沃尔德交流更新-9.28 务必重视散热新纪元 金刚石大时代

客户进展

当前核心在于解决高端GPU CPU光通信芯片进结散热问题，某客户中试验证顺利。部分厂商芯片流片已完成，处于模组测试阶段，预计2026年四季度小批量量产，2027年Q2正式起量。配置方式为每颗计算die对应一片热沉片。

技术方案

1. C2W方案：将厚度约7-800微米的裸die削薄约3-400微米后，贴装金刚石片键合/金属化低温焊接，整体厚度与原有裸die尺寸一致，不影响后续封装流程。大陆厂商多尝试该方案，合作最深入的客户预计Q4开始量产。
2. W2W方案：4-12英寸金刚石散热晶圆形态，设备自主研发，目前与台湾多家晶圆代工/封测厂合作、送样验证顺利，国内芯片设计公司也开始验证散热晶圆方案。

芯片内封装验证

金刚石作为内嵌近结扩热片背面，常温活化直接键合SAB，实现硅-金刚石原子级结合，Die+金刚石叠层总高与HBM齐平，不影响原来封装体系，兼顾极致散热+成熟封装量产能力。

产能准备

目前设备已满足客户几十万片级别需求，基于产业和领先的客户进展信心，2027年预计新增MPCVD设备至2000台，为行业内最多。

核心壁垒

1. 键合环节：后续键合需要原子级的抛光，半导体级别的精密加工能力尤为关键，包括研磨、抛光、检测环节。
2. 金刚石热沉片定制化：属于需要和芯片设计厂联合开发的定制化产品，要按图交付。CVD金刚石加工到微米级公差、纳米级表面粗糙度，还需严格控制表面的微纳米级缺陷，本身需要专门的装备与长期技术和经验积累。同样的材料、同一张图纸交给两家工厂，加工能力不同，交回来的往往不完全一样。
3. 金刚石良率与特性：稳定、高品质、量产交付的单晶/多晶金刚石良率、可复制的物理特性。

研究结论

最终实现的是金刚石散热部件交付系统内的功能，而非生长出毛坯金刚石片或简单加工后的制品。附加值来自材料、结构设计、界面处理、加工制造工艺、验证与可靠性等多方面能力的叠加，导入周期长，客户切换供应商成本极高。