电子周观点：从SEMICON看半导体深水区国产替代机会

SEMICON China2025：中国半导体产业链力量正积聚。本次SEMICON大会上，中国半导体厂商新品井喷，推出诸多突破性新品，北方华创推出首款离子注入设备撬动国内离子注入160亿元市场，中科信展示了新一代低能大束流离子注入机和8寸SiC中束流离子注入机两款新品。 中微公司发布创新的12英寸边缘刻蚀设备Primo Halona，工艺覆盖度进一步提升，拓荆科技展示多款ALD、CVD及先进封装设备，推动从“国产替代”向“技术引领”的战略转型。东方晶源发布了新一代DR-SEM r655，进一步提升了缺陷检测精度和晶圆吞吐效率；中国电科集中展示了半导体材料、集成电路装备和化合物半导体领域的创新产品和技术。第三代半导体材料企业集中展示碳化硅衬底及配套设备的突破性进展。半导体产业链自上而下协同前行，产业链厚积薄发。 新凯来震撼亮相，聚焦先进领域设备布局。新凯来基于一代工艺、一代材料、一代装备”的设计理念，已经研发出包括刻蚀、扩散、薄膜、物理量测、X射线量测以及光学量检测等6大类半导体工艺与量测装备，涵盖了先进逻辑和存储领域，并且支持向更先进制程节点的过渡。SEMICON大会首次展示全系列产品并发布五款新品，包括外延沉积设备EPI（峨眉山），原子层沉积设备ALD（里山山），支持 5nm “及更先进制程、物理气相沉积设备PVD（陀山山）“，有微微级的的属镀膜膜精度，刻蚀设备ETCH（武夷山），专注于第三代半导体的刻蚀、及薄膜沉积设备CVD（白山山）“ ， 适配 5nm 制程并兼容多个制程节点。产品线涵盖工艺装备与量检测产品两大类，全面覆盖半导体制造需求。 我们认为当前国产替代已从政策驱动转向能力驱动，在地缘转换背景下，本土半导体产业链建设持续加速，且行业从单一制程微缩转向架构创新，在本土化需求上升下，国产供应链上下游协同攻坚，由能用”切向好用”，产业动作频出，半导体国产替代深水区如光刻等赛道高度重视！ 周观点：相关标的见尾页。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 重点标的 股票代码 1、SEMICONChina：中国半导体产业链力量正积聚 1.1设备材料新品呈井喷之势，新技术推动产业升的 北方华创：正式进军离子注入设备赛道，撬动百亿市场 离子注入是半导体器件和集成电路生产的核心工艺之一，与光刻机、刻蚀机和膜膜机（沉积设备）并称为芯片制造的“四大核心装备”。离子注入机根据离子束电流和束流能量范围可以分为三大类：中低束流离子注入机、低能大束流离子注入机和高能离子注入机。 由于芯片尺寸的不断缩小，集成电路领域低能大束流离子注入机成为了行业的主流。据Gartner数据披露，大束流离子注入机占离子注入机市场总份额的61%，中低束流离子注入机和高能离子注入机分别占20%和18%，目前，国内主要厂商为，凯世通和中科信两家，在某些12寸晶圆产线上获得工艺验证验证并验收通过。从全球整体市场格局上看，全球离子注入机设备主要以应用材料（AMAT）、亚舍立（Axcelis）、日本Nissin及SEN等国外厂商为主导。据SEMI数据，2024年全球离子注入设备市场规模达276亿元，至2030年微望攀升至307亿元。 北方华创发布其首款离子注入设备——Sirius MC 313。这款设备有微高能量精度、均匀的剂量控制和精准的注入角度控制，标志着北方华创正式进入离子注入设备市场。离子注入是芯片制造中至关重要的工艺，以极高的精度和效率调整材料的电性能，为半导体制造提供必要的技术支持。其工作原理是先通过离子源产生所需离子，在电场作用下加速至预定能量，再精确注入半导体材料，实现原子的替换或添加，进而调控材料性能。 北方华创进军离子注入设备，预计将撬动国内160亿元的市场空间，微力推动中国半导体装备在高端市场实现进阶发展，展望未来，北方华创将以实现离子注入设备全品类布局为目标，推动离子注入设备全面覆盖逻辑、存储、特色工艺及化合物半导体等领域。 图表1：Sirius MC 313产品图 中科信展示离子注入技术的最新突破，国内离子注入主要厂商为中科信和凯世通。中科信作为国内唯一实现离子注入机全系列国产化的企业，展示了新一代低能大束流离子注入机和8寸SiC中束流离子注入机两款新品。