AI智能总结
北方华创(002371) 股票投资评级 买入 |维持 超高深宽比刻蚀助力 3D NAND 扩产 l投资要点 预计中国大陆 2026 至 2028 年间设备支出将达 940 亿美元。受益于晶圆厂区域化趋势以及数据中心和边缘设备中 AI 芯片需求激增,SEMI 预计 2025 年全球 300mm 晶圆厂设备支出将首次超过1,000 亿美元,增长 7%至 1,070 亿美元;2026 年将增长 9%,达到1,160 亿美元;2027 年增长 4%,达到 1,200 亿美元;2028 年将增长 15%,达到 1,380 亿美元;其中中国大陆预计将继续领先全球300mm 设备支出,2026 至 2028 年间投资总额将达 940 亿美元。全球分领域看,Logic 和 Micro 领域预计将在 2026 至 2028 年间以1,750 亿美元的设备投资总额领先;Memory 领域预计将在三年间以 1,360 亿美元的支出位居第二;Analog 相关领域预计将在未来三年内投资超过 410 亿美元;包括化合物半导体在内的功率相关领域预计将在未来三年间投资 270 亿美元。 公司基本情况 晶体管从平面结构转向 3D 立体结构,以及背面供电的发展,推动半导体设备需求。鳍式场效应晶体管(FinFET)自引入以来,已经成为 20nm 以下制程的标准技术。随着制程技术缩小到 5nm 及以下,FinFET 的短沟道效应加剧,导致制程在进一步微缩时面临严重瓶颈。全环绕栅极(GAA)被认为是解决 FinFET 技术瓶颈的关键,预计从 2nm 节点开始,所有先进芯片设计将全面采用 GAA 技术。环绕栅极场效应晶体管(GAAFET)和互补场效应晶体管(CFET)将显著增加光刻之后制造步骤的重要性,从而削弱光刻在整体工艺中的主导地位。具体来看,新型晶体管设计的核心在于“包裹”栅极结构(GAAFET)或堆叠晶体管组(CFET)。这种三维结构的复杂性对精确刻蚀、薄膜等提出了更高要求。根据 IMM 信息的数据,刻蚀设备在先进制程中的用量占比将从传统 FinFET 时代的 20%上升至 GAA 架构下的 35%,单台设备价值量同比增长 12%。薄膜沉积设备则需要在复杂三维结构上原子级均匀地沉积多层薄膜。随着芯片工艺的不断缩小,互连技术的挑战逐渐超越了晶体管本身的缩小难度。互连层数量的增加、布线设计复杂度的提升以及导线电阻问题,极大限制了性能的提升和功耗的优化。为了解决这些问题,背面供电网络(BSPDN)被提出,背面供电实际应用面临晶圆减薄、键合、光刻对准、应力管理和热管理等诸多挑战,这些挑战不仅涉及新设备的开发,还需要对现有制造流程和设计工具进行彻底改造。 最新收盘价(元)457.46总股本/流通股本(亿股)7.24 / 7.24总市值/流通市值(亿元)3,314 / 3,31252周内最高/最低价468.00 / 318.60资产负债率(%)51.0%市盈率43.27第一大股东北京七星华电科技集团有限责任公司 研究所 分析师:吴文吉SAC 登记编号:S1340523050004Email:wuwenji@cnpsec.com分析师:翟一梦 SAC 登记编号:S1340525040003Email:zhaiyimeng@cnpsec.com 全球内存技术多赛道并行迭代,刻蚀、薄膜设备等需求大涨。当前全球内存技术正处于“多赛道并行迭代”的关键阶段,AI 算力需求与终端设备升级为核心驱动力。从 HBM 以 3D 堆叠技术突破带宽瓶颈、成为 AI 芯片标配,到 CXL 通过架构重构破解“内存 墙”、推动数据中心内存池化;从 HBF 以 NAND 闪存特性填补性能鸿沟、聚焦 AI 推理场景,到 LPDDR 与 GDDR 分别针对移动/车载、图形/AI 推理优化——技术创新已呈现“场景化细分”特征。头部厂商的战略布局也在进一步加剧竞争,未来,随着 JEDEC 标准持续完善(如 HBM4、LPDDR6)与生态协同深化,内存技术将更紧密贴合 AI、数据中心、智能终端的需求,同时推动全球存储产业格局向“技术驱动型”加速演进。随着 3D 堆叠存储的发展,3D NAND目前主流产品已超过 200 层,未来将向 1000 层迈进,DRAM 未来亦向 3DDRAM 发展,对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长,比如 NAND 从 32 层提高到 128 层时,刻蚀设备用量占比从 35%提升至 48%。随着 3D NAND 堆叠层数的增加,每层薄膜厚度要求严苛,ALD 与 CVD 协同工艺成为主流。根据 SEMI,Memory 预计将在三年间以 1,360 亿美元的支出位居第二,其中,DRAM 相关设备投资预计将超过 790 亿美元,3D NAND 投资将达到 560 亿美元。 平台型领军厂商持续受益于下游扩产与国产替代进程,股权激励彰显信心。