金刚石热沉片主要应用于近端散热路线,旨在解决局部热点和移动热源导致的芯片降频问题。目前国内多家封装厂已为至少4-5家芯片厂商完成样品打样,显示出其技术成熟度和市场接受度。技术路线方面,台积电主推晶圆级方案(wafer to wafer),但国内适用性较低,而chip to wafer方案更为主流,即单颗die单独贴装金刚石。成本测算显示,400平方毫米die的单晶热沉片约1500元,多晶约2000元,贴装工艺后单颗综合成本约2500元,800平方毫米约5000元,1600平方毫米约10000元。搭载2颗400平方毫米die的产品新增成本约5000元,成本占比极低。性能增益方面,该方案能均热防降频,使芯片结温下降约15度,全核心运行频率提升约0.2GHz,部分核心超频可提升0.3-0.4GHz,算力平均提升约20%,有效解决峰值算力不可持续痛点。产业趋势显示,部分厂商芯片流片已完成,当前处于模组测试阶段,预计2026年四季度小批量量产,2027年Q2正式起量,配置方式为每颗计算die对应一片热沉片。
金刚石复合铜冷板属于远端散热路线,与芯片端热沉片互不干涉且可配套使用,是纯铜材料的升级优化方案。目前量产规模最大的是曙光,其郑州项目10万台浸没式冷板/蒸发器采用铜基掺杂金刚石材料,换热效率比常规纯铜高一倍多。该方案兼容被动风冷、液冷、浸没式等多种散热场景,成本提升幅度小,商业化可行性高。成本效果方面,仅冷板凸台用金刚石铜的方案,成本增加400-500元(上浮10%-15%),可实现降温5-8度;全板采用金刚石铜的成本至少比传统冷板贵一倍。整体来看,金刚石复合铜冷板在保持高性能的同时,成本控制得当,具备较高的市场拓展潜力。
金刚石散热技术的重点分析方向主要集中在金刚石热沉片和金刚石复合铜冷板两大技术路线。金刚石热沉片作为近端散热方案,核心优势在于解决局部热点和移动热源导致的降频问题,其技术成熟度较高,已有多家厂商完成样品打样。技术路线方面,chip to wafer方案更符合国内产业现状。成本方面,单颗die热沉片综合成本约2500元,搭载两颗die的产品新增成本约5000元,成本占比极低。性能增益显著,芯片结温下降约15度,算力平均提升约20%。产业趋势显示,部分厂商芯片流片已完成,预计2026年四季度小批量量产,2027年Q2正式起量。金刚石复合铜冷板作为远端散热方案,换热效率比常规纯铜高一倍多,成本提升幅度小,商业化可行性高,曙光郑州项目已实现大规模应用。
金刚石散热技术的市场现状呈现稳步发展态势,主要分为近端热沉片和远端复合铜冷板两大应用路线。金刚石热沉片方面,国内多家封装厂已为至少4-5家芯片厂商完成样品打样,技术路线以chip to wafer为主,成本测算显示单颗die综合成本约2500元,性能增益显著,预计2026年四季度小批量量产,2027年Q2正式起量。金刚石复合铜冷板方面,曙光郑州项目已实现10万台浸没式冷板/蒸发器的规模化应用,换热效率大幅提升,成本控制得当,商业化前景广阔。整体来看,金刚石散热技术已进入产业落地阶段,市场潜力逐步释放。
金刚石散热技术的研报风险提示主要包括技术迭代风险和成本控制风险。技术迭代方面,虽然当前chip to wafer方案在国内较为主流,但未来可能存在新的散热技术路线出现,对现有方案构成竞争压力。成本控制方面,金刚石材料成本较高,虽然热沉片和复合冷板方案的成本提升幅度相对可控,但仍需关注原材料价格波动对整体成本的影响。此外,产业落地过程中可能面临供应链稳定性、生产工艺优化等挑战,需持续关注相关厂商的技术进展和量产情况。