电子行业研究周报：功率器件及硅片涨价 AI需求等带动功率半导体景气回升

——电子行业研究周报 投资摘要： 评级增持（维持） 每周一谈：功率器件及硅片涨价AI需求等带动功率半导体景气回升 2026年06月23日 功率器件、硅片涨价，AI需求等带动功率半导体景气回升。近期功率芯片及对应重掺硅片涨价，原料端需求端印证功率半导体或景气回升。根据界面新闻，立昂微自6月15日起，对功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%，旗下半导体硅片业务价格自7月1日起上调10%-15%。扬杰科技7月1日起对全系列产品价格进行调整，调整幅度为10%—15%，主要源于近年来上游芯片晶圆、材料等全线持续涨价。根据全球半导体观察，环球晶、信越化学、SUMCO等全球硅晶圆头部厂商自今年二季度起上调12英寸硅片价格，其中AI/HPC专用硅片涨幅相对明显。立昂微硅片业务中重掺产品占硅片收入比例较高，AI需求是拉动公司重掺产品增长的一个因素，重掺低阻硅片主要配套AI服务器的功率器件与PMIC电源管理芯片，对应硅片涨价或印证功率半导体景气回升。 王伟分析师SAC执业证书编号：S1660524100001 韩国启动规模化研发计划，功率半导体正被视为继DRAM之后的新增长引擎。根据集微网援引《首尔经济日报》消息，韩国政府预计将投入资金进行SiC、GaN下一代功率半导体的量产，核心动因在于AI算力集群功耗激增，英伟达新一代Rubin平台将全面普及800VDC高压供电架构，持续拉动1200VSiC高压功率器件需求。第三代宽禁带半导体正式成为全球科技竞争核心赛道，功率半导体正被视为继DRAM之后的新增长引擎。随着AI集群对电力的需求激增，功率半导体成为保障电源稳定传输和管理的关键，并提高AI数据中心的整体能效水平。建议关注AI及电源管理需求带动的功率半导体景气回升周期，适配英伟达800VDC高压架构的1200V SiC/MOS产品研发与量产的国产功率器件厂商有望率先受益，建议关注立昂微、扬杰科技、士兰微、斯达半导、新洁能、芯联集成等。 投资策略：建议关注AI及电源管理需求带动的功率半导体景气回升周期，适配英伟达800VDC高压架构的1200V SiC/MOS产品研发与量产的国产功率器件厂商有望率先受益，建议关注立昂微、扬杰科技、士兰微、斯达半导、新洁能、芯联集成等。 相关报告 1、《电子行业研究周报：玻璃基板产业化加速SK海力士计划三倍扩张产能》2026-06-22 2、《电子行业研究周报：华为发布韬定律存储景气延续》2026-06-043、《电子行业研究周报：AI算力需求中CPU配比存在提升预期》2026-05-28 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧 1.市场回顾 上周（6.15-6.19）申万电子行业指数上涨17.49%，在申万31个行业中排名第1，跑赢沪深300指数14.05%。本月至今（6.1-6.19）申万电子行业指数上涨14.35%，在申万31个行业中排名第1，跑赢沪深300指数13.34%。 年初至今（1.1-6.19）申万电子行业指数上涨66.77%，在申万31个行业中排名第2，跑赢沪深300指数60.04%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（6.15-6.19）申万电子行业三级子行业中被动元件、印制电路板、数字芯片设计、其他电子Ⅲ、电子化学品Ⅲ指数涨跌表现相对靠前，相对沪深300指数涨跌幅分别是22.35%、16.85%、16.36%、16.09%、15.82%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（6.15-6.19）万得半导体概念指数中半导体设备指数、先进封装指数、第三代半导体指数、中芯国际产业链指数、长江存储指数、半导体材料指数、光刻机指数涨跌幅分别为17.62%、16.29%、14.62%、14.19%、13.82%、12.14%、10.16%。 