长江电新金博股份AIN更新产能投放在即打破卡脖子环节1

1、公司将于2026年6月份建成年产500吨高导热氮化铝粉体的示范生产线。 2、氮化铝(AIN)陶瓷因卓越的高导热、低热膨胀、高绝缘及优良的力学性能，是解决大功率半导体器件、先进封装、高密度集成系统散热瓶颈的核心材料。 3、高品质AIN粉体的制备技术被国外垄断，是我国高端制造业发展的“卡脖子”环 1、公司将于2026年6月份建成年产500吨高导热氮化铝粉体的示范生产线。 2、氮化铝(AIN)陶瓷因卓越的高导热、低热膨胀、高绝缘及优良的力学性能，是解决大功率半导体器件、先进封装、高密度集成系统散热瓶颈的核心材料。 3、高品质AIN粉体的制备技术被国外垄断，是我国高端制造业发展的“卡脖子”环节。 “十五五”规划中明确将先进材料列为关键核心技术攻关的六大领域之一，要求加强基础研究和原始创新。 4、围绕高导热氮化铝材料的关键性能指标，金博股份在材料体系、装备能力与工艺控制方面实现了系统性突破。 #核心技术突破：通过氧杂质精准调控技术，实现氧含量稳定控制在0.75%以下。 基于此技术制备的氮化铝陶瓷基板，经测试热导率突破230 W/(m·K)，达到国际同类材料先进水平。 #核心装备突破：自主研发碳热还原反应装置，优化炉内温度场分布与气氛控制系统，实现反应温度±5℃精密控制及气氛动态调节，保障材料性能稳定输出。 #核心工艺突破：建立全流程工艺参数耦合优化模型，实现从原料粒径分布、碳铝摩尔比到烧结制度的系统化控制，提升产品一致性与可规模化能力。