- 公司计划于2026年6月建成年产500吨高导热氮化铝粉体的示范生产线。
- 氮化铝(AIN)陶瓷因其高导热、低热膨胀、高绝缘及优良力学性能,是解决大功率半导体器件、先进封装等散热瓶颈的核心材料,但高品质AIN粉体制备技术长期被国外垄断,成为我国高端制造业发展的“卡脖子”环节。“十五五”规划已将先进材料列为关键核心技术攻关领域。
- 金博股份通过系统性突破,掌握了高导热氮化铝材料的制备技术:
- 氧杂质精准调控技术:氧含量稳定控制在0.75%以下,使氮化铝陶瓷基板热导率突破230 W/(m·K),达到国际先进水平;
- 自主研发碳热还原反应装置:实现反应温度±5℃精密控制及气氛动态调节,保障材料性能稳定;
- 全流程工艺参数耦合优化模型:系统化控制原料粒径分布、碳铝摩尔比及烧结制度,提升产品一致性与规模化能力。