基本半导体招股说明书(申请版本)

BASiC Semiconductor Co., Ltd. (a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i)1933(j)(k) 32 BASiC Semiconductor Co., Ltd. [] [][][]H[][][]H[][][]H[][][]H[]1.0%0.0027%0.00015%0.00565%H0.20[][] [] [] [][][][][][][][][][][][][][][] [][][][][][][][][][]www.basicsemi.comwww.hkexnews.hk[][] [][] [][][][][][][][] C[]][][] []S[][]S[] [] [] [] [] [] [] [] [][][][][][][][][][][][] [][][]www.basicsemi.com . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .iv. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .vii. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .56[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .62. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .65. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .67. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .80. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .93. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .136. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .212. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .216. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .225. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .230. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .232 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .234[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .265[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .270[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .279[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .286. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I-1[]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .II-1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .III-1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .IV-1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V-1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VI-1 []8.05(1)(2)(3)C[][][] [][][] 2016 2020202420201120246959.7%2025202947.1%202942820242.9%20242.7%1.7%202454.6%50.0% 2023131.678.0%202429.0202516.9%33.9202359.6%20249.7%202510.9%2023342.230.7%2024237.12024237.141.4%2025335.22023155.1%202479.3%2025107.6%2023123187.7235.1%20241231293.920251231278.9 2023119.779.9%202424.12025362.7%111.5 IDM 2020(IDM)IDM (GaN) IDM(i)(ii) 200kW500kW (IGBT) (MOSFET)650V750V1200V MOSFETIGBT (IC)3MW4W60A (1) 20242025(i)2025(ii)2023165.3202448.02024IC202448.0202583.8IC 20234.8202411.220232024202411.220257.8 (i)(ii) 162025123115579.4%29.5%20232024202575.891.1109.7 CC 202512311707281171324834392025123116[]20251231 29.7%45.5%20.6%46.4%63.1%40.4% 202420.2%26.5%21.0%52.4%43.9%38.2% 202454.6%50.0% [][](i)(ii)(iii)(iv)(v) 45.98%(i)19.56%(a)40.85%(b)27.35%(c)19.57%13.00%25.00%(d)12.23%(ii)6.65%(iii)6.38%(iv)4.33%(v)4.15%(vi)3.52%(vii)1.39%[][]% [] [][][]1,032 []2023731[]2023[]20232023[]2023[] [] 29 []29 (i)(ii)[] 28%50%50%72% 20232024105.1102.646.7MOSFET66.0%27.9%10.218.1 2024202598.1[] 2024123120251231293.9278.9 2023123187.7235.1%20241231293.9(i)80.2(ii)69.1(iii)54.4(iv)42.041.9 20231231338.857.7%20241231143.2237.1(i)32.0(ii)202410.020241231143.22025123113.8(i)335.2(ii)166.0(i)150.0(ii)150.0(iii)72.5 202320242025119.724.1111.5 2025111.5334.7(i)(a)72.5(b)54.4(c)23.9(d)18.4(ii)(a)32.1(b)33.4(c)18.8(a)25.0(b)13.7 202424.1237.1(i)(a)32.0(b)29.5(c)20.0(d)18.718.1(ii)(a)80.2(b)42.5(c)22.4(d)20.044.4 2023119.7342.2(i)(a)28.7(b)22.6(c)15.6(d)14