中信通信薄膜铌酸锂单波400G必选项受益32TCPO关注安孚天通

薄膜铌酸锂（TFLN）是单波400G的关键技术，因其超高电光系数和110GHz+带宽（实验室260Gbaud）成为唯一具备工程可行性的“性能引擎”。单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。

“硅光+薄膜铌酸锂”异质集成方案是3.2T光模块的必选项，实现“硅光控成本、铌酸锂提性能”的效果。预计CPO和OIO场景也将大量使用TFLN。中国薄膜铌酸锂产业链完整，中国厂商具有显著优势。

实现异质集成的方法：将TFLN切片后，采用Die to Wafer或Wafer to Wafer工艺键合至SOI晶圆，形成晶圆级异质集成高速调制器芯片，用于3.2T和CPO。本质是用TFLN制作高性能调制器替代硅光芯片中的调制器功能，并与硅光无源器件集成。硅光部分负责光路由、分束、耦合等无源功能，TFLN部分作为“调制功能核”嵌入关键节点。

安孚科技：持有易缆微，全球首发单波400G异质集成芯片完成三方测试并送样北美头部客户；达产产能50万颗/年的硅光异质集成中试生产线已通线。核心技术是硅光异质集成薄膜铌酸锂调制器+硅光芯片设计。已与Coherent深度合作，预计单个3.2T模块的异质集成调制器单价可达200美金，单价高且空间大。主业南孚电池预计10亿利润，光通信业务有望再值200亿市值。

天通股份：薄膜铌酸锂晶片国内份额超50%，是安孚等公司的上游。单个光模块对应产品价值量几百人民币，净利率超40%。下游与旭创合作。