存储供需格局结构性转变坚定看好行情持续性东北计算机本轮存储涨价

存储供需格局结构性转变，坚定看好行情持续性

核心观点：本轮存储涨价并非短期供给收缩的周期性波动，而是由AI需求侧强力驱动、叠加供给端战略性转向所引发的结构性行情。重申对存储板块的乐观展望，预期涨价强度与持续性将超市场预期。

价格预期：市场全面上修价格预期，2024Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%，LPDDR4暴涨40-50%，NAND Flash合约价涨幅预期升至15%。2026Q1传统淡季价格继续看涨。

供给侧：

• 海外原厂战略转向明确，持续退出DDR4/LPDDR4产能（导致涨幅最大），将资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品。
• 高端产能瓶颈突出：DDR5/HBM产能利用率持续打满，新增产能到2025年底前有限；NAND产能利用率仍低于80%但无大规模扩产，供给弹性严重不足。

需求端：

• AI驱动从“训练”走向“推理”，需求逻辑发生根本性转变。
• 核心驱动：AI应用从训练侧向推理侧/边缘侧扩散，驱动移动设备（LPDDR5x）、通用服务器（DDR5）、高带宽内存（HBM）及企业级SSD（eSSD）需求爆发式增长。
• 数据中心需求最强：北美云厂商加大AI数据中心投入，存储池扩容与升级（HDD→SSD）为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量。

研究结论：此轮存储行情由“AI需求升级”与“供给结构性退出”双轮驱动，其持续性与强度将远超传统周期。

重点关注三条主线：

1. 布局DDR5/HBM先进技术的龙头；
2. 受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；
3. 企业级SSD替代受益标的。

相关标的：

• 存储模组：开普云（金泰克）、德明利、江波龙（信创SSD龙头）、佰维存储（华为生态）、香农芯创（SK海力士代理）；
• 存储芯片：兆易创新（DRAM设计）、澜起科技（内存接口芯片）、东芯股份（SLC NAND）、普冉股份（NorFlash）。