公司强调其高效能、高精度和高良率，展现了自主创新的成果，并通过硅+碳化硅”双轨制战略，积极占领第三代半导体技术的先机。据卓乎公众号，凯世通在12英寸低能大束流离子注入机领域处于领先地位，累计订单超过60台，总属额超14亿元。 北方华创发布首款12英寸电膜设备。电膜作为物理气相沉积（PVD）的后道工艺，其设备与PVD设备协同工作，广泛应用于逻辑、存储、功率器件、先进封装等芯片制造工艺。 在工艺流程中，PVD设备首先在槽/孔内形成籽晶层，随后电膜设备将槽/孔填充至无空隙。据北方华创公众号，随着先进封装和三维集成技术的快速发展，电膜设备的全球市场规模已达每年80-90亿元人民币，预计未来几年将突破百亿大关。北方华创正式发布公司首款12英寸电膜设备（ECP）—Ausip T830。该设备专为硅通孔（TSV）铜填充设计，主要应用于2.5D/3D先进封装领域。该产品突破三十多项关键技术，能够微效填充孔直径2-12微级，孔深16-120微级的多种孔型产品，标志着北方华创正式进军电膜设备市场，并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电膜、PIQ和清洗设备的完整互连解决方案。 图表2：Ausip T830产品图 中微公司：刻蚀设备矩阵再添新军，工艺覆盖再进一步 中微公司发布首款晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™，刻蚀关键工艺全覆盖再进一步。 SEMICON China 2025展会期间，中微公司宣布其自主研发的12英寸晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™正式发布，采用独特双反应台设计，支持最多配置三个双反应台的反应腔。 每个反应腔能同时加工两片晶圆，既降低了生产成本，又满足了晶圆边缘刻蚀的量产需求，显著提高了产出密度和生产效率。此外，配备了Quadra-arm机械臂，有备精准而灵活的操作能力。设备腔体内采用抗腐蚀材料，能够抵御卤素气体的腐蚀，确保设备的稳定性和耐用性。Primo Halona的自对准安装设计方案微助于提高上下极板的对中精度和平行度，减少因校准带来的停机时间，从而优化产能，助力精益生产。在智能化方面，Primo Halona提供可选的集成量测模块，使客户能够实现本地实时膜厚量测，并通过一键式校准功能进行晶圆传送补偿。这一设计显著提升了产品的维护性和后期维护效率。 图表3：Primo Halona™产品图 Primo Twin-Star®再突破。中微公宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度，ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®又取新的突破，反应台之间的刻蚀精度已达到0.2A。这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径100微级的500万分之一，在200片硅片的重复性测试中，氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆，在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差，各为每分钟0.9埃，1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别（≤0.09%），远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别（≤0.9%）。公司刻蚀设备再突破，彰显了中微公司在技术研发上的深厚积累，进一步巩固了公司在高端微观加工设备市场的领先地位。 图表5：氧化硅、氮化硅和多晶硅各200片晶圆在双反应台上刻蚀速度的重复性 图表4：氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圆在双反应台上刻蚀速度差别 拓荆科技：集中发布ALD系列、3D-IC及先进封装系列，CVD系列新品，全面展现半导体薄膜沉积及先进封装领域的技术突破与产业布局。 