兆易创新作为Fabless模式集成电路设计企业,其NOR Flash产品是公司的全球拳头产品。2026年上半年,公司实现营收115.66亿元,归母净利68.57亿元,呈现爆发式增长。存储芯片是公司收入支柱,2025年收入占比达65.66%,毛利率高达42.84%。公司产品线正由存储向“存储+控制+传感+模拟”平台型扩张,并于2026年初完成H股上市。研发投入持续高企,2025年研发投入14.04亿元,占营收比例11%-19%,体现了公司对技术创新的重视。
AI大模型的发展正驱动存储芯片需求爆发。随着大模型参数量持续攀升,对高带宽存储(HBM)的需求呈现爆发式增长。2025年全球专用型存储芯片市场规模已达157亿美元,预计2026年将达195亿美元。云厂商加码AI基础设施投资,消费电子旺季备货、物联网及汽车电子等领域需求也在增长,进一步放大市场缺口。中国存储芯片需求量2025年同比增长11.2%,预计2026年将突破40亿颗,AI算力需求将持续引爆存储芯片行业增长。
全球存储市场长期由美日韩企业主导,呈现高度垄断格局。在NAND Flash领域,三星、SK海力士、美光、铠侠、闪迪五大厂商合计占据91.3%市场份额。DRAM领域则由三星、SK海力士、美光三巨头高度垄断,2025年合计市场份额超过91%。国内厂商加速突破,长鑫存储与长江存储已跻身全球第四,分别专注于NAND和DRAM领域,正在形成以长江存储(NAND)、长鑫存储(DRAM)为核心的产业集群。
存储芯片行业未来发展趋势主要体现在以下几个方面:首先,市场规模与需求将持续增长,AI算力引爆需求,供需缺口预计延续至2027年。其次,技术方面,HBM成为竞争焦点,DRAM与NAND技术持续迭代,先进封装与新型架构加速落地。国内厂商正通过“虚拟IDM”模式加速突破,如长鑫存储(晶圆制造)、盛合晶微(先进封装)以及北方华创、拓荆科技(核心设备)等企业联合攻关HBM技术。最后,产业竞争将向头部企业集中,商业模式向“卖算力底座”及整体解决方案转型,长期协议(LTA)模式将更普及。
兆易创新深度研究报告提示的风险点主要包括:市场竞争风险,全球存储市场长期由美日韩企业主导,国内厂商虽然加速突破,但仍面临激烈竞争压力;技术迭代风险,存储芯片技术更新迅速,若公司研发投入不足或技术路线选择失误,可能影响其市场竞争力;政策风险,虽然国家大基金持续加码支持半导体产业,但政策变化可能对行业及公司经营产生影响;客户集中度风险,虽然公司客户结构相对分散,但部分大客户订单变化可能对其业绩造成影响。