核心观点
- 存储器行业处于强劲上行周期： 研究报告认为，全球存储行业正经历本世纪以来最强一轮上行周期，DRAM和NAND供不应求程度强于之前周期，价格至少在2027年之前继续保持高位。
- SK海力士是最大受益者之一： 凭借HBM业务上的先发技术优势，以及传统DRAM和NAND技术/产能的追赶，SK海力士被认为是本轮上行周期的最大受益者之一。
- HBM竞争优势持续： AI加速器需求持续上升和数据中心周期性设备更新是驱动HBM和传统DRAM需求上升的主要动力。SK海力士在HBM技术上凭借先发优势在良率和性能上或继续领先，预测2026年HBM市占率或为52%。
- DRAM技术领先： SK海力士DRAM技术在1b制程之后或开始反超三星电子，随着1c制程上线和M15X工厂投产上量，预测公司2026年DRAM（含HBM）比特产能同比上升22%。
- NAND需求强劲： 英伟达Vera Rubin提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU NAND配置需求，为驱动数据中心NAND需求上涨的重要因素。
- SK海力士NAND策略： 公司NAND业务策略为利润率导向，而市场主要NAND供应商产能扩张总体理性克制。
- 首次覆盖，买入评级： 报告首次覆盖SK海力士，给予买入评级，目标价130万韩元。
- 估值方法： 采用周期平均市盈率估值法和市净率估值法，结合公司盈利能力和行业地位，得到目标价130万韩元。
- 股价催化剂： AI基建需求持续上升、内存产品技术进步、AI基建以外需求坚挺、长期协议成为行业统一采购协议模式等因素将推动SK海力士股价持续上行。
关键数据
- 营收预测： 预测SK海力士2026年营收242.0万亿韩元，同比增长149%；2027年312.3万亿韩元，同比增长29%；2028年403.0万亿韩元，同比增长29%。
- EPS预测： 预测SK海力士2026/27/28年稀释后EPS分别为19.9/26.5/34.2万韩元。
- DRAM市场： 预测2026/27年全球DRAM需求分别为44.2/52.2EB，2025-27年CAGR为16.8%；DRAM ASP预测2026/27/28年分别为1.17/1.33/1.47美元/Gb。
- HBM市场： 预测2026/27/28年HBM出货量分别为17.4/22.5/29.4Eb，ASP分别为1.71/1.79/1.86美元/Gb。
- NAND市场： 预测2026/27/28年NAND产品或分别交付222.1/243.7/297.5EB，ASP分别为0.18/0.20/0.21美元/GB。
研究结论
- SK海力士凭借其在HBM和DRAM技术上的优势，以及NAND业务的稳健策略，将在本轮存储器行业上行周期中持续受益。
- 公司股价主要受产业趋势驱动，预计将继续保持强劲表现。
- 报告提示投资者存储器行业的周期属性，股价存在波动风险。
- SK海力士价格相对于全球可比公司存在折扣，未来有提升空间。
