中芯国际探索将背面供电技术用于先进制程,通过将电源线路从芯片正面移至背面,释放正面信号布线空间并改善供电效率。此技术涉及晶圆翻转、背面减薄与平坦化,其中CMP(化学机械抛光)是关键工艺。制程越精密,对CMP抛光精度和材料稳定性的要求越高。
背面供电技术通过提升CMP工艺复杂度,增加对研磨液等材料的消耗。上海新阳已布局CMP研磨液,其先进制程STI、Poly研磨液已进入国内主流晶圆厂产线。公司2026年半年报显示,研磨液产品销售额同比增长140%,并将背面供电列为推动CMP工艺复杂度提升的技术方向。背面供电CMP研磨液是随晶圆生产持续消耗的材料,若背面供电进一步走向量产,CMP材料的需求和国产替代空间值得持续跟踪。
CMP研磨液行业正随半导体制造工艺升级而发展。背面供电等先进技术的应用,将提升CMP工艺复杂度,进而增加对研磨液的需求。上海新阳作为CMP研磨液供应商,其产品已进入国内主流晶圆厂产线,并实现销售额同比增长140%。未来,随着背面供电技术的进一步推广,CMP材料的需求有望持续增长,国产替代空间广阔。
当前CMP材料市场以进口产品为主,但国产替代趋势明显。上海新阳等国内企业已布局CMP研磨液,并取得一定市场份额。其先进制程研磨液已进入国内主流晶圆厂产线,且销售额增长迅速。随着国内企业在技术上的不断突破,CMP材料的国产化率有望进一步提升。
研报提示,背面供电技术的量产仍面临技术挑战,如晶圆翻转、背面减薄与平坦化的工艺稳定性等。此外,CMP材料的国产化进程也存在竞争加剧、产品性能稳定性等方面的风险。投资者需关注相关技术的成熟度及市场竞争格局的变化。