天风电子存储价格中枢上移驱动利润修复关注国产模组位阶进阶核心观点

1价格端：原厂议价能力增强，合约价补涨动能充足• 原厂推涨：三星计划Q2大幅上调NAND Flash报价，“利润收复”的确定性意图。 • 大缺货持续：受AI算力需求驱动，HBM对常规DRAM产能的挤压效应持续显现（产能消耗约为普通DRAM的3倍以上），直接推 【天风电子】存储：价格中枢上移驱动利润修复，关注国产模组位阶进阶核心观点：涨价延续，板块进入盈利质量验证期 1价格端：原厂议价能力增强，合约价补涨动能充足• 原厂推涨：三星计划Q2大幅上调NAND Flash报价，“利润收复”的确定性意图。 • 大缺货持续：受AI算力需求驱动，HBM对常规DRAM产能的挤压效应持续显现（产能消耗约为普通DRAM的3倍以上），直接推升DDR5及服务器存储产品的全年价格水位。 • 现货与合约共振：现货价格节后持续走高，Q2合约价预期涨幅具备超预期空间。 • 标杆效应：参考威刚等模组厂净利率水平，在当前低价库存与高价销售的“剪刀差”环境下，产业链中游正迎来显著的业绩增厚。 • 增长信心：德明利最新股权激励计划给出了明确的营收增长底线，反映出核心标的对存储大周期持续性的底层信心。 3逻辑端：国产模组进入旗舰机主链路，企业级存储收入提升• 产品位阶提升：国产模组厂（江波龙、佰维等）加速渗透头部品牌的旗舰机型供应链，产品结构由中低端向高端持续进阶。 • 企业级存储：企业级存储相关固态硬盘+内存条收入近年倍增，卡位AI产业链。 本周重要催化：•美光财报（3.19）：关注其对下一季度指引的修整及资本开支变化。 • NVIDIA GTC：关注LPU及高性能存储方案对产业链的技术拉动。