业绩拐点明确，SiC设备进入成长兑现期
晶升股份（688478.SH） 业绩拐点明确，SiC设备进入成长兑现期 作者 2026年订单储备充足，行业回暖下业绩拐点明确。公司深耕长晶设备赛道十余年，依托底层技术同源优势同步布局半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉两大高景气赛道，同时配套光伏单晶炉完善产品矩阵。2025年受碳化硅、光伏行业周期下行拖累，下游衬底厂商扩产放缓，公司订单与营收阶段性承压。但自2025年末行业需求逐步修复，截至2026年5月公司在手订单合计3.52亿元，以高毛利半导体、碳化硅设备为主，碳化硅设备交付周期仅3-5个月、硅炉交付周期6-8个月，全年设备交付量有望大幅回升，营收与盈利有望同步迎来修复拐点。 分析师张磊SAC：S1070525100001邮箱：zhanglei2@cgws.com 国内下游12英寸产线加速扩产，公司技术与客户壁垒构筑稳定基本盘。当前全球12英寸硅片由海外五巨头垄断，国内晶圆制造产能持续扩张带来巨大硅片自给缺口，叠加2026年海外硅片厂商两轮涨价带动国内硅片价格触底回升，本土硅片企业扩产意愿强烈，上游半导体单晶炉需求持续释放。公司是国内最早完成12英寸半导体级单晶研发与产业化的厂商，设备控温、等径控制等核心指标对标海外竞品，并且长期深度绑定上海新昇、金瑞泓等国内头部硅片企业，客户认证壁垒高、复购属性强。随着国内12英寸晶圆厂持续落地，国产长晶设备替代空间广阔，半导体硅炉业务保持稳健高增，持续为公司提供高毛利稳定收入来源。 分析师孙诗宁SAC：S1070525070005邮箱：sunshining@cgws.com 相关研究 新能源车+AIDC双轮拉动SiC需求，12英寸半绝缘衬底迎来新增量。新能源汽车800V高压平台渗透率持续提升，叠加AIDC服务器全面切换800VHVDC架构，带动导电型碳化硅衬底需求高速增长；同时高端GPU功耗突破千瓦，HBM多芯片堆叠催生封装散热需求，英伟达Rubin芯片规划2027年量产，推动台积电CoWoS封装将硅中介层替换为12英寸SiC中介层，打开半绝缘衬底长期增量空间。公司SiC设备先发优势显著，8英寸机型已批量供货，12英寸设备完成小批量验证；同时是国内较早切入台湾市场的SiC设备企业，与岛内四家核心客户深度合作。12英寸设备单价、毛利率显著优于8英寸产品，大尺寸机型放量将持续抬升公司盈利弹性，碳化硅业务成为核心增长引擎。 投资建议：公司作为国内稀缺可同步量产12英寸半导体硅单晶炉、8/12英寸碳化硅单晶炉的本土长晶设备领军企业，主业充分受益AI算力及新能源车800V高压平台双轮驱动，下游衬底厂商集中扩产带动设备订单饱满，产能爬坡与产品结构升级共同推动盈利中枢持续上行。同时，公司先发落地SiC设备商业化，8英寸机型 批量交付、12英寸机型小批量出货，深度卡位中国台湾头部衬底厂并间接切入台积电先进封装供应链，充分受益2027年RubinGPU带动12英寸SiC衬底需求爆发。我 们预 计2026-2028年 公 司 营 业 收 入 为3.28/6.76/11.35亿 元 ， 同 比 增 长184.01%/106.14%/67.80%； 归 母 净 利 润 为0.40/1.07/2.61亿 元 ， 同 比 增 长203.35%/170.73%/143.40%，EPS分别为0.29/0.78/1.89元/股，对应当前股价（2026年8月3日收盘价），PE分别为134X/50X/20X，首次覆盖，给予“买入”评级。 风险提示：下游产能爬坡风险、技术路线不确定性、市场竞争风险、毛利率波动风险、并购失败的风险等。 内容目录 1.深耕长晶设备十余载，多赛道布局日益完善.............................................................................................51.1技术同源为核心根基，多品类长晶矩阵成型.......................................................................................51.2十余年深耕技术沉淀，进阶半导体和新赛道.......................................................................................61.3实控人持股根基稳固，并购延伸产业链布局.......................................................................................71.4业绩短期承压显韧性，2026年业绩拐点明确.....................................................................................81.5卡位产业链核心环节，产能释放保障交付能力.................................................................................102.硅片设备国产替代，AI算力托底长期需求..............................................................................................122.1衬底为芯片制造基材，长晶工艺决定产品品质.................................................................................122.2 AI算力驱动市场扩容，国产替代催生设备刚需.................................................................................132.3大尺寸成为行业主流，本土硅片厂商加速扩产.................................................................................152.4产业实力稳居国内第一梯队，绑定头部客户构筑壁垒........................................................................163.SiC设备迎多重驱动，先发优势卡位成长红利.........................................................................................183.1 SiC材料性能优势显著，衬底环节价值占比最高................................................................................183.2新能源车呈现高压化趋势，拉动SiC器件需求爆发...........................................................................193.3 AIDC算力催生全新增量，高压架构与封装双维升级..........................................................................213.3.1 800V HVDC架构迭代，电源端SiC需求持续扩容.....................................................................213.3.2高功耗驱动封装升级，SiC中介层打开成长新空间...................................................................233.4行业格局加速迭代，多重壁垒夯实公司地位.....................................................................................243.5横向拓展多元产品矩阵，打造平台型设备服务商..............................................................................264.投资建议.............................................................................................................................................274.1盈利预测......................................................................................................................................274.2可比公司估值与投资建议...............................................................................................................28风险提示...................................................................................................................................................29 图表目录 图表1：公司主要产品................................................................................................................................5图表2：公司发展历程图.............................................................................................................................7图表3：公司股权结构图（截至2026年6月24日）....................................................................................7图表4：公司2021-2025年营业收入及同比..................................................................................................8图表5：公司2021-2025年归母净利润及同比...............................................................................................8图表6：公司2021-2025年晶体生长设备分业务营收占比..............................................................................9图表7：公司2021-2025年半导体级单晶硅炉及碳化硅单晶炉毛利率..............................................................9图表8：公司2021-2025年毛利率及净利率..............