计算机行业研究：SiC有望进入产业放量期

CoWoS先进封装演进与技术瓶颈解决方案分析

1. CoWoS技术演进方向

• TSMC确立下一代CoWoS以大尺寸、高HBM堆叠、高热流密度为核心演进方向
• 2026年推出5.5倍光罩尺寸过渡版本，2027年实现9.5倍光罩尺寸规模化量产
• 单封装有效面积接近8,000mm²，支持4颗3D堆叠芯片、12层HBM与多逻辑芯片集成
• 同步推出SoW-X晶圆级系统集成方案，计算能力提升40倍，计划2027年量产
• 与NVIDIA下一代AI芯片规划高度契合，印证大尺寸、高带宽、高功耗密度成为核心竞争维度

2. 技术瓶颈转向

• CoWoS瓶颈从产能约束转向热管理与翘曲控制
• 110×110mm² CoWoS-R方案集成4颗SoC+12颗HBM，但翘曲控制成为紧迫挑战
• 超大尺寸封装下芯片、中介层与基板CTE失配加剧，易引发翘曲、开路、锡球破裂等问题
• 高端AI封装单颗芯片损坏即整颗报废，良率波动带来显著成本损失
• 竞争逻辑从性能指标比拼转向系统级解决方案竞争，低热阻材料、低翘曲基板等环节受益

3. SiC材料解决方案

• SiC具备高热导率(370-490W/m·K)、高刚性、CTE与硅芯片高度匹配的特性
• 可作为热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入CoWoS，构建低热阻、高刚性结构
• 在数千瓦级功耗、局部热点超150℃场景中，SiC可快速均化热量、抑制翘曲形变
• SiC导入位置为热界面材料周边，不影响主互连链路，直接缓解热阻与翘曲耦合问题

4. 相关标的

• SiC衬底及设备标的：天岳先进、晶升股份、宇晶股份、扬杰科技、华润微、三安光电等

5. 风险提示

• SiC导入进度不及预期的风险
• SiC材料成本偏高、规模化应用受限的风险
• 先进封装技术路线变更风险
• SiC在封装环节良率与可靠性验证不及预期的风险