长江存储首进全球NAND市占前三 国内存储原厂扩产带产业链需求提升

电报解读 2026.08.1221:24呈期三 IⅡ电报内容 【机构：长江存储市占率首次路身全球第三】财联社8月12日电，市场研究机构Counterpoint发布数据称，2026年第二季度NAND闪存市场以出货量计算，三星、SK海力士、长江存储的份额分别为25%、22%、14%，这是长江存储份额首次进入前三。不过，按营收计算，长江存储排名行业第五，落后于美光和铠侠，原因是产品组合集中在消费级应用，高单价数据中心企业级固态硬盘占比相对较低。(第一财经) Ⅱ电报解读 题材解读 一、长江存储以Xtacking技术为核心，构建完整3DNAND产品体系 2014年长江存储3DNAND闪存项目启动，2016年公司正式成立后，逐步推进技术验证、产品流片和规模量产。2024-2025年，公司第五代TLC、QLC3DNAND产品相继研发成功、量产或发布，技术选代和产品覆盖持续深化。 长江存储以3DNAND闪存为核心，已形成涵盖闪存晶圆、闪存题粒、嵌入式存储芯片、消费级SSD和企业级SSD的产品矩阵，应用场景覆盖移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域。公司采用IDM模式运营，集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体，具备从底层技术研发到终端产品交付的全链条能力，是国内最大的3DNAND闪存芯片制造商。 晶栈Xtacking是长江存储自主研发的核心3DNAND闪存架构技术，自2018年发布以来已迭代至4.0版本。与传统3DNAND架构相比，Xtacking通过CMOS-Array混合键合技术，将外围电路和存储单元分别在两片晶圆上加工后再键合成一体，有助于提升I/O速度和芯片性能。随着技术升级，公司I/O速度已从早期800MT/s提升至4.0时代的3600MT/s，产品容量覆盖也扩展至512Gb-2Tb。 二、国内存储原厂投产推升产业链需求，设备、材料及零部件等产业链环节订单及国产化率有望持续提升 长江存储作为国内NANDFlash龙头与全球第四大NAND原厂，产能扩广张节奏清晰、规模持续跃升，产能、营收与市场份额同步实现高速增长。当前公司合计月产能约20万片，核心扩产项目武汉三期工厂为武汉集成电路产业第三个千亿级项目，原计划2027年量产，现提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片12英寸晶圆，达产后总月产能将提升至30万片，2027年月产能有望进一步提升，目标冲击全球NANDFlash产量前三。 招商证券郡凡认为，存储行业缺货预计延续至2027年，国内存储原厂扩产整体有望提速，投产推升产业链需求及市场空间，设备、材料及零部件等产业链环节订单及国产化率持续提升，同时存储技术选代升级带动定制化新品兴起，先进封装产业链有望受益，建议关注存储和上游产业链环节机遇。 相关上市公司 兴福电子：公司湿电子化学品已获得台积电、长江存储等国内外多家知名集成电路行业企业的认可。公司电子级双氧水通过长江存储认证。 中微公司：公司的刻蚀设备、MOCVD设备已广泛应用于长江存储的产线。