超高深宽比刻蚀助力3DNAND扩产

核心观点与关键数据

预计中国大陆 2026 至 2028 年间设备支出将达 940 亿美元，全球 300mm 晶圆厂设备支出将持续增长，2025 年达 1,070 亿美元，2028 年达 1,380 亿美元。中国大陆将继续领先全球 300mm 设备支出。Logic 和 Micro 领域预计 2026 至 2028 年间设备投资总额达 1,750 亿美元，Memory 领域预计 1,360 亿美元，Analog 相关领域超 410 亿美元，功率相关领域 270 亿美元。

技术趋势与设备需求

晶体管从平面结构转向 3D 立体结构（GAA），推动刻蚀、薄膜沉积等设备需求。刻蚀设备用量占比从 FinFET 时代的 20%上升至 GAA 架构下的 35%，单台设备价值量增长 12%。3D NAND 堆叠层数增加，刻蚀设备用量占比从 32 层到 128 层提升至 48%。ALD 与 CVD 协同工艺成为主流。背面供电网络（BSPDN）应用面临多挑战，推动设备与流程改造。

内存技术发展与设备需求

全球内存技术多赛道并行迭代，AI 算力与终端升级驱动。HBM、CXL、HBF、LPDDR/GDDR 技术场景化细分。3D NAND 向 1000 层发展，DRAM 向 3D DRAM 发展，刻蚀设备需求量与性能要求呈指数级增长。Memory 领域三年间设备支出 1,360 亿美元，其中 DRAM 超过 790 亿美元，3D NAND 560 亿美元。

公司概况与竞争优势

北方华创是国内半导体设备平台型领军厂商，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积等多个环节，国内份额持续提升，受益于下游扩产与国产替代。公司披露 2025 年股票期权激励计划，拟授予 10,465,975 份股票期权，激励对象 2,306 人，总费用约 21 亿。

投资建议与风险提示

预计公司 2025/2026/2027 年收入 398/503/613 亿元，归母净利润 61/84/111 亿元，维持“买入”评级。风险提示包括人力资源、供应链、技术更新、市场需求波动、并购整合等。