乘AI东风，碳化硅行业迎新催化

核心观点

• SiC材料优势: SiC材料具备高禁带宽度、高饱和电子漂移速率、高热导率和高压击穿场强等特性，使其成为高温、高频、高压场景下的理想选择，适用于车用电驱、光伏逆变、电网变换、AI数据中心等领域。
• AI数据中心电源方案升级: AI机柜功率密度持续飙升，传统低压供电方案已达物理极限，800V HVDC高压直流架构成为下一代AI数据中心的必然选择。SiC功率器件因其高耐压、高效率和高温可靠性等优势，在800V HVDC方案中不可或缺。
• SiC在封装领域的应用: AI芯片功率密度提升，对封装技术提出更高要求。SiC材料的高热导率、高刚性和低热膨胀系数，使其在超高功率密度的封装场景中具备优势，有望在高端芯片封装领域得到应用。
• SiC在智能眼镜光学系统的应用: 碳化硅凭借其超高折射率、高热导率与高硬度的特性，在衍射光波导技术路线上实现了代际突破，有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案之一，并可与Micro-LED显示系统良好兼容。

关键数据

• SiC的临界击穿场强约为3MV/cm，为Si的10倍。
• SiC的热导率约为Si的三倍。
• SiC的折射率在550nm可见光波段达到2.6，远高于光学玻璃、蓝宝石、光学树脂。
• 英伟达计划于2027年实现800V HVDC架构的规模化商用。

研究结论

• SiC材料在AI数据中心、智能眼镜等领域具有广阔的应用前景，相关产业链企业有望受益。
• 建议关注天岳先进、蓝特光学、芯联集成、中瓷电子、龙旗科技、晶盛机电、晶升股份等企业。