电子掘金：聚焦存力&载力
2025年10月20日20:39 关键词 AI服务器内存存储DDR5 HBM ESSD PCB涨价潮供需缺口HDD SSD闪迪江波龙美光海力士三星扩展AI算力DRAM两存产业链 全文摘要 随着AI服务器需求的激增，存储芯片市场迎来显著增长，预计DRAM和NAND价格将持续上涨至2026年及以后。HBM和SSD的转换，以及消费类产品存储需求的增长，共同推动了对存储芯片的高需求。与此同时，PCB板块近期因市场情绪波动出现下滑，但长远看，高端产品需求增长、AI芯片任务需求增加及国产化趋势为其提供了清晰的增长逻辑。 电子掘金–聚焦存力&载力-20251019_导读 2025年10月20日20:39 关键词 AI服务器内存存储DDR5 HBM ESSD PCB涨价潮供需缺口HDD SSD闪迪江波龙美光海力士三星扩展AI算力DRAM两存产业链 全文摘要 随着AI服务器需求的激增，存储芯片市场迎来显著增长，预计DRAM和NAND价格将持续上涨至2026年及以后。HBM和SSD的转换，以及消费类产品存储需求的增长，共同推动了对存储芯片的高需求。与此同时，PCB板块近期因市场情绪波动出现下滑，但长远看，高端产品需求增长、AI芯片任务需求增加及国产化趋势为其提供了清晰的增长逻辑。投资建议聚焦于存储芯片涨价链中的企业，如国内的江波龙和海外的闪迪，以及PCB产业链的上游供应商，包括设备、材料和芯片制造商。市场普遍对AI引发的需求增长持乐观态度，认为估值有望进一步提升。 章节速览 00:00 AI驱动存储与PCB行业增长 会议聚焦AI算力下的存储与PCB板块，指出AI服务器对内存与存储需求增长，带动DDR5、HBM、ESSD等产品需求，消费类产品受挤压。PCB板块短期走弱，但长期增长逻辑清晰，国产趋势未变。存储板块因供给端收缩与AI需求推动，涨价潮有望持续至2026年或2027年。 01:42存储芯片市场全面涨价，AI需求带动景气度高涨 存储芯片市场经历全面涨价潮，由供给减少和AI需求爆发共同驱动。三星、美光等海外原厂密集上调价格，DRAM和闪存涨幅显著，尤其是企业级SSD需求激增，预计涨价将持续至2026年甚至2027年。 05:25存储芯片供需分析与价格预测 对话围绕存储芯片市场展开，讨论了HDD转SSD、大模型带动token数量提升等因素导致的供需缺口问题。分析认为，即使在不考虑新增token影响下，全球产能静态估计为260万片左右，仍存在约10%的供需缺口，未来缺口可能进一步扩大。鉴于厂商利润率低，短期内难以实现扩产，预测价格需上涨30%以上才能刺激扩产。此外，DRAM尤其是HBM需求旺盛，预计供需缺口将持续，价格将维持上涨趋势。 08:33 AI驱动下的DRAM供需缺口与市场趋势分析 对话深入探讨了AI对DRAM市场供需结构的影响，指出HBM产能虽增但良率问题导致供给缺口，AI服务器需求激增使库存周期降至七年新低。企业级SSD需求旺盛挤压中低端产能，消费级DRAM面临供应紧张，预计未来几年供需缺口将持续，市场将保持涨价趋势。 12:15存储芯片市场分析：AI驱动需求增长与涨价趋势 市场分析指出，存储芯片尤其是NAND Flash和DRAM正经历由AI驱动的需求增长，导致供给端产能紧张，价格呈现上涨趋势。预计2026年全年涨价将持续，AI端侧创新、汽车电子需求增长是主要驱动力。建议关注涨价链上的NAND Flash敞口大公司，如江波龙、闪迪等，以及DRAM产业链，特别是HBM领域。同时，两存产业链上游的设备、材料及芯片供应商也值得关注。存储芯片周期性波动转向成长性特征，与AI发展密切相关。 17:34海外算力链景气度高，PCB板块前景看好 分析了海外算力链，特别是GPU和ASIC需求的高景气度，指出台积电等企业业绩表现强劲，预期未来资本开支增加。预测明年的芯片出货量将大幅增长，尤其是英伟达和博通等公司。