台光电计划于年底至明年初推出M10产品,是全球首家量产M10的厂商。董事长强调不自行生产PTFE,而是与合作伙伴合作。M10技术路线存在碳氢与PTFE竞争的可能性,目前尚未定论,预计2026年Q4至2027年Q1技术路线将更清晰。M10存在有布和无布两种路线:有布方案Core层为碳氢+二代Q布+HVLP5,PP层为碳氢+二代Q布(类似PTFE混压工艺);无布方案Core层为碳氢+HVLP5,PP层为碳氢+ABF膜(树脂膜,类RCC,类似PTFE无布方案)。台光电在M8、M9世代均率先量产,M9量产后若市场反应顺利,明年将迎来爆发放量。
中国巨石“十五五”规划中,电子布产能将超20亿米,新建生产线2/3以上投向薄布、超薄布。规划目标为高端产品占比突破35%,特种电子布全球市场份额突破15%。粗纱产能超450万吨,其中风电光伏纱、热塑增强纱各突破150万吨。电子布AI占比提升将推动高端产品需求增长,为行业带来新的发展机遇。
研报重点分析了台光电M10量产计划及PTFE技术路线,M10技术路线的竞争可能性,中国巨石电子布产能规划及AI占比提升,以及宏昌电子珠海GBF膜项目公告。通过对这些重点内容的分析,报告揭示了AI硬件材料领域的最新发展趋势和竞争格局。
当前AI硬件材料市场存在高阶CCL缺口,预计至少持续至2030年。台光电在M8、M9世代均率先量产,M9量产后市场反应顺利将迎来爆发放量。M10技术路线存在碳氢与PTFE竞争的可能性,预计2026年Q4至2027年Q1技术路线将更清晰。中国巨石电子布产能规划将超20亿米,高端产品占比将突破35%。这些因素共同推动AI硬件材料市场持续发展。
研报提示M10技术路线存在不确定性,碳氢与PTFE的竞争结果尚未定论,可能影响市场格局。此外,电子布产能扩张和高端产品占比提升需要持续的技术创新和市场需求验证。台光电与合作伙伴合作生产PTFE,可能存在供应链风险。市场参与者需关注技术路线变化和供应链稳定性,谨慎评估投资风险。