AI智能总结
需求侧强力驱动、叠加供给端战略性转向所引发的结 我们重申对存储板块的乐观展望,#预期涨价强度与持续性将超市场预期。 2024Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%,LPDDR4暴涨40-50%,NAND Flash合约价涨幅预 存储供需格局结构性转变,坚定看好行情持续性【东北计算机】#本轮存储涨价绝非短期供给收缩的周期性波动,#而是由AI需求侧强力驱动、叠加供给端战略性转向所引发的结构性行情。 我们重申对存储板块的乐观展望,#预期涨价强度与持续性将超市场预期。 1#价格预期全面上修2024Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%,LPDDR4暴涨40-50%,NAND Flash合约价涨幅预期升至15% 市场已全面上修价格预期,# 2026Q1传统淡季价格继续看涨。 2#供给侧改革深化:海外原厂战略转向明确,#持续退出DDR4/LPDDR4产能(导致涨幅最大),将资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品。 但高端产能瓶颈突出:DDR5/HBM产能利用率持续打满,新增产能到2025年底前有限;NAND产能利用率仍低于80%但无大规模扩产,供给弹性严重不足。 3 #需求端:AI驱动从“训练”走向“推理”,#需求逻辑发生根本性转变存储器下游需求中,手机/PC/服务器占比超80%,其中服务器占比约30%。 当前需求侧正经历范式转换:o核心驱动:AI应用正从训练侧(消耗HBM)向推理侧/边缘侧扩散,驱动移动设备(LPDDR5x )、通用服务器(DDR5)、高带宽内存(HBM)及企业级SSD(eSSD)需求迎来爆发式增长。 o数据中心需求最强:北美云厂商加大AI数据中心投入,存储池扩容与升级(HDD→SSD)为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量。 我们判断,此轮存储行情由“AI需求升级”与“供给结构性退出”双轮驱动,其持续性与强度将远超传统周期。 重点关注三条主线1)布局DDR5/HBM先进技术的龙头;2)受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商;3 )企业级SSD替代受益标的。 相关标的:o存储模组:开普云(金泰克)、德明利、江波龙(信创SSD龙头)、佰维存储(华为生态)、香农芯创(SK 海力士代理);o存储芯片:兆易创新(DRAM设计)、澜起科技(内存接口芯片)、东芯股份(SLC NAND)、普冉股份(NorFlash)。