7月21日一份对华为芯片的拆解报告证实,中芯国际N+3工艺在晶体管密度上已超越台积电N6,标志着在不依赖EUV光刻的条件下,国内先进制程通过多重曝光等技术路径实现了关键的追赶。这一进展为国产算力芯片的迭代提供了坚实的制造基底,尽管在性能与能效上仍有差距,但在关键的密度指标上实现对标甚至超越,极大地增强了市场对国内半导体全产业链自主可控闭环的信心,为相关设计与设备公司的估值打开了新的想象空间。关注:中芯国际(国产先进制程突破的核心载体),寒武纪/海光信息/天数智芯(国产算力芯片设计公司,获得更可靠的先进制造产能支持),北方华创/中微公司(受益于国内晶圆厂先进制程研发与扩产的设备龙头),长电科技/通富微电(承接国产高性能芯片先进封装需求)#文字观点