OLED行业深度报告：OLED市场蓬勃发展，国产供应链上游本土化进程加速

OLED具备技术先进性，是目前手机端主流显示技术。目前面板行业主流显示技术主要包括LCD和OLED两类，LCD凭借其轻薄、成本低、技术成熟稳 定等优点，被广泛应用于各下游显示终端，为目前最主流的显示技术。而OLED因其具有自发光、轻薄、响应速度快、低功耗、高亮度、高对比度、宽色域、广视角、可弯曲等众多优良特性，逐渐成为智能手机移动终端主流显示技术，且随着OLED技术成熟及成本下降，OLED持续向下游各应用终端渗透。 需求端：手机市场持续扩容，平板/PC/汽车/TV等中大尺寸逐步渗透。目 前手机是OLED显示面板需求最大的应用领域，根据中商产业研究院数据，在OLED下游应用中，智能手机出货量占比73%，随着OLED成本下降以及 市场对折叠屏手机等多样化场景需求，将有望助推OLED在智能手机中渗透 率持续提升，根据omdia数据，OLED手机渗透率将由2023年的51%提升至2028年的60%。随着OLED技术成本不断优化，叠加OLED优良的显示 板、车载、电视等中大尺寸呈加速渗透趋势。根据Mordor Intelligence数据， 预计2024年全球OLED面板市场规模为516.3亿美元，并将以13.19%的年复合增长率增长至2029年的959.3亿美元。 供给端：韩厂三星及LGD主导OLED面板产能，国内面板厂加速布局份额 持续提升。三星和LGD凭借产能、技术、市场等先发优势，分别主导手机及 可穿戴等中小尺寸移动终端OLED面板和TV大尺寸OLED面板。2023年，三星显示全球OLED中小尺寸面板出货量份额占比43%。2022年LGD全球 大尺寸OLED面板出货量份额占比64.8%。受益于手机等中小尺寸移动终端OLED面板渗透率快速提升，国内面板企业加速中小尺寸OLED面板产能布局，市场份额持续提升，2023年中国内地面板厂商在中小尺寸面板合计市场份额达到43%，其中京东方市场份额由2022年的12%提升至2023年的 15%。同时京东方、维信诺等国内面板企业正积极布局8.6代高世代AMOLED GREATWALLSECURITIES 生产线，后续市场份额有望进一步提升。 投资建议：OLED面板产业链涵盖上游原材料及设备、中游面板生产及组装以及下游应用几大环节。随着OLED在各应用领域持续渗透推动OLED面板市场规模持续扩大，以及国内面板厂OLED产能持续释放，国内OLED产业链上游市场空间及国产替代潜力巨大。 1）OLED有机材料：海外大厂凭借专利、规模、技术优势长期占据OLED有 机材料的主要市场份额。国内企业目前主要集中于上游OLED中间体材 材料目前也逐步进入国内OLED面板厂商供应链实现批量应用。未来随着国内OLED材料厂商技术积累及产品突破，国产厂商OLED终端材料渗透率有望进一步提升。建议关注相关材料厂商奥来德、莱特光电， 2）OLED设备：日本、美国和韩国企业基本垄断了OLED中前段制程如蒸镀 设备、曝光机、薄膜沉积设备、AOI设备等关键设备，国内企业关键制程设备市占率仍然较低，未来随着OLED设备厂商技术积累，关键设备有望实现突破。国内广商在门槛相对较低的检测设备已取得一定突破， 2021年Array制程检测设备国产化率为8%，Cell/Module制程检测设备 国产化率则达到86%，未来随着国产厂商技术进步及市场拓展，相关设备渗透率有望进一步提示。建议关注OLED设备厂商奥来德、精测电子、精智达。 3）DDIC：根据CINNOResearch数据，2021年全球AMOLEDDDIC出货量 为10.7亿颗，预计2026年全球AMOLEDDDIC出货量将增长至21.6亿 颗。智能手机为AMOLEDDDIC下游最大应用市场，根据Omdia数据，2022年智能手机在AMOLEDDDIC出货量占比为64%。