敬请阅读正文之后的免责条款部分 深耕产业研究 助力资本增值 特别声明： 作者保证本报告中的信息均来源于合规的渠道，研究逻辑力求客观、严谨；报告的结论是在独立、公正的前提下得出，并已经清晰、准确地反映了作者的研究观点。除特别声明的情况外，在作者知情的范围内，本报告所研究的公司与作者无直接利益相关。特此声明。 研究院副总经理：林全 曾任华为供应链管理工程师，广证新三板研究副团队长等职。 电话：0755-83068383-8816 E-mail:linquan@jiyechangqing.cn TMT研究部电子行业研究员：陈凯 厦门大学经济学硕士，知名券商投行、研究所经历，研究覆盖半导体、LED、物联网等TMT领域细分行业。 电话：0755-83068383-8137 E-mail:chenkai@jiyechangqing.cn TMT研究部电子行业研究员：李亚乔 中国科学院上海硅酸盐研究所材料工程硕士，曾任中芯国际IC验证工程师，拥有三年IC设计后端验证脚本开发经验。 电话：0755-83068383-8127 E-mail:liyaqiao@jiyechangqing.cn 基业常青经济研究院携国内最强大的一级市场研究团队，专注一级市场产业研究，坚持“深耕产业研究，助力资本增值，让股权投资信息不对称成为历史”的经营理念，帮助资金寻找优质项目，帮助优质项目对接资金，助力上市公司做强做大，帮助地方政府产业升级，为股权投资机构发掘投资机会，致力于开创中国一级市场研究、投资和融资的新格局！ 行业报告 Page 1/13 行业定期研究报告 半导体行业 半导体行业月报 2018年10月16日 国内半导体产线建设稳步推进，行业景气度持续上行 ⚫ 行业最新动态： 行业政策：国务院对600亿美元自美进口商品加征关税，包括电阻、电容、半导体及可控硅等开关元件，国际功率大厂受到影响，或加速国内功率器件厂商国产替代进程； 技术进展：ST宣布合作开发用于功率转换的GaN－on－Si技术，GaN功率器件迎短期发展良机；台积电7nm EUV工艺首次流片成功、5nm预计明年试产；中天微发布支持物联网安全的RISC-V处理器； 产能产量：万国半导体宣布全国首个12英寸功率半导体项目10月投产；杭州中芯晶圆大尺寸硅片项目进展顺利，即将建成投产；芯光润泽建成国内首条碳化硅智能功率模块产线；三星将削减其在半导体领域的投资；前三季度中国集成电路进口15285亿元，出口3983亿元。 ⚫ 上市公司跟踪： 业绩预告：16家上市公司发布三季度业绩预告，12家业绩预增，全志科技、国民技术、北京君正、韦尔股份预测前三季度业绩增速超过100%； 集成电路：紫光国芯清华系实控人转让紫光集团36%股份，建坤集团跻身第一大股东；华天科技及华天电子集团要约收购Unisem，意图打开欧美高端客户市场； 分立器件：闻泰科技公布安世半导体收购细节，50亿现金出资资金来源存疑；台基股份设立产业投资基金拟合作投资IGBT项目；捷捷微电非公开发行预案公布，计划投资IGBT、MOSFET等新领域。 ⚫ 本期观点 受益下游需求旺盛以及国产替代加速，半导体行业景气度持续上行，以上市公司为代表的半导体企业业绩增速亮眼。 短期来看，晶圆厂新建产能预期持续强化，功率器件涨价势头或将趋缓。包括英飞凌、重庆万国在内的多家IDM厂商都宣布了扩产计划或已经开始投产，尽管从订单-出货周期这一数据来看短期供需的不平衡还没有完全缓解，但这一产能预期无疑将遏制功率器件等半导体产品价格继续飞涨的可能。 长期来看，物联网、人工智能、5G等下一代信息技术对半导体产品提出新的要求，提前布局面向未来、变化中产生的投资机会正当时。 ⚫ 风险提示： 政策调整风险、市场波动风险、技术进步不及预期。 敬请阅读正文之后的免责条款部分 深耕产业研究 助力资本增值 行业报告 Page 2/13 内容目录 1 行业最新动态 .............................................. 4 1.1 行业政策 ............................................................................................................................. 4 1.2 技术进展 ............................................................................................................................. 4 1.3 产能产量 ............................................................................................................................. 5 2 上市公司动态 .............................................. 8 3 数据跟踪................................................. 10 4 风险提示................................................. 11 敬请阅读正文之后的免责条款部分 深耕产业研究 助力资本增值 行业报告 Page 3/13 图表目录 图表1 半导体上市公司三季度业绩预告情况一览 ........................................................... 