同时，国产芯片如寒武纪和升腾也将迎来放量元年，整体看好PCB及海外算力链相关板块的发展前景。 21:51 PCB行业三季度业绩与涨价趋势分析 三季度业绩环比增长显著，尤其是PCB公司，尽管折旧影响短期内业绩，但预计明年业绩将大幅增长。CCL端与窄板端出现涨价现象，主要受需求旺盛和上游原材料成本上升影响，预计涨价将持续，对行业构成利好。 27:33 PCB行业技术革新与市场机遇 对话深入探讨了PCB行业未来的技术革新和市场机遇，特别是卢炳方案中的马酒材料应用、CPS结构变化及正胶背板的使用，预示着行业价值量的显著增长。预计到明年，这些技术变革将驱动PCB板块价值量提升，为国内企业如生意科技、南亚新材等带来挑战与机遇。正胶背板在576开机柜中的应用已成定局，但其在288路面方案中的使用仍不确定，线缆智能连接可能作为过渡方案。中长期看，PCB需求向好，替代线缆结构成为趋势。 31:52 PCB行业需求展望与供应链机会分析 行业未来一年的需求增长预期，强调新供应商导入及产能投放的重要性，预测行业供应格局不会大幅恶化，估值体系有望重塑，对行业整体持乐观态度并给出推荐评级。 发言总结 发言人2 首先对谢康老师表示感谢，并自我介绍为中金公司电子营销团队的一员，随后重点讨论了存储板块的市场观点。他指出，尽管存储行业通常被视为周期性行业，但自今年9月以来，由于供给端的收缩和AI带动的需求增长，存储行业经历了一波涨价潮，预计这种趋势将持续至26年甚至27年，建议持续关注存储板块的机会。 他详细介绍了存储芯片市场的全面涨价情况，指出这次涨价不仅是由于供给减少，还包括技术进步和AI需求的提升。他特别提到了三星、美光、海力士等主要供应商的调价行动，以及现货市场的积极反应。强调这次涨价的主要驱动力是AI需求的爆发和产能的结构性倾斜，尤其是数据中心对SSD需求的激增。 在供给端，他指出厂商扩产的意愿可能受限，因为目前的利润率水平较低。对于需求端，预计AI将继续推动存储需求的增长，特别是在数据中心和AI服务器方面。发言最后，他建议关注涨价链上的公司，包括DRAM和NAND市场中的公司，以及存储产业链上游的设备和材料供应商。 他的总结强调，存储行业这次的周期波动不同于传统周期，是由于AI驱动的新型需求所引发，预计这一趋势将持续到26年甚至27年，并建议重点关注相关公司和产业链的机会。 发言人3 他，中银科技建团队的分析师姜磊，向投资人汇报了PCD和海外创意板块在A股的关注点和市场观点。姜磊指出，PCB需求主要受海外商店和GPU、ASIC需求驱动，强调海外算力链的景气度高。以台积电为例，展示了季度收入和毛利率的稳健表现，预示未来乐观预期。此外，资本开支上调显示需求旺盛，尤其是OpenAI等的开放带来的算力芯片需求增长。姜磊看好国产PCD链芯片的明年放量，预期业绩从今年年底到明年年底有显著增长。讨论了PCB和CCL板块的涨价现象、材料应用和需求增长，认为中长期需求强劲。虽然目前估值与历史相比看似合理，但仍可能有提升空间，整体对PCB板块保持乐观，并推荐相关评级。 发言人1 他在周日的第132期会议中开场欢迎与会者，并提到了本周AI行业内的两大主要趋势。首先，他指出随着AI服务器需求的上升，特别是对内存与存储能力的需求增加，DDR5、HBM、ESSD等产品的市场需求正随之增长。这一趋势虽然可能对消费类电子产品造成供应与价格上的压力，但预计将持续发展。其次，他分析了PCB（印制电路板）板块的短期与长期表现，短期内情绪因素导致该板块略有下滑，但长远来看，高端产品的需求保持稳定，尤其是AI芯片需求的增加，以及国产化趋势未见减弱。此外，会议还特别邀请了分析师杨晓宇就成熟板块发表见解。 问答回顾 发言人1问：AI服务器对内存与存储需求的增长是否会对消费类产品的市场造成一定挤压，以及这个行情会持续多久？PCB板块近期的情况如何？其长期增长逻辑是什么？ 发言人1答：是的，AI服务器对内存和存储需求的增长正在带动DDR5、HBM、ESSD等产品需求的快速增长，并对消费类产品的市场造成一定挤压。