评级日报 -20260528

2026/05/28 16:25 在800VDC架构下，SiC主要用于高压整流、DC/DC转换、固态保护器件等环节，Wolfspeed进一步给出800VDC母线需要1200V SiC MOSFET支撑AC-DC和DC-DC转换，并可带来25%-40%的转换损耗下降。 【本文来自持牌证券机构，不代表平台观点，请独立判断和决策】 公司碳化硅衬底整体市场份额及8英寸产品市场份额均位居全球第一，已拥有8英寸量产能力和12英寸产品首发优势，目前形成导电型衬底、半绝缘型衬底及光学级衬底三条主线。 1、25年公司碳化硅衬底整体市场份额及8英寸产品市场份额均位居全球第一，已拥有8英寸量产能力和12英寸产品首发优势；大尺寸升级带来单片价值量提升，行业竞争已从“能否做出样品”进入“谁能稳定规模化交付”阶段，龙头集中度持续提升；26年随着技改带来良率提升和价格回升，毛利率有望快速上涨，进入新成长区间。 2、NVIDIA已提出面向下一代AIFactory的800VDC架构，目标支持27年开始的1MW级及以上机柜功率密度；在这一架构下，SiC主要用于高压整流、DC/DC转换、固态保护器件等环节，Wolfspeed进一步给出800VDC母线需要1200V SiC MOSFET支撑AC-DC和DC-DC转换，并可带来25%-40%的转换损耗下降；另外，HVDC尤其是VSC-HVDC具备异步联网、远距离输电、海上风电接入和灵活潮流控制能力，若电网侧高压SiC器件从示范走向规模应用，3.3kV、6.5kV、10kV及以上SiC器件将打开中高压功率半导体增量空间。 3、SST是SiC进入中压配电和AI数据中心供电架构的关键载体；Wolfspeed白皮书指出，数据中心中压变压器交付周期已可拉长至3年，25年数据中心扩建可能导致接近30%的变压器供给缺口，因此SST的价值不仅在效率，还在缩短AI数据中心电力接入周期；若SST从示范项目进入数据中心、充电站、微电网和轨交电源系统，SiC需求将从车规1200V主驱逆变器扩展至中压模块、封装和高可靠衬底体系。 4、Coherent已推出金刚石-SiC复合散热材料，热导率超过800W/m·K，约为铜的2倍，并可匹配硅的热膨胀系数，应用方向包括directto-chip heat spreader、微通道冷板和半导体器件基板；对公司而言，先进封装中介层和高端散热件的核心跟踪指标应包括12英寸/300mm材料一致性、TTV、表面加工能力、与RDL/TSV/混合键合工艺兼容性，以及是否进入AI芯片或封装厂客户验证。 研报来源： 1、东北证券，李玖，S0550522030001，天岳先进：全球碳化硅衬底龙头，充分受益市场新需求。2026年5月26日 2、长江证券，肖勇，S0490516080003，昊华能源：“昊”然成风，“华”实并举。2026年5月28日 3、广发证券，刘雪峰，S0260514030002，星环科技：认知数据库云版本发布在即，有望搭上主流AI流量快车。2026年5月25日 *免责声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议 *风险提示：股市有风险，入市需谨慎 本资讯中的内容来自持牌证券机构，意见仅供参考，并不构成对所述证券买卖做出保证。投资者不应将本资讯作为投资决策的唯一参考因素。亦不应以本资讯取代自己的判断。 本文内容和观点不代表选股通APP平台观点，请独立判断和决策。在任何情况下，选股通APP不对任何人因使用本平台中的内容所引致的任何损失负任何责任。