澜起科技机构调研纪要

澜起科技研报核心内容聚焦内存接口芯片行业地位、AI推理及Agent应用影响、内存互连芯片需求展望、Arm架构服务器CPU兼容性、CXL技术与MRDIMM、新产品布局、研发与费用、毛利率趋势等关键数据。报告指出澜起科技通过紧跟JEDEC标准与内存技术发展，逐步成为行业领跑者，并在DDR4世代发明“1+9”分布式缓冲内存子系统框架，DDR5世代牵头制定国际标准。AI推理及Agent应用将推动内存互连芯片需求增长，服务器CPU需求增长带动内存模组需求提升，DDR6标准推进将增加单模组芯片用量。研发方面，公司拥有604名研发技术人员，2026年上半年研发投入4.53亿元，同比增长27%，研发费用绝对值预计持续增长。

电子设备行业发展趋势显示内存接口芯片需求持续增长，主要受服务器CPU需求增长驱动。AI推理及Agent应用将推动内存模组需求提升，新一代CPU支持更多内存通道（如16通道），提升单机用量上限。DDR6标准推进将增加单模组芯片用量。CXL内存扩展方案可复用存量DDR4内存，降低客户成本。MRDIMM处于第二子代产品规模试用阶段，大规模上量需等待支持该标准的新一代CPU明年量产出货。行业竞争格局稳定，新进入者难以在短期内对现有格局产生实质性影响，主要受技术积累、行业资源、商业准入和产品生命周期限制。

报告重点分析了澜起科技在内存接口芯片领域的行业地位、AI推理及Agent应用对内存互连芯片需求的影响、内存互连芯片需求展望、Arm架构服务器CPU兼容性、CXL技术与MRDIMM的发展、新产品布局（以太网PHY Retimer芯片、PCIe Retimer芯片）、研发与费用投入、毛利率趋势等方向。报告强调澜起科技凭借技术路线判断和研发投入，在DDR4世代发明“1+9”分布式缓冲内存子系统框架，DDR5世代牵头制定国际标准，成为行业领跑者。公司新产品布局完善高速互连产品矩阵，研发投入持续增长，毛利率有望保持较高水平。

内存接口芯片市场现状显示供应商数量从DDR2至DDR5世代从10家缩减至3家，澜起科技凭借技术积累和研发投入成为行业领跑者。新进入者难以在短期内对现有格局产生实质性影响，主要受技术积累、行业资源、商业准入和产品生命周期限制。AI推理及Agent应用将推动内存互连芯片需求增长，服务器CPU需求增长带动内存模组需求提升，DDR6标准推进将增加单模组芯片用量。CXL内存扩展方案可复用存量DDR4内存，降低客户成本。MRDIMM处于第二子代产品规模试用阶段，大规模上量需等待支持该标准的新一代CPU明年量产出货。

研报风险提示包括：新进入者可能对现有格局产生冲击，尽管短期内影响有限，但长期需关注技术积累和行业资源壁垒；CXL技术与MRDIMM的发展存在不确定性，MRDIMM大规模上量需等待支持该标准的新一代CPU明年量产出货；新产品布局存在市场接受度风险，以太网PHY Retimer芯片和PCIe Retimer芯片的量产出货需满足市场需求；研发投入持续增长可能影响短期盈利能力，但长期有助于保持技术领先地位。此外，行业竞争加剧和产品周期变化也可能带来风险。