我们预计这一行情将持续。本周PCB板块短期受情绪影响有所走弱，但长期来看，高端PCB产品的需求增长逻辑清晰，尤其是它在AI芯片方面承担着重要任务，并且国产趋势并未改变。 问：存储板块的情况及涨价潮会持续到何时？这次存储芯片涨价的主要驱动因素是什么？ 发言人2答：存储板块虽然具有周期性，但自今年9月以来，由于供给端收缩和AI需求增加带来的涨价潮，预计该涨价趋势可能会持续至2026年甚至2027年。这次涨价的主要驱动力并非以往的供给端减产，而是由AI需求爆发和产能结构性倾斜共同作用的结果。特别是HBM和企业级SSD因数据中心需求激增，出现了价格上涨且预计将持续到2026年的现象。 发言人2问：最近存储芯片市场发生了怎样的涨价事件？ 发言人2答：近一个月以来，存储芯片市场经历了全面涨价潮，最初由供给减少引发，随后叠加海外CSP厂商转向、技术迭代及大模型需求提升等因素，导致价格上涨。例如，三星、美光、海力士等三大海外原厂在密集的时间内同步上调了DRAM和NAND闪存的价格。 发言人2问：存储芯片涨价是否会传导到消费级产品上，以及其涨价预期将持续多久？ 发言人2答：消费级产品如no flash产品已出现涨价趋势，预计四季度起报价将上调5到10个点左右，这主要受到材料成本上涨和后端产能受限的影响。由于AI需求增长导致的供需缺口增大，涨价预期可能将持续到2026年甚至2027年。 发言人2问：存储芯片供需缺口情况如何？对未来价格有何影响？ 发言人2答：由于大模型带动token数量提升，造成巨大的供需缺口，即使考虑到目前全球DRAM产能约200万片左右，静态情况下就已经存在约10%的供需缺口。如果考虑到未来token数量的影响，供需缺口将进一步放大，从而支撑价格维持高位。从供给端来看，由于当前厂商的利润率较低，短期内很难有新增扩产计划，即使价格上涨，厂商也可能在价格更高时才会选择扩产。因此，预计存储芯片价格明年有机会继续维持30%以上的上涨趋势。 发言人2问：DRAM市场中，尤其是HBM，供需缺口会如何变化？ 发言人2答：我们认为明年DRM，尤其是HBM的DM整体的价格上涨也会持续。虽然目前产能大约为200万片，但扩产虽有增加但难以满足全部需求，整体上供需会维持接近平衡但较小的缺口状态。 发言人2问：HBM的供给和需求情况如何？ 发言人2答：从供给角度看，HBM的主要扩展集中在HBM部分，预计2025年总产量将增加到50万片每月，但由于良率问题难以完全满足需求，存在一定的供给缺口。需求端受到AI显著驱动，特别是云测领域对DRAM的需求量呈几何级增长，加上OpenAI等公司的需求预期，导致供给需求结构从消费电子转向AI算力主导，库存周期已降至约3.3周的新低。 发言人2问：供给和需求的变化对消费级DRAM有何影响？ 发言人2答：供给端产能向高端倾斜，许多厂商削减消费级NAND产能转向企业级3DKOC等高附加值产品，这可能导致消费级DRAM出现供应紧张情况。同时，企业级SSD需求因AI数据中心而快速增长，进一步挤压中低端产能。此外，新增的企业级GS定义需求具有刚性增长，而HDM的扩产资源可能被优先分配给企业级产品，使得消费级DRAM扩产相对缓慢，加剧供需缺口。 发言人2问：NOR市场的情况如何？ 发言人2答：NOR市场在存储领域涨价相对较慢，但其供给也在经历收缩，供应商进行产能结构性调整，并且全球晶圆厂整体产能紧张导致相关资源被分配至毛利率更高的产品，间接挤压了NOR闪存产能空间，尤其是中低密度消费级NOR flash供应开始持续紧张。 发言人2问：NOR需求方面有何变化？ 发言人2答：AI端侧创新和汽车电子需求带来结构性增长，尽管传统消费电子需求表现疲软，但新的需求引擎推动明年AI手机、AIPC、可穿戴设备对NOR flash容量需求显著提升。因此，NOR市场供给面临挤压，需求端可能有所增长，已