中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下,在半导体设备的门类、性能和大规模量产能力等方面,国产设备和国外设备相比正在快速缩小差距,发展迅速并已初具规模,中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。根据 Yole,中国大陆有望在 2030 年成为全球最大的半导体晶圆代工中心,预计占全球总装机产能比例将由2024 年的 21%提升至 30%。公司作为国内半导体设备平台型领军厂商,产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节,工艺覆盖度完善,国内份额持续提升,将持续受益于下游扩产与国产替代进程。11 月 22 日,公司披露2025 年股票期权激励计划(草案),有助于促进公司中长期激励机制的健全与完善,提升人才吸引力与团队稳定性。公司拟向激励对象授予 10,465,975 份股票期权,约占本激励计划草案公告时公司股本总额的 1.4446%,激励对象共计 2,306 人,其中,公司董事、高级管理人员 7 人,核心技术人才及管理骨干 2,299 人,假设公司 2025 年 11 月末授予股票期权,2025 年-2030 年期权成本需摊销的总费用约 21 亿。 l投资建议 我们预计公司 2025/2026/2027 年分别实现收入 398/503/613 亿元,归母净利润 61/84/111 亿元,维持“买入”评级。 l风险提示 人力资源风险,供应链风险,技术更新风险,市场需求波动风险,并购整合风险。 盈利预测和财务指标 分析师声明 撰写此报告的分析师(一人或多人)承诺本机构、本人以及财产利害关系人与所评价或推荐的证券无利害关系。 本报告所采用的数据均来自我们认为可靠的目前已公开的信息,并通过独立判断并得出结论,力求独立、客观、公平,报告结论不受本公司其他部门和人员以及证券发行人、上市公司、基金公司、证券资产管理公司、特定客户等利益相关方的干涉和影响,特此声明。 免责声明 中邮证券有限责任公司(以下简称“中邮证券”)具备经中国证监会批准的开展证券投资咨询业务的资格。 本报告信息均来源于公开资料或者我们认为可靠的资料,我们力求但不保证这些信息的准确性和完整性。报告内容仅供参考,报告中的信息或所表达观点不构成所涉证券买卖的出价或询价,中邮证券不对因使用本报告的内容而导致的损失承担任何责任。客户不应以本报告取代其独立判断或仅根据本报告做出决策。 本报告所载的意见、评估及预测仅为本报告出具日的观点和判断。该等意见、评估及预测无需通知即可随时更改。过往的表现亦不应作为日后表现的预示和担保。在不同时期,中邮证券可能会发出与本报告所载意见、评估及预测不一致的研究报告。 中邮证券及其所属关联机构可能会持有报告中提到的公司所发行的证券头寸并进行交易,也可能为这些公司提供或者计划提供投资银行、财务顾问或者其他金融产品等相关服务。 《证券期货投资者适当性管理办法》于 2017 年 7 月 1 日起正式实施,本报告仅供中邮证券签约客户使用,若您非中邮证券签约客户,为控制投资风险,请取消接收、订阅或使用本报告中的任何信息。本公司不会因接收人收到、阅读或关注本报告中的内容而视其为签约客户。 本报告版权归中邮证券所有,未经书面许可,任何机构或个人不得存在对本报告以任何形式进行翻版、修改、节选、复制、发布,或对本报告进行改编、汇编等侵犯知识产权的行为,亦不得存在其他有损中邮证券商业性权益的任何情形。如经中邮证券授权后引用发布,需注明出处为中邮证券研究所,且不得对本报告进行有悖原意的引用、删节或修改。 中邮证券对于本申明具有最终解释权。 公司简介 中邮证券有限责任公司,2002 年 9 月经中国证券监督管理委员会批准设立,是中国邮政集团有限公司绝对控股的证券类金融子公司。 公司经营范围包括:证券经纪,证券自营,证券投资咨询,证券资产管理,融资融券,证券投资基金销售,证券承销与保荐,代理销售金融产品,与证券交易、证券投资活动有关的财务顾问等。 公司目前已经在北京、陕西、深圳、山东、江苏、四川、江西、湖北、湖南、福建、辽宁、吉林、黑龙江、广东、浙江、贵州、新疆、河南、山西、上海、云南、内蒙古、重庆、天津、河北等地设有分支机构,全国多家分支机构正在建设中。 中邮证券紧紧依托中国邮政集团有限公司雄厚的实力,坚持诚信经营,践行普惠服务,为社会大众提供全方位专业化的证券投、融资服务,帮助客户实现价值增长,努力成为客户认同、社会尊重、股东满意、员工自豪的优秀企业。 中邮证券研究所 上海邮箱:yanjiusuo@cnpsec.com地址:上海市虹口区东大名路1080号邮储银行大厦3楼邮编:200000 北京邮箱:yanjiusuo@cnpsec.com地址:北京市东城区前门街道珠市口东大街17号邮编:100050 深圳邮箱:yanjiusuo@cnpsec.com地址:深圳市福田区滨河大道9023号国通大厦二楼邮编:518048