长鑫存储第五代G5平台通过四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,存储电容深宽比达45:1,并开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅(HKMG)工艺,核心功能区高度缩小到6762纳米。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机市场。每张晶圆产出较上一代平台提升50%以上。
2026年第二季度全球半导体设备出货金额同比增长23%,达到405.3亿美元,环比增长11%,连续第二个创纪录的季度。其中,中国台湾环比增长8%,中国大陆环比增长24%,韩国环比增长2%。中国大陆市场增长显著,显示出国产替代和产业升级的强劲动力。
本报告建议关注前道设备领域的中科飞测、芯源微、中微公司、北方华创、拓荆科技、华海清科、精测电子、屹唐股份、微导纳米、迈为股份、先导基电等;后道设备领域的华峰测控、长川科技、联动科技等;以及材料&零部件领域的鼎龙股份、江丰电子、神工股份、富创精密等。这些企业在国产半导体设备产业链中扮演重要角色。
当前半导体设备市场呈现高速增长态势,国产设备厂商在政策支持和市场需求的双重驱动下,市场份额持续提升。特别是在存储芯片制造领域,国产设备厂商正逐步实现关键技术突破,推动国产替代进程。同时,全球半导体设备市场也处于景气周期,预计未来几年仍将保持增长势头。
本报告涉及的技术和市场分析基于公开信息,但半导体行业技术迭代迅速,市场竞争激烈,相关企业经营状况可能受多种因素影响。建议投资者关注技术路线的稳定性、市场竞争格局的变化以及宏观经济环境对行业的影响。具体投资决策需结合更多信息和专业判断进行。