图7：万得半导体概念指数上周涨跌幅 图8：万得半导体概念指数年初至今涨跌幅 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 截至2026年6月19日，费城半导体指数收于14341.78点，周上涨7.26%。台湾半导体指数收于1569.20点，周上涨5.35%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 2.行业数据跟踪 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：wind，海关总署，申港证券研究所 资料来源：ifind，日本半导体制造装置协会，申港证券研究所 资料来源：ifind，世界半导体贸易统计组织，申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 资料来源：ifind，全球半导体观察（DRAMexchange），申港证券研究所 3.每周一谈：功率器件及硅片涨价AI需求等带动功率半导体景气回升 功率器件、硅片涨价，AI需求等带动功率半导体景气回升。近期功率芯片及对应重掺硅片涨价，原料端需求端印证功率半导体或景气回升。根据界面新闻，立昂微自6月15日起，对功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%，旗下半导体硅片业务价格自7月1日起上调10%-15%。扬杰科技7月1日起对全系列产品价格进行调整，调整幅度为10%—15%，主要源于近年来上游芯片晶圆、材料等全线持续涨价。根据全球半导体观察，环球晶、信越化学、SUMCO等全球硅晶圆头部厂商自今年二季度起上调12英寸硅片价格，其中AI/HPC专用硅片涨幅相对明显。立昂微硅片业务中重掺产品占硅片收入比例较高，AI需求是拉动公司重掺产品增长的一个因素，重掺低阻硅片主要配套AI服务器的功率器件与PMIC电源管理芯片，对应硅片涨价或印证功率半导体景气回升。 韩国启动规模化研发计划，功率半导体正被视为继DRAM之后的新增长引擎。根据集微网援引《首尔经济日报》消息，韩国政府预计将投入资金进行SiC、GaN下一代功率半导体的量产，核心动因在于AI算力集群功耗激增，英伟达新一代Rubin平台将全面普及800VDC高压供电架构，持续拉动1200VSiC高压功率器件需求。第三代宽禁带半导体正式成为全球科技竞争核心赛道，功率半导体正被视为继DRAM之后的新增长引擎。随着AI集群对电力的需求激增，功率半导体成为保障电源稳定传输和管理的关键，并提高AI数据中心的整体能效水平。建议关注AI及电源管理需求带动的功率半导体景气回升周期，适配英伟达800VDC高压架构的1200VSiC/MOS产品研发与量产的国产功率器件厂商有望率先受益，建议关注立昂微、扬 杰科技、士兰微、斯达半导、新洁能、芯联集成等。 4.行业动态 台积电CoPoS加速推进：成本降低30%，硅片利用率提升至90% 台积电董事长魏哲家已证实，公司已建成CoPoS试产线。他表示，CoPoS先进封装技术已在试产线上运行，预计需要二至三年，产量才会达到相当大的规模。业内消息显示，台积电可能通过旗下采钰设立首条CoPoS实验线，不排除在台积电兴建的台湾嘉义先进封测七厂生产，目标规划2028年底至2029年量产。供应链业者评估，台积电在亚利桑那州首座先进封装厂预计2028年量产，第2座先进封装厂预计2029年至2030年量产，其中可能包括布局CoPoS封装产线。 研调机构TrendForce称，台积电布局CoPoS短期聚焦310x310mm基板尺寸，今年是相关设备与材料商验证关键期，预计2027年进入试产，规划2028下半年正式量产;下一阶段布局重点将转向玻璃核心基板，预期量产时程落在2030年后。