数据中心上游材料扩产三井金属数据中心用材料增产2025年第三次上

材料制造商正因AI普及导致供需紧张，提升面向数据中心和半导体制造设备所用材料的生产能力。

三井金属：

• 已决定在2025年内第三次上调低电力损耗铜箔增产计划。
• 其铜箔“VSP”全球市场份额约八成，用于AI数据中心通信设备等，减少电力损耗。
• VSP月产能计划从2025年初的580吨提升至2026年9月的840吨，此次决定提前建立月产超1000吨体系（约2025年初的两倍）。
• VSP应用于服务器、路由器、交换机等领域，通过提升性能（如开发0.4微米产品）维持高市场份额。
• 铜箔业务良好表现带动公司业绩提升，2026年3月财年合并销售额预期上调至6650亿日元，核心功能材料业务部门销售额预期上调至2870亿日元。

古河机械金属：

• 计划在2027年前提高用于AI半导体等制造的专用材料“氮化铝陶瓷”生产能力，抓住“AI特需”机遇。
• 氮化铝陶瓷用于半导体制造设备散热，热导率达200-250（行业平均水平170），耐久性数倍于氧化铝。
• 目前销售额约10亿日元，计划提升至20亿日元。
• 生产能力将从现有4台炉提升至8台（磐城工厂增设2台），提高2.2倍，并考虑进一步扩产。

其他材料制造商：

• JX金属：2025年内对数据中心用光通信材料“磷化铟基板”实施两次增产，计划2027年度产能提升约五成。
• 藤仓：投资450亿日元建设数据中心布线光纤工厂，计划2029年投产，投用后光纤电缆销售额预计提升至2025年的1.8倍。
• SVCC：投资10亿日元提升光纤生产能力。

核心观点：AI需求波及范围广泛，众多材料制造商受益，通过增产关键材料（铜箔、氮化铝陶瓷、磷化铟基板、光纤）满足高速大容量传输和散热需求，实现业绩增长。