- 英飞凌发布第二波涨价函,预期7月1日开始实施,称产品组合需求急剧增长,范围远超预期。公司今年2月已发布一轮涨价函(4月1日生效),此次更是直接将“直接写在了涨价函上”。本轮功率器件涨价已不仅是成本传导,而是高景气度、高供需紧俏背景下带来的定价权转移和强通胀紧缺环节。
- 此外,台积电计划下半年上调3nm制程报价,其在产能结构调整下仍短缺紧张,功率代工产能供给的关键词为CAPEX纪律&结构调整。
- 需求端,HVDC&SST带来功率器件用量提升和结构升级:除此前观点外,HVDC和SST对SiC MOSFET的产品应用升级亦值得关注。HVDC对应的功率器件价值量可能达到10倍以上,SiC MOSFET作为宽禁半导体具有更高效率、功率密度、散热和可靠性,是首选。
- 新洁能:公司第2代和第2.5代SiC MOSFET平台已全面进入量产(电压段覆盖650V-1700V),第三代SiC MOSFET已进入可靠性测试。公司在SiC器件领域的布局值得期待。
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