中信通信薄膜铌酸锂单波400G必选项受益32TCPO关注安孚天通

为什么薄膜铌酸锂是单波400G的必选项？ 目前，单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。 薄膜铌酸锂（TFLN），凭借超高电光系数与实测110GHz+带宽（实验室已达260Gbaud），成为实现单波400G唯一具备工程可行性的“性能引擎”。 “硅光+薄膜铌酸锂”异质集成方案是3 【中信通信】薄膜铌酸锂：单波400G必选项，受益3.2T+CPO，关注安孚+天通！ 为什么薄膜铌酸锂是单波400G的必选项？ 目前，单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。 薄膜铌酸锂（TFLN），凭借超高电光系数与实测110GHz+带宽（实验室已达260Gbaud），成为实现单波400G唯一具备工程可行性的“性能引擎”。 “硅光+薄膜铌酸锂”异质集成方案是3.2T光模块必选项！实现“硅光控成本、铌酸锂提性能”的效果。 预计CPO和OIO场景，薄膜铌酸锂也会大量使用。 此外，中国薄膜铌酸锂产业链很完整（磷化铟产业主要在美日），中国厂商天生优势显著。 怎么实现“硅光+薄膜铌酸锂”异质集成？ 将薄膜铌酸锂切片后，采用Die to Wafer（或Wafer to Wafer）工艺，通过异质集成技术键合至制备完成的SOI晶圆上，实现晶圆级异质集成高速调制器芯片的量产。 过程涉及键合、光刻、刻蚀等，最后组成硅光和薄膜铌酸锂异质集成芯片，用于3.2T和CPO。 本质上：用TFLN制作高性能调制器，替代硅光芯片中原有调制器功能，并与硅光无源器件集成。 硅光部分：承担光路由、分束、耦合等无源功能（发挥CMOS工艺成熟、成本低优势）TFLN部分：作为“调制功能核”，嵌入光路关键节点（发挥超高带宽、低功耗优势） 安孚科技：持股易缆微——25年Q2，全球首发单波400Gbps异质集成芯片完成三方测试，并已成功送样北美头部客户；25年Q3，达产产能年产50万颗芯片的硅光异质集成中试生产线正式通线。 核心技术是硅光异质集成薄膜铌酸锂调制器+硅光芯片设计。 目前已和coherent等深度合作，预计公司用于单个3.2T模块的异质集成调制器单价可达200美金，单价高且空间大（此外，公司主业南孚电池预计10亿利润，值200亿市值。 主业扎实，光通信业务有望再值200亿市值）。 天通股份：公司薄膜铌酸锂晶片国内份额超50%，是安孚等公司的上游。 单个光模块对应产品价值量小几百人民币，净利率可超40%。 公司下游与旭创合作。