美国限制措施使中国长鑫存储受阻低良率制约DRAM增长1

产能现状与扩张受限
长鑫存储科技（CXMT）的DRAM产能已于去年第四季度达到峰值，并受限于美国出口管制及中国半导体设备国产化进程，新增产能扩张面临制约。自2024年以来，CXMT的产能扩张步伐预计放缓，预计今年全年处于低迷状态。

港股投资价值解析
LS证券分析师车永浩指出，美国出口管制收紧制约CXMT的产能扩张，但中国正通过第三期投资基金集中投入半导体设备领域。若中国明年成功实现设备国产化，CXMT有望自2027年起恢复扩张，包括上海新工厂在内。

生产良率成为掣肘
尽管CXMT通过设施投资扩大产能，但实际产出未达预期，主要因低良率导致名义产能与实际产量存在差距。根据Counterpoint Research数据，截至2024年，CXMT的1x（第一代10纳米级）D-RAM良率较三星电子、SK海力士的1a（第四代10纳米级）制程低42%，仍徘徊在约50%的水平。

额外限制与挑战
美国政府预计将收紧对中国半导体设备企业的限制，进一步阻碍CXMT的增长。路透社报道显示，美国议员提出法案禁止获得《芯片法案》补贴的企业购买中国设备。半导体行业人士表示，CXMT要采用与三星电子或SK海力士相媲美的先进制程（如1a纳米级），需较长时间，且因美国管制，获取EUV光刻机等关键设备困难。