高盛存储价格追踪核心结论2026年第一季度所有主要应

核心结论：2026年第一季度所有主要应用领域的DRAM价格预测及常规DRAM整体价格预测均再次大幅上调，移动端NAND价格走势基本符合高盛预期，重申对三星电子（SEC）和SK海力士（Hynix）的“买入”评级。 DRAM价格预测（2026年第一季度/第二季度）常规DRAM 2026年第一季度常规DRAM价格预 高盛-存储价格追踪 核心结论：2026年第一季度所有主要应用领域的DRAM价格预测及常规DRAM整体价格预测均再次大幅上调，移动端NAND价格走势基本符合高盛预期，重申对三星电子（SEC）和SK海力士（Hynix）的“买入”评级。 DRAM价格预测（2026年第一季度/第二季度）常规DRAM 2026年第一季度常规DRAM价格预计环比上涨90-95%（2025年第四季度环比上涨45-50%）。 这一预测高于高盛此前对三星电子和SK海力士1Q26环比上涨77-82%的预期，而高盛原预期已高于市场共识。 PC DRAM 2026年第一季度/第二季度PC DRAM价格预测为环比上涨105-110%/20-25% ，意味着高盛的预测仍有潜在上行空间（原预测已高于市场共识）。 1月份DDR4 8GB模组价格环比上涨83%至85美元，DDR5 8GB模组价格环比上涨90%至75美元。 DDR5相对于DDR4的价格折价收窄至12%（12月份为折价15%）。 鉴于部分谈判1月才达成，且供应商库存持续紧张，本季度余下时间价格仍有进一步上涨可能。 TrendForce已将2026年第一季度PC DRAM合约价预测上调至环比增长105-110%，维持第二季度环比增长20-25%的预测，高于高盛对三星和海力士的预测（+80-90%/+10-15%）。 服务器DRAM 2026年第一季度/第二季度服务器DRAM价格预测为环比上涨88-93%/20-25% ，高于高盛预期。 1月DDR4 64GB模块价格环比上涨65%至738美元，DDR5 64GB模块价格环比上涨58%至807美元。 DDR5较DDR4的价格溢价收窄至9%（12月溢价为14%）。 尽管供应商将内存供应从PC /智能手机转向服务器，但供应仍持续受限，北美和中国云服务提供商（CSP）的需求公众号小牛研报纪要未得到满足，供应商议价能力依然强劲。 TrendForce上调1Q26/2Q26服务器DRAM合约价预测至环比增长88-93%/20-25%，略高于高盛预测的75-80%/10-15%。 移动端DRAM（LPDDR5X） 2026年第一季度LPDDR5X价格预测为环比增长88-93%，高于高盛对三星/海力士1Q26环比增长75-80% 的预期。 TrendForce将该预测从之前的+ 45-50%上调，更多加微WUXL3 408原因是服务器客户的强劲内存需求扩大了包括移动端DRAM在内的其他应用供需缺口。 NAND价格预测（2026年第一季度）移动端NAND（eMMC/UFS）合约价格环比上涨55-65%，与高盛对整体NAND价格环比上涨45-70%的预测基本一致。 尽管智能手机/ PC等消费级应用的NAND需求在淡季有所减弱，但eSSD和AI相关存储的强劲需求导致分配给智能手机/ PC客户的额度有限，进而继续推高这些领域定价。