乘AI东风，碳化硅行业迎新催化

2026年04月26日 电子 证券研究报告 乘AI东风，碳化硅行业迎新催化 投资评级领先大市-A维持评级 AIDC供电走向800V HVDC技术架构，SiC功率器件迎来新增量： AI机柜功率密度持续飙升，传统低压供电已达物理极限，800V HVDC高压直流架构是下一代AI数据中心的必然选择。英伟达2025年5月官方宣布，数据中心正从当前的54V机架供电向800V HVDC高压直流架构过渡，目标是2027年实现该架构的规模化商用，以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。随着AI服务器功耗上行与机柜功率密度提升，对开关器件的耐压、效率与热管理提出更高要求，SiC功率器件在高压高频场景下具备更强适配性，需求有望随800V HVDC方案推进而扩大。 首选股票目标价（元）评级 SiC的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势： CoWoS等先进封装已成为GPU+HBM高带宽互连的重要路径，但更高TDP与更大互连跨度使热点温升、CTE失配与可靠性问题凸显。SiC的“高热导率+高刚性+高耐温”特性，在超高功率密度的封装场景中有显著优势。在COWOS中介层应用中，SiC热导率显著高于硅，且具有高硬度与低热膨胀系数，有助于降低热点温度、抑制翘曲。作为散热基座时，SiC可缩短热扩散路径，提升整体散热与机械稳定性。在功率器件协同路径中，SiC器件的高耐压、高效率与高温可靠性可用于近封装电源管理场景，以提升供电效率。随着AI芯片功率密度越来越高，SiC从散热基座到中介层的应用有望在高端芯片封装领域中开始渗透。 资料来源：Wind资讯 马良分析师SAC执业证书编号：S1450518060001maliang2@essence.com.cn 朱思分析师SAC执业证书编号：S1450523090002zhusi1@essence.com.cn SiC+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主流方案： 终端形态向“眼镜化”演进，光学系统对折射率、厚度、杂散光控制与环境稳定性要求显著提升；显示侧对高亮度与散热提出更严苛的要求。传统玻璃与树脂基材已逼近物理性能极限，难以满足下一代智能眼镜的核心体验要求。相比之下，碳化硅（SiC）凭借其超高折射率、高热导率与高硬度的独特材料特性，在衍射光波导技术路线上实现了代际突破，有望成为AI智能眼镜光学系统升级的主流方向。Meta在其Orion AI眼镜旗舰原型机中，正式采用碳化硅基光波导架构。 相关报告 OFC光通信大会新品齐发，MLCC/高阶铜箔涨价持续2026-03-21英伟达GTC大会即将举行，应用材料联手SK海力士与美光2026-03-14MicroLED CPO方案持续推进，英伟达加码光互联2026-03-07国产算力崛起：内外双轮驱动下的自主生态突围2026-03-04载板涨价趋势持续，英伟达FY26Q4业绩超预期2026-02-28 投资建议：建议关注天岳先进、蓝特光学、芯联集成、中瓷电子、龙旗科技、晶盛机电、晶升股份等 风险提示：AI落地进展不及预期；产品研发不及预期；市场开拓不及预期。 内容目录 1.碳化硅材料具备卓越的物理特性，是高温、高频、高压场景下的理想选择...........42.AI数据中心电源方案往800V HVDC架升级，碳化硅器件迎新需求..................52.1. 800V HVDC规模化验证提速，2027年成放量拐点..........................52.2.碳化硅以其卓越的物理特性，在800V HVDC中获得应用......................63.碳化硅的高导热特性，在超高功率密度的封装场景中具备优势....................104.碳化硅+光波导有望成为下一代智能眼镜光学系统主要方案之一...................135.相关企业..................................................................175.1.天岳先进............................................................175.2.蓝特光学............................................................185.3.芯联集成............................................................195.4.中瓷电子............................................................205.5.龙旗科技............................................................215.6.晶盛机电............................................................225.7.晶升股份............................................................226.风险提示..................................................................23 图表目录 图1.从415伏交流过渡到800伏直流配电........................................5图2.NVIDIA 800 V HVDC架构可更大限度地减少能源转换..........................6图3.2021—2026年欧盟电力变化的预估驱动因素..................................6图4.Sic MOSFET的平面结构（左）和沟槽结构（右）..............................7图5.SiC MOSFET与Si IGBT的开通开关损耗......................................7图6.SiC MOSFET与Si IGBT的关断开关损耗......................................7图7.Ta=25℃（常温）下的导通特性对比.........................................9图8.Ta=150℃（高温）下的导通特性对比........................................9图9.CoWoS典型堆栈结构......................................................10图10.CoWoS在实际封测生态中的上下游企业.....................................10图11.CoWoS与CoWoP封装结构对比............................................11图12.CoWoS、CoPoS、CoWoP封装结构对比.......................................11图13.不同温度热处理的SiC复合材料微观组织及热导率..........................11图14.台积电CoWoS封装技术路线..............................................12图15.英伟达A100 GPU CoWoS封装.............................................12图16.SiC波导技术在AR显示中的视觉效果......................................13图17.量产SiC波导晶圆、纳米光栅与镜片实物..................................13图18.SiC与其他材料折射对比结构图...........................................14图19.全色彩AR光波导镜片示意图.............................................15图20.天科合达碳化硅衬底产品矩阵............................................16图21.天岳先进半绝缘型SiC衬底产品及基本信息................................16图22.Meta推出搭载Micro LED+光波导的Orion AI眼镜..........................16图23.Micro-LED显示模组实物图与阵列展示....................................17图24.Micro-LED生产流程与模块形成示意......................................17图25.天岳先进营收及同比增速(单位:万元)....................................18图26.天岳先进归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................18图27.蓝特光学营收及同比增速(单位:万元)....................................19 图28.蓝特光学归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................19图29.芯联集成营收及同比增速(单位:万元)....................................20图30.芯联集成归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................20图31.中瓷电子营收及同比增速(单位:万元)....................................21图32.中瓷电子归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................21图33.龙旗科技营收及同比增速(单位:万元)....................................21图34.龙旗科技归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................21图35.晶盛机电营收及同比增速(单位:万元)....................................22图36.晶盛机电归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................22图37.晶升股份营收及同比增速(单位:万元)....................................23图38.晶升股份归母净利润及同比增速(单位:万元)..............................23 表1：Si和主要宽带隙半导体的物理特性.........................................4表2：SiC MOSFET与IGBT关键参数对比..........................................8 1.碳化硅材料具备卓越的物理特性，是高温、高频、高压场景下的理想选择 碳化硅（SiC）属于宽禁带半导体材料，核心优势体现在更高耐压、更低损耗与更强热管理能力，使其在高压、高频、高温场景下具备系统级效率优势。 高禁带宽度：SiC接近Si的三倍，高禁带宽度特性降低了本征载流子浓度，使器件高温漏电流更小，可允许器件在更高温度下稳定工作，有望实现200℃以上的工作温度。 高饱和电子漂移速率：SiC载流子可更快漂移，有利于提高器件开关速度。此外，SiC对P型/N型掺杂的控制范围广，与硅相当，可满足器件制造的