高盛于7月24日紧急召开“中国存储专家电话会”,讨论中国DRAM产能扩张、产品研发进展及全球存储价格走势三大议题。会议专家曾任长鑫存储(CXMT)高级总监(2020年7月至2024年8月)及三星电子总监(2000年1月至2018年3月)。核心观点指出,尽管长鑫无法量产AI大厂紧缺的HBM(高带宽存储),但头部海外厂商优先扩产高毛利HBM,导致消费级、通用DRAM价格暴涨,使长鑫获益显著。一季度,长鑫全球DRAM收入份额达8%,单季收入同比暴涨719%。会议暗示IP0融资后中国DRAM产能有望翻倍。