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SiC材料是高压、高频场景的高性能材料，具有耐高温、易散热、低损耗和可实现更高工作频率等特性，适用于高频率开关、650V-3.3kV高压场景。全球SiC功率器件市场规模将从2019年的5.4亿美元增加至2025年的25.6亿美元，CAGR为30%，中国SiC、GaN电力电子器件市场规模CAGR为45%。SiC市场进入风口期，SiC晶圆制造难度较大，全球SiC晶圆供给紧张，中国正在加大投资力度缩小与国外差距。SiC行业技术壁垒较高，衬底成本在SiC器件制造成本中占比较高，目前PVT为主流晶体生长法，工艺难点包括生长环境苛刻、生长速度慢和SiC存在加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。