竞争格局方面，韩厂主导智能手机AMOLEDDDIC市场，2024年Q1三星LSI(42.1%)和 LXSemicon(15.1%)在智能手机AMOLEDDDIC合计市场份额为57.2% 中国大陆AMOLED智能手机DDIC设计公司云英谷24年Q1市场份额增 长至5.5%，自前海思、奕斯伟和集创北方也成功进入品牌供应链，在面板产业国产化趋势下，本土化优势下DDIC产业链相关公司国产替代空间巨大，建议关注DDIC产业链新相微、天德钰、晶合集成、质中科技、汇成股份。 风险提示：OLED下游渗透率不及预期、下游扩产进度不及预期、技术迭代风险、竞争格局恶化。 GREATWALL SECURITIES ..20 ..32 全球OLED智能手机渗透率(%) 图表16： 图表17： 图表18: 图表19: 图表20: 图表21： 图表22: 图表23： 图表24： 图表25: 图表26: 图表27: 图表28: 图表29: 图表30: 图表31: 图表32: 图表33: 图表34: 图表35： 图表36: 图表37: 图表38: 图表39： 图表40: 图表41: 图表42: 图表43: 图表44: 图表45: 图表46: 图表47: 图表48: 图表49: 图表50: 图表51: 图表52: 图表53: 图表54: 图表55: 图表56： 图表57: 图表58: 图表59: 图表60: 图表61: 图表62： 公司在研项目概况， 图表63： 图表64： 图表65: 图表66: 图表67: 图表68: 图表69: 图表70: 图表71: 图表72: 图表73: 图表74: 图表75: 图表76: 图表 77: 图表78: 图表79: 图表80: 图表81: 图表82: 图表83: 图表84: 图表85: 图表86: 图表87: 图表88: 图表89: 图表90: 图表91: 图表92: 图表93: 图表94: 图表95: 图表96: 图表97: 图表98: 图表99: 图表100: 图表101: 图表102: 图表103: 图表104: 图表105： REATWALLSECURITIES 1.OLED概况：开启显示技术璀璨新纪元 1.1OLED技术优势明显，PMOLED/AMOLED各擅胜场 OLED全称为有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode），它是指通过在一层薄而 透明且具备半导体特性的铟锡氧化物（ITO）玻璃上制作一层有机材料发光层，然后在其上再覆盖一层低功函数金属电极的半导体发光器件。一个完整的OLED核心构造通常包含发光层、电子/空穴注入层、电子/空穴传输层以及作为阳极层的ITO透明电极和作为阴极层的金属电极。OLED属于电流驱动型发光器件，其发光原理为在电场驱动下， 电子和空穴分别从阴极和阳极注入，经由注入层和传输层迁移至发光层中相遇复合产生激子，然后通过扩散经过辐射弛豫而发出可见光。 图表1：OLED结构 OLED作为新一代平板显示技术，拥有众多优良特性，是目前智能手机端主流显示技术。 目前面板行业主流显示技术主要包括LCD和OLED两类，其中LCD显示凭借其轻薄、成 本低、技术成熟稳定等优点，被广泛应用于各下游显示终端，是目前最主流的显示技术。 相较于LCD，OLED具备以下众多优良特性。1）OLED具有高亮度、高对比度、宽色域 等特性，在显示效果上具备更高的显示画质；2）OLED由于自发光，因而无需背光源，模组整体厚度较小，响应速度更快；3）由于自发光、无需背光源特性，OLED无视角限制，显示视角可达160度以上；4）OLED有机材料层天然具有柔性，同时在基板选取上可使用柔性材料，使得其柔性化较易实现；5）OLED为全固态模组结构，无液晶等液态 材料使用的特性，其温度范围广，尤其是低温特性良好，不存在低温状态下液体材料易凝固的问题。凭借轻薄、低