单价趋势或更高更久；上调目标价

核心观点与关键数据

• 单价趋势与长协能见度提升：报告认为，受人工智能数据中心对 DRAM 和 NAND 需求的结构性高位支撑，存储器芯片的高位时间和涨幅可能超过预期。美光披露的长协情况显示，未来价格波动或小于之前预期。将供不应求的时间判断再推后至 2027 年第四季度，并认为 2028 年的价格回落波动将更温和。
• 扩产计划加速：报告预测 SK 海力士 DRAM 扩产将加速，为达 2030 年 100 万片目标，未来可能需每年增加 10 万片每月的产能。NAND 方面，公司竞争策略更激进，新产品 375 层 3D NAND 或提前落地，并可能积极引入新厂房。上调 2026/27/28 年底 DRAM 产能预测至 57.5/65.5/74 万片每月，NAND 产能预测至 21/23/25.5 万片每月。相应上调资本开支预测至 50.9/85.1/100.8 万亿韩元。
• 需求长时间高位：报告认为 DRAM 需求（特别是数据中心）的需求弹性大于预期，英伟达的设计变化显示数据中心对存储器的需求仍有较大上升空间，如配置减小一半、堆叠层数减少等。总体看，需求或长期处于高位，并有进一步上升空间。
• 长协能见度上升，营收波动或减小：美光与 16 家客户签署的 3-5 年长协，价格区间对标 2026 年第二季度价格，客户需提前缴纳“存款”以加强对客户的约束力。这或保证存储器价格在 2028 年之前继续保持相对较高水平。
• HBM 封装技术进步与竞争关系：SK 海力士在 HBM 封装技术上相对于三星电子等竞争对手的优势继续保持，预计将在 2026/27/28 年获得主要 HBM 市场份额，分别为 58%/57%/56%。

研究结论

• 目标价上调：综合扩产进度和价格趋势，上调公司 2026/27/28 年收入预测至 370/578/655 万亿韩元。更改估值方法，以 2023-28 年平均市盈率 14 倍得到目标价 350 万韩元。
• 中长期看好：报告中长期看好存储行业的发展前景，但提醒投资者关注市场行为造成的股价波动性加大。
• 美国 ADR 上市：认为公司在美国的 ADR 上市或提高公司股票流动性，并拓宽公司的投资者群体。