本土功率及SiC龙头拥抱光总投资200亿布局DRMOS硅光锗硅工艺平

6.11公司公告拟总投资约200亿元，建设月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，公司持股25.1%。 主要工艺平台和产品：——#55nm硅光芯片平台、#55nmSiGe 跨阻放大器和激光驱动芯片平台，形成“硅光+配套电芯片”协同，可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。 本土功率及SiC龙头拥抱“光”，#总投资200亿布局DRMOS、硅光、锗硅工艺平台 6.11公司公告拟总投资约200亿元，建设月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，公司持股25.1%。 主要工艺平台和产品：——#55nm硅光芯片平台、#55nmSiGe 跨阻放大器和激光驱动芯片平台，形成“硅光+配套电芯片”协同，可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。 ——90nm数模混合芯片平台（BCD），包括 ——55～28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台 #26H2公司将迎来基本面拐点，#全年实现扭亏。 我们预计公司26年有望实现过100亿营收，全年实现扭亏，后续随公司业务规模快速扩张叠加持续退出折旧高峰，有望逐步实现有厚度盈利。 我们看好公司作为国内功率及SiC器件绝对龙头布局光通信打开新增曲线，且公司基本面拐点在即（26H2起单季度盈利），#关注“光”和“AI电源”的新叙事带来公司估值提升空间。