8 图表2 全球半导体月销售额及同比增速情况 ................................................................. 11 图表3 北美半导体设备BB值 .......................................................................................... 11 图表4 按产品划分的全球半导体销售额情况（亿美元） ............................................. 11 图表5 按区域划分的全球半导体销售额情况（亿美元） ............................................. 11 敬请阅读正文之后的免责条款部分 深耕产业研究 助力资本增值 行业报告 Page 4/13 1 行业最新动态 1.1 行业政策 （1）国务院关税税则委员会对600亿美元自美进口商品加征关税，国际功率大厂受影响 9月18日，国务院关税税则委员会发布公告，决定对原产于美国的5207个税目进口商品，自2018年9月24日12时01分起加征关税，该措施涉及自美进口贸易额约600亿美元。其中不少元器件产品，包括电阻、电容、半导体及可控硅等开关元件、闪速存储器等等。 日前，供应链服务公司信利康根据历史自有数据整理分析中，指出此次受影响商品海关编码有143个，涉及商品品牌262个，其中包括Cree、Vishay、Diodes、Fairchild等国际功率器件大厂。 点评： 此次加税或将加速国内涉及生产、制造、封测等环节的功率器件厂家国产替代进程，但对于功率器件分销机构，短期内或将产生不利影响。 1.2 技术进展 （1）ST宣布合作开发用于功率转换的GaN－on－Si技术 9月25日，ST Microelectronics和CEA－Leti宣布合作开发用于功率转换的GaN－on－Si技术并试图使其能够实现工业化生产。 此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证功率GaN－on－Si二极管和晶体管架构。与此同时，意法半导体将建立一条完全满足生产要求的生产线，包括GaN/Si异质外延生产线，预计在2020年于法国图尔的ST前端晶圆厂投产。 今年2月，意法半导体还宣布与美国MACOM公司开发用于射频应用的GaN－on－Si， 以满足MACOM在各种RF应用中的使用以及ST在非电信市场中的使用。 点评： 相比于SiC，同等结构下GaN功率器件可承载的电压较低但频率更高，在当今市场的共识中更适用于射频领域而非功率领域。然而不同于当今主流的SiC功率器件，此次意法半导体在2月开发了基于射频应用的GaN技术后，于9月加码GaN功率器件，一方面可能是处于工艺技术的延续考虑，另一方面必须得考虑到GaN器件在功率场合的特别意义。 从目前的行业分析看来，GaN作为功率器件的主要优点有两个，首先是由于GaN－on－Si技术所需的材料中Si占的比例仍然较高，这就比完全要求使用SiC材料的SiC器件能节省下更多的成本，而更低的成本或将使GaN功率器件更快应用于产业；另一方面由于更高频率会带来更低的功耗这一优势，GaN材料或将在没有高压要求的领域，尤其是对功耗敏感度较高的领域具有优于SiC器件的性能优势。 敬请阅读正文之后的免责条款部分 深耕产业研究 助力资本增值 行业报告 Page 5/13 （2）台积电7nm EUV工艺首次流片成功、5nm预计明年试产 10月10日，台积电宣布了有关极紫外光刻(EUV)技术的两项重磅突破，一是首次使用7nm EUV工艺完成了客户芯片的流片工作，二是5nm工艺将在2019年4月开始试产。今年4月开始，台积电第一代7nm工艺(CLN7FF/N7，DUV技术)投入量产，苹果A12、华为麒麟980、高通“骁龙855”、AMD下代锐龙/霄龙等处理器都正在或将会使用它制造。而接下来的第二代7nm工艺(CLNFF+/N7+)，台积电将首次应用EUV，不过仅限四个非关键层，以降低风险、加速投产，也借此熟练掌握ASML的新式光刻机Twinscan NXE。7nm EUV相比于7nm DUV的具体改进，目前台积电方面还未详细公布，只提到能将晶体管密度提升20％，在同等频率下功耗可降低6-12％。 7nm之后，台积电将会把制程工艺推进到5nm(CLN5FF/N5)，将在多达14个层上全面普及EUV，号称可比初代7nm工艺晶体管密度提升80％，从而将芯片面积缩小45％，还可以将同功耗频率提升15％，同频率功耗降低20％。2019年4月，台积电的5nm EUV工艺将开始风险性试产，有望在2020年第二季度实现量产。随着芯片制程工艺逐渐逼近摩尔定律的极限以及制造工艺的急剧复杂化，不仅开发量产新工艺的成本大幅增加，相应芯片的开发也越来越昂贵。 点评： 随着全球晶圆代工龙头台积电逐步导入7nm EUV工艺，先进制程将全面进入EUV时代，在可预见的未来，台积电包括其竞争对手三星将在更先进的工艺节点如5nm、3nm制程上使用EUV工艺，Intel目前则进展迟缓。EUV工艺的导入将继续提升晶体管密度并降低功耗，但与此同时，芯片设计和代工的成本也将大幅上升。 （3）中天微发布支持物联网安全的RISC-V处理器 9月3日，杭州中天微系统有限公司宣布正式推出支持RISC-V第三