充电器、数据中心转换器和工业驱动器等要求严苛的应用而言尤其重要）方面达到领先水平。 投资策略：新式变异病毒扩散下全球疫情防控压力剧增，全球经济衰退可能性大增。中国央行在较低通胀预期下保持了偏鸽派的货币政策有望在2022年上半年继续保持。预计近期美国十年期国债收益率将会达到阶段高点，市场短期巨幅波动有望告一段落。一旦海外加息节奏有所放缓，将会给国内成长股重新带来估值修复机遇。等待调整结束继续布局半导体芯片、消费电子、新能源车、军工、光伏风电、元宇宙科技核心赛道优质龙头。 风险提升：海外流动性风险、国内货币政策收紧风险 2022年01月16日 曲一平 分析师 SAC执业证书编号：S1660521020001 quyiping@shgsec.com 宋婷 研究助理 songting@shgsec.com 大盘基本资料 股票家数 4709 上证50平均市盈率 10.98 万得全A平均市盈率 19.43 大盘走势图 资料来源：Wind，申港证券研究所 相关报告 1、《美债企稳后继续看好科技成长赛道：申港证券全市场估值与行业比较观察》2022-01-14 2、《美国国债收益率短期将见顶 等待市场走向平稳继续布局科技成长：2022年1月第1周策略周报，》2022-01-10 3、《供需缺口支撑碳酸锂涨价 新能源车补贴退坡推高购车成本：中观行业数据观察》2022-01-09 4、《美联储加息预期强化 成长股受到估值冲击：申港证券全市场估值与行业比较观察》2022-01-07 5、《芯片短缺尚未缓解 元宇宙成为春季躁动主线：2022年元旦策略周报》2022-01-04 0.80.850.90.9511.051.11.151.22021-01-042021-02-042021-03-042021-04-042021-05-042021-06-042021-07-042021-08-042021-09-042021-10-042021-11-042021-12-042022-01-04上证综合指数深证成份指数创业板指数 策略研究周报 敬请参阅最后一页免责声明 2 / 41 证券研究报告 内容目录 1. A股市场概览： ................................................................................................................................................................... 4 1.1 主要指数涨跌 ............................................................................................................................................................ 4 1.2 资金流向情况 ............................................................................................................................................................ 5 1.3 本周外资流向概览 ..................................................................................................................................................... 6 2. 全球市场核心观察：美联储紧缩货币政策将会被疫情拖慢 .................................................................................................. 8 2.1 海外变异病毒下疫情进一步持续扩散 ........................................................................................................................ 8 2.2 美联储一月议息会议临近 当期加息预期衰减 ........................................................................................................... 10 2.3 预期短期加息概率大增 极端情绪周内平复 .............................................................................................................. 10 2.4 美联储全年预期利率中枢上移分歧巨大 .................................................................................................................... 11 3. 中观核心观察-第三代半导体材料全面扩张 ........................................................................................................................ 12 3.1 第三代半导体材料之碳化硅应用 .............................................................................................................................. 12 3.2 第三代半导体材料-氮化镓 ....................................................................................................................................... 13 3.3 海外半导体厂商继续扩张先进半导体产线 ............................................................................................................... 14 3.3.1 住友金属矿山量产新一代功率半导体 ........................................................................................................... 14 3.3.2 NVTS进一步扩展到更高功率的氮化镓市场 ................................................................................................. 14 3.3.3 鸿海今年将发展第三代半导体技术，建立机器人制造平台 ........................................................................... 15 4. 中观深入观察2：海外碳化硅、氮化镓技术落地情况 ........................................................................................................ 16 4.1 英飞凌碳化硅功率MOSFET ................................................................................................................................... 16 4.1.1 基于SiC的器件需要进行额外的可靠性试验 ................................................................................................ 16 4.1.2 工业级SiC MOSFET的栅极氧化层——失效率和寿命 ................................................................................ 17 4.1.3 工业级SiC MOSFET的栅极氧化层——偏压温度不稳定性 ..........