中微公司首次覆盖：国产刻蚀设备领军者，内生外延打通多元产品布局

——中微公司首次覆盖 国产半导体设备领军企业，营收规模实现高增。中微公司是国内领先、国际知名的高端半导体微观加工设备公司，布局半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。公司核心产品等离子体刻蚀设备已批量应用在国内外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米和5纳米及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线；MOCVD设备技术实力和市占率位居世界前列。近年，公司刻蚀设备业务快速增长推动公司收入体 量 高 增 ，2019-2023年 公 司 营 业 收 入 规 模 的 年 均 复 合 增 长 率 达33.93%。 半导体设备市场空间广阔，自主可控下国产设备迎发展机遇。从行业端看，2024年以来半导体产业周期触底回升以及AI需求提振带动全球半导体市场需求回暖，随着5G、云计算等技术的普及和发展，以及AI、HPC等新兴应用的出现，半导体行业发展趋势向上。而半导体设备作为产业发展的基石，市场空间广阔，据SEMI的预计2025年设备市场规模预计达1280亿美元创新高。从技术发展看，制程工艺演进和存储堆叠等发展对刻蚀设备和薄膜沉积设备提出更高的技术要求并带动相关设备需求提升。从供应端看，海外持续升级对华设备出口管制，在全球半导体逆全球化趋势下，半导体设备自主可控重要性持续凸显，国产设备验证工作有望积极推进，设备国产化进程有望提速。 最新收盘价（元）218.1012mth A股价格区间（元）117.30-246.30总股本（百万股）622.36无限售A股/总股本100.00%流通市值（亿元）1,357.38 本土刻蚀设备龙头，内生外延打通多线产品布局。中微占据国产刻蚀设备领先地位，开发的CCP和ICP能够覆盖逻辑芯片或存储芯片制造环节中大部分刻蚀应用场景，已批量用于全球7nm和5nm及更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。公司现持续推进关键工艺设备的研发和验证，作为国产刻蚀设备领先企业，或受益于半导体设备自主可控趋势，市占率有望持续提升。公司通过内生外延打通多线产品布局，一方面，持续强化核心业务内生成长，刻蚀设备持续提升产品性能和扩大市场份额，MOCVD设备重点开发Micro-LED和功率器件等领域，薄膜设备进一步开发LPCVD、EPI设备等以提升高端关键制程的覆盖率；另一方面，通过外延发展等拓展产品品类和应用领域布局，如投资睿励仪器布局检测设备领域。公司通过持续研发投入和外延发展，不仅扩大设备覆盖范围，同时可实现产业协同，有望突破关键工艺设备并参与和海外设备龙头的竞争。 ◼投资建议 考虑到公司核心产品刻蚀设备和MOCVD设备具有较强的国际竞争力，且坚持三维发展战略拓宽业务覆盖范围，具备长期发展动力。我们预计公司2024-2026年实现营业收入为90.65/122.69/152.13亿元，同比+44.72%/+35.35%/+24.00%；归母净利润为16.14/ 23.76/33.80亿元，同比-9.61%/ +47.21%/ +42.21%，2月24日收盘价对应PE为84/ 57/40倍，首次覆盖，给予“买入”评级。 下游客户扩产不及预期的风险、国际贸易摩擦加剧风险、新品开发和 技术升级不及预期。 目录 1国产半导体设备领军企业，营收规模实现高增...........................6 1.1深耕微观加工关键高端设备，国产替代引领者................61.2营收规模持续高增，以研促产增长可期...........................8 2半导体发展趋势向好+自主可控提速，国产设备迎发展机遇....11 2.1周期向上+AI创新驱动，半导体设备开支保持增长........112.2制程升级+存储堆叠发展，催生刻蚀和薄膜设备需求.....132.3海外对华出口管制升级，半导体设备自主可控或提速....20 3内生外延打通多元产品布局，夯实企业竞争力.........................24 3.1内生外延完善业务布局，提升集成电路设备覆盖领域....243.2刻蚀设备国内领先，关键工艺持续突破.........................253.3加码布局薄膜沉积设备，新品开发顺利推进..................303.4 MOCVD设备国际领先厂商，面向前沿领域开发新品....31 4盈利预测和投资建议.................................................................34 5风险提示...................................................................................36 图 图1：公司成立至今主要产品发展成果显著..........................6图2：公司股权结构（截至2024年三季度）.......................7图3：近年来公司营收规模和增速（亿元、%）....................9图4：刻蚀设备和MOCVD设备收入情况..............................9图5：近年来公司归母净利润和增速（亿元、%）................9图6：公司毛利率和净利率情况.............................................9图7：近年来公司费用率变动情况（%）.............................10图8：公司研发人员持续提升...............................................10图9：公司存货情况（亿元）...............................................10图10：公司合同负债情况（亿元）.....................................10图11：全球半导体销售额回暖（十亿美元、%）................11图12：中国半导体销售额回暖（十亿美元、%）................11图13：全球半导体设备市场规模预测（十亿美金）............12图14：全球300mm晶圆厂设备支出保持增长趋势............12图15：全球半导体设备销售额及增速（十亿美元）............13图16：中国大陆半导体设备销售额占比提升.......................13图17：光刻、刻蚀和薄膜沉积是半导体制造三大核心工艺.14图18：晶圆制造设备价值量占比.........................................14图19：干法刻蚀和湿法刻蚀的区别.....................................14图20：干法刻蚀工艺占据市场主流，市场份额占比约90%15图21：2029年全球刻蚀设备市场规模预估达343.2亿美元......................................................................................16图22：薄膜沉积设备技术分类............................................16图23：半导体薄膜沉积设备占比变化..................................17图24：半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况...............17 图25：2017-2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模（亿美元）...........................................................................17图26：2013-2023年刻蚀和薄膜设备年均增速高于其他设备......................................................................................18图27：不同制程下的晶体管结构.........................................19图28：10纳米多重模板工艺原理........................................19图29：2D NAND和3D NAND示意图...............................19图30：不同堆叠层刻蚀设备用量占比..................................19图31：国内半导体设备国产化率整体提升（亿元）...........20图32：三维发展战略，内生外延实现可持续发展..............24图33：公司现覆盖约33%集成电路设备............................25图34：中微及其合作伙伴5-10年后覆盖50%-60%高端设备产品...............................................................................25图35：公司已开发共15种刻蚀设备三代机型....................26图36：公司产品端关键性能已达到国际先进水平...............26图37：CCP刻蚀设备付运设备数量（台）........................26图38：ICP单台机Primo Nanova系列产品付运设备数量（台）...........................................................................26图39：中微公司CCP刻蚀产品系列和发展路线................27图40：一体化大马士革刻蚀工艺.........................................27图41：SD-RIE:实时可变电极间距扩大金属掩膜大马士革刻蚀工艺窗口....................................................................27图42：公司开发的极高深比刻蚀机.....................................28图43：中微公司ICP刻蚀产品系列和发展路线..................29图44：TSV工艺在先进封装中的应用.................................29图45：TSV在2.5D封装与3D封装中的应用 .....................29图46：Mini和Micro LED与传统显示技术对比................31图47：MicroLED晶片产值预估（百万美元）...................31图48：SiC和GaN下游应用范围.......................................32图49：SiC和GaN是功率半导体行业的关键领域..............32图50：中微公司MOCVD产品系列及发展路线..................33图51：MOCVD设备PRISMO UniMax..............................33图52：MOCVD设备PRISMO PD5...................................33 表 表1：目前公司主要产品类型.................................................7表2：公司现任部分核心技术人员...........................