据提供的多份投行研究报告市场对于2026年全球晶圆厂设备WFE市场的趋势普

以下是核心趋势和细分领域的总结： 核心趋势：2026年WFE市场预计持续增长 多家主要投行（高盛、摩根士丹利、伯恩斯坦等）均上调了2026年的WFE支出预测，预计增长率为中高个位数至低双位数，具体预测略有不同 据提供的多份投行研究报告，市场对于2026年全球晶圆厂设备（WFE）市场的趋势普遍持乐观态度，预计将持续增长，主要驱动力来自于人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和存储器的强劲需求。 以下是核心趋势和细分领域的总结： 核心趋势：2026年WFE市场预计持续增长 多家主要投行（高盛、摩根士丹利、伯恩斯坦等）均上调了2026年的WFE支出预测，预计增长率为中高个位数至低双位数，具体预测略有不同： 摩根士丹利：预测2026年WFE市场规模为1290亿美元，同比增长11%，并进一步将2027年增长率上调至13%（达1450亿美元）。 ？ 高盛：上调2026年WFE增长预期至9-11%。 ？ 伯恩斯坦：预测2026年WFE市场规模约1320亿美元，同比增长10%。 主要增长驱动力 人工智能（AI）基础设施支出 AI模型训练和推理需求持续推动超大规模企业（Hyperscalers）增加资本支出，公众号杰柏投研为半导体和设备公司提供结构性顺风。 AI数据中心建设，特别是高端逻辑（Foundry Logic）和高带宽存储器（HBM），是WFE支出的核心动力。 存储器（DRAM与NAND）支出强劲复苏 DRAM：受AI服务器对HBM的旺盛需求驱动，DRAM支出进入“新范式”。 主要制造商（三星、SK海力士、美光、长鑫存储）为满足前所未有的比特增长率（预计2025-2026年达25%），预计将持续进行产能扩张和技术升级，推动WFE支出。 预计DRAM WFE在2026年将实现强劲增长（摩根士丹利预测+17%）。 ？ NAND：支出已从历史低位反弹，升级周期开启。 为满足企业级SSD等增长应用的需求，制造商正将现有低层数NAND产能升级至200层以上QLC架构。 预计2026年NAND WFE将有显著增长（摩根士丹利预测+28%）。 高端逻辑（Foundry Logic）投资 台积电（TSMC）是主要驱动力。 为满足AI/HPC和智能手机对先进制程（如N2、N3）的需求，其资本支出保持高位，并将持续转化为设备订单。 技术向全环绕栅极（GAA）、背面供电（BPD）？ 和沉积（Deposition）？ 等工艺步骤的复杂性和设备强度。 设备类型偏好：刻蚀与沉积设备 由于3D架构（GAA、3D NAND、4F2 DRAM）的普及，对垂直堆叠技术的依赖增加，刻蚀和沉积设备的增长预计将超越整体WFE市场。 因此，在刻蚀和沉积领域占据主导地位的公司（如应用材料、泛林研究）被普遍看好。 中国市场展望：分化与本土化 西方设备商对2026年中国市场持谨慎态度（部分预计其中国营收占比将下降）。 主因是设备本土化率提升（从约21%加速至29%），以及出口管制政策的影响。 然而，整体中国WFE支出预计将保持韧性或温和下降，主要得到本土逻辑（AI GPU）和存储器（长鑫存储、长江存储）产能建设的支撑。 在成熟制程领域，本土设备厂商（如北方华创、中微公司）的市场份额预计将持续增长。 风险与关注点 周期位置：部分报告认为半导体设备行业处于“中周期”，增长势头可能在2026年略有放缓或趋稳。 ？ 地缘政治：对中国的进一步出口管制可能带来下行风险。 需求可持续性：投资者密切关注AI支出的可持续性以及超大规模企业资本支出的长期能见度。 投资建议汇总 普遍看好因刻蚀/沉积比例高而具有结构性优势的头部设备商，如应用材料、泛林研究。 根据各细分市场增长前景和客户结构，对特定公司进行了评级调整（如：上调Teradyne，下调ARM Holdings等）。 对中国市场，关注具有本土化增长逻辑和持续获得市场份额的本土设备供应商。 总结：综合分析，2026年半导体设备市场的核心特征是由AI和HBM驱动的结构性增长，存储器支出强反弹，技术升级带来设备需求的结构性变化（向刻蚀/沉积倾斜），以及中国市场在政策限制下出现的本土化替代机会。 整体趋势积极，但需关注行业周期位置和地缘政治风险。