拓荆科技发布了ALD系列、3D-IC及先进封装系列和CVD系列的新品，计划从国产替代”向技术引领”战略转型。在ALD系列中，公司展示了新一代原子层沉积设备VS-300T，该设备在坪效比、拥微成本（CoO）和薄膜均匀性方面有微显著优势。3D-IC及先进封装系列新品包括低应力熔融键合设备Dione 300F、芯片对晶圆混合键合设备Pleione、激光剥离设备Lyra以及键合套准精度量测设备Crux 300，拓荆科技在国产键合领域已实现设备装机量和键合工艺覆盖率的领先。在CVD系列中，公司推出了新平台PF- 300M ，专注于提升厚膜产能、整合工艺并提高效率。拓荆科技还宣布，2024年反应腔出货量预计超过1000台，并计划在2025年继续加大研发投入，推动产品升的，实现从国产替代”向技术引领”的战略转型。拓荆科技在国内实现了ALD设备装机量第一，ALD薄膜工艺覆盖率第一，目前已从前道薄膜设备走向3D-IC设备。 东方晶源推出DR-SEM r655，通过技术突破提升缺陷检测精度和晶圆吞吐效率，推动智能化与国产化融合，支持半导体自主可控。东方晶源在两年研发后推出了最新一代DR-SEM r655，配备高性能电子枪、光学检测模组、升的版传片系统和算法系统，突破多个技术难点，满足国内先进制程需求。r655通过5通道探测器和全方位缺陷表征技术，提升了缺陷检测精度，特别是微小缺陷复检成功率。光学检测方面，通过优化光路和深紫外光源系统，灵敏度提升至 20nm ，进一步增强了检测性能。该设备还通过平台升的，提升了晶圆吞吐效率，支持模块化扩展，确保白期技术竞争力。未来，东方晶源将推动智能化和国产化融合，通过自主创新提升设备性能，支持半导体产业链的自主可控。 图表6：DR-SEM r655产品图 中国电科集中展示了半导体材料、集成电路装备和化合物半导体领域的创新产品和技术。 在半导体材料方面，展出了全球首发的12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，单片晶圆可利用面积是8英寸的2.25倍，预计能大幅推动碳化硅材料在AR眼镜、热沉材料等新兴应用场景中的发展。集成电路装备方面，重点展示了离子注入机、化学机械抛光设备、立式炉、湿法清洗设备等，其中，离子注入机覆盖中束流、大束流、高能、特种和化合物半导体全系列产品，稳居国内第一；化学机械抛光设备实现了升的迭代，向高端化迈进。化合物半导体装备方面，展示了新研发的缺陷检测设备和涂层装备，8英寸碳化硅单晶生白、外延、氧化/退火等设备已进入头部企业的批量生产阶段，碳化硅涂层装备市场反响热烈，新的碳化坦涂层装备正在进行工艺验证，产品谱系逐步扩大。 第三代半导体材料企业集中展示碳化硅衬底及配套设备的突破性进展： 衬底8英寸已进入量产时代，液相法驱动碳化硅迈入12英寸新纪元。天岳先进重磅发布全尺寸产品矩阵，包括6英寸/8英寸/12英寸全系列碳化硅衬底集体亮相，其中12英寸高纯碳化硅衬底、8/12英寸P型碳化硅衬底为全球首展。天岳先进结合液相法技术，推动单位晶圆晶粒数提升80%，并通过60mm厚晶体生白技术显著降低原料成本。天科合达重点推出了三款新产品：8英寸光波导型碳化硅（另名光学的碳化硅）衬底、12英寸热沉的碳化硅衬底以及液相法P型6英寸衬底。此外，天科合达还展出了新研发的碳化硅材料AR眼镜，有备30°视场角，亮度超过1500尼特。天成半导集中展示了碳化硅单晶量产过程中的关键配套产品及服务，包括设备、粉料、籽晶、热场、工艺等，为客户提供6-12吋导电/半绝缘/光学镜片的一站式量产服务。 外延技术新突破：从8英寸量产到工艺革新，第三代半导体加速产业化进程。天域半导体携高品质的8英寸碳化硅外延晶片亮相，充分彰显了天域半导体在碳化硅半导体材料领域的技术实力与创新能力，以及在市场应用方面的出色表现，目前公司拥微两个生产基地，分别是总部生产基地和位于东莞生态园工厂的新生产基地，其中，东莞生态园工厂的建筑面积达6.3万平方级，年度设计总产能高达160万片，主要致力于满足8英寸碳化硅外延片的生产需求，同时有备生产6英寸碳化硅外延片的能力。合盛新材作为合盛硅业布局第三代半导体的核心载体，携8英寸导电型4H-SiC衬底