美国限制措施使中国长鑫存储受阻低良率制约DRAM增长1

1、产能现状与扩张受限作为中国存储器布局领军企业的长鑫存储科技（CXMT），其DRAM 产能据称已在去年第四季度达到峰值并触及天花板。 在美国预计将收紧出口管制、中国政府全力推动半导体设备国产化的背景下，业界普遍认为，受先进半导体设备限制影响，新增产能扩张将受到制约。 根据市场研究机构Om 美国限制措施使中国长鑫存储受阻，低良率制约DRAM增长 1、产能现状与扩张受限作为中国存储器布局领军企业的长鑫存储科技（CXMT），其DRAM 产能据称已在去年第四季度达到峰值并触及天花板。 在美国预计将收紧出口管制、中国政府全力推动半导体设备国产化的背景下，业界普遍认为，受先进半导体设备限制影响，新增产能扩张将受到制约。 业内核心人士表示，在自2024年以来持续扩张产能之后，CXMT预计今年全年将处于低迷状态。 按年计算，去年三星电子的D-RAM产能约为760万片晶圆，SK海力士为597万片，美光为360万片。 CXMT去年将晶圆产量较上一年翻了一番以扩大规模，但其扩张步伐预计将从今年开始放缓。 2、港股投资价值解析LS证券分析师车永浩表示：“CXMT 的产能扩张正受到美国出口管制收紧的制约。 中国对此已有所认识，第三期投资基金正集中投向半导体设备领域。 ” 他还补充道：“如果中国明年成功实现设备国产化，CXMT有望自2027年起恢复扩张，包括其上海新工厂在内。 ”3 、生产良率成为掣肘然而，CXMT的D-RAM 生产良率成为其发展的掣肘。 尽管通过激进的设施投资不断扩大产能规模，但据称其实际产出并未达到预期。 原因在于低良率导致已安装产能与实际产量之间出现差距。 虽然名义晶圆产能较高，但由于产品缺陷等因素，实际出货占比可能更低。 根据市场研究机构Counterpoint Research的数据，截至2024年，CXMT主力的1x（第一代10纳米级）D-RAM制程，其生产良率较三星电子、SK海力士等三大存储厂商的1a（第四代10纳米级）制程低42%。 对于三星电子和SK海力士而言，1a制程已被归类为成熟节点，而CXMT仍徘徊在约**50%**的良率水平。 4、额外限制与挑战 也有观点认为，由于美国政府预计将收紧对中国半导体设备企业的限制，增长可能会受到阻碍。 上个月，路透社报道称有观点认为，由于美国政府预计将收紧对中国半导体设备企业的限制，增长可能会受到阻碍。 上个月，路透社报道称，美国共和党和民主党议员提出了一项法案，禁止获得《芯片法案》补贴的企业在未来10年内购买中国制造的设备。 一位半导体行业人士表示：“与NAND闪存不同，在D-RAM领域，由于设计和工艺的复杂性，CXMT要采用可与三星电子或SK海力士相媲美的先进制程，将需要相当长的时间。 ” 他还补充道：“当进入1a纳米级的早期阶段时，对极紫外（EUV）光刻机等先进设备的需求会增加，但由于美国的管制，获取这类关键设备十分困难。