（来源：芯智讯） 美国InP晶圆厂奠基，黄仁勋站台 当地时间6月16日，英伟达（NVIDIA）战略合作伙伴——全球光子学领导厂商Coherent在美国得克萨斯州谢尔曼市为其一座扩建的6英寸InP（磷化铟）晶圆厂举行了奠基仪式。安德森在仪式上透露，当该晶圆厂达到满产时，将支持超过550个直接工作岗位，以及数千个直接和间接的工作岗位。该工厂出货的并非单一产品，而是用于在英伟达网络中传输数据的激光器、收发器和可插拔光模块，每个都支持系统的不同部分。 虽然当前的众多硅晶圆厂都已经是12英寸晶圆，但全球大部分InP生产仍停留在3英寸和4英寸晶圆——产量更低，每批能够得到的芯片也少得多。如果升级到6英寸晶圆，可用面积大约是3英寸晶圆的4倍（面积与直径平方成正比），从而降低成本并释放AI建设所需的产量。（来源：芯智讯） JX金属宣布将InP基板产能扩大10倍 随着AI数据中心对高速光通信基础设施的需求持续井喷，日本半导体材料巨头JX金属在6月16日通过新闻稿宣布，决定于2030财年前投入最高1200亿日元（约合7.5亿美元），将光通信用核心材料磷化铟（InP）基板的产能较2025年度提升7至10倍，并同步向客户提出涨价要求。Omdia、Yole报告显示，2025年全球磷化铟衬底总需求约200万至210万片，全球有效合规产能仅60万至70万片，供需缺口超70%；同时，Yole预测2026年全球需求飙升至260万至300万片，有效产能仅提升至75万片左右，缺口仍在70%以上。据印度调查公司Straits Research预测，2034年InP基板市场规模将达5.07亿美元，为2025年的2.7倍。 具体措施包括：在原有的矶原工厂（茨城县北茨城市）基础上，于常陆那珂地区（茨城县常陆那珂市）追加增产基地。包含此前已公布的投资计划，JX金属在InP基板事业上的总投资规模将达到约1500亿日元，目标是将产能扩增至现行（2025年度）的7至10倍。（来源：芯智讯） SK海力士宣布交付12层堆叠HBM4E样品 6月18日，存储芯片大厂SK海力士宣布，凭借长期累积的HBM领先开发能力与量产经验，已成功向主要客户提供12层堆叠HBM4E样品。SK海力士表示，公司将与主要客户密切合作，确保产品能如期进入量产阶段。SK海力士此次推出的新产品相较前一代HBM4，在性能与能效方面均有显著提升。HBM4E的引脚（Pin）传输速率最高可达16Gbps，能源效率则提高超过20%，大幅提升AI训练与推理所需的数据处理能力。 此外，HBM4E透过新一代接口与设计优化，有效降低数据传输延迟，即使在高带宽环境下也能维持稳定运作。公司预期，该产品将进一步提升下一代AI数据中心与大规模运算系统的处理效率。（来源：芯智讯） 通富微电澄清NPO封测订单传闻 6月22日，通富微电（002156）在投资者互动平台针对市场流传的NPO封测业务传闻作出官方回应，明确表示公司目前暂无相关业务，相关市场传言与实际经营情况不符。 此前有投资者在互动平台提出问询，市场传闻称，通富微电旗下子公司通富超威槟城已斩获NPO产品封测订单，单颗NPO产品价值量可达70至80美元。市场测算数据显示，若按照2027年行业NPO产品出货预期推算，该笔业务可给公司带来30亿元增量光模块相关收入，更有观点预判，到2028年公司光模块业务营收规模有望突破百亿元，投资者就此向公司求证消息真伪。（来源：集微网） 华虹宏力40nm超低功耗工艺量产 6月21日，行业调研信息显示，国内特色晶圆代工龙头华虹宏力迎来技术与产能双重突破，40nm超低功耗特色工艺现已实现稳定量产，无锡12英寸产线持续推进产能爬坡，产品结构持续优化，有效拉动企业经营业绩稳步上行。 业内分析认为，后续相关产能整合工作有望在年内落地，进一步扩充公司12英寸高端成熟制程产能。依托40nm超低功耗新工艺与持续释放的12英寸晶圆产能，公司有望持续收获边缘智能、工业控制赛道增量订单，行业需求景气周期下，企业营收与盈利规模具备稳步上行的基础。（来源：集微网） 高端电感，涨价150% 据行业人士透露，当前电感市场两极分化态势显著。A