这份研报主要分析了晶升股份在长晶设备领域的业务布局、技术优势、产业链协同以及未来发展前景。报告指出公司深耕该领域十余年,涵盖半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等设备,并依托技术同源优势攻克关键装备难题。公司实控人持股稳固,拟收购准智能推进产业链纵向延伸,实现设备与测试业务的垂直协同。报告还分析了2025年行业周期下行对公司的影响,以及2026年及以后行业需求修复和公司订单、营收的预期增长。
SiC设备行业的发展趋势向好,主要受新能源汽车和AI算力需求拉动。新能源汽车800V高压平台渗透率提升带动导电型碳化硅衬底需求高速增长,同时高端GPU功耗提升催生封装散热需求,推动12英寸半绝缘衬底市场发展。晶升股份作为国内领先的SiC设备供应商,先发优势显著,8英寸机型已批量供货,12英寸设备完成小批量验证,并较早切入台湾市场。大尺寸机型放量将持续提升公司盈利弹性,碳化硅业务成为核心增长引擎。
研报重点分析了晶升股份的技术壁垒、客户资源、业务布局和未来增长潜力。公司在技术上依托高温高真空晶体生长设备的技术同源性,攻克了大尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅长晶炉等关键装备的技术难题。客户资源方面,公司深度绑定上海新昇、金瑞泓等头部硅片企业,客户认证壁垒高、复购属性强。业务布局上,公司拟收购准智能推进产业链纵向延伸,实现“设备+测试”垂直协同。未来增长潜力方面,报告预计公司2026-2028年营业收入和归母净利润将保持高速增长,碳化硅业务成为核心增长引擎。
当前SiC设备市场呈现需求修复和产能扩张的态势。2025年受碳化硅、光伏行业周期下行影响,下游衬底厂商扩产放缓,公司订单与营收阶段性承压。但自2025年末行业需求逐步修复,截至2026年5月公司在手订单合计3.52亿元,以高毛利半导体、碳化硅设备为主。国内下游12英寸产线加速扩产,国产长晶设备替代空间广阔,晶升股份作为国内最早完成12英寸半导体级单晶研发与产业化的厂商,设备性能对标海外竞品,市场竞争力强。
研报提示了以下投资风险:下游产能爬坡风险,即下游衬底厂商扩产进度不及预期可能影响公司订单;技术路线不确定性,SiC技术路线仍存在变数可能影响设备需求;市场竞争风险,随着行业发展更多企业进入竞争可能压缩利润空间;毛利率波动风险,原材料价格波动或产品结构变化可能影响毛利率水平;并购失败风险,收购准智能的进程或效果存在不确定性。这些风险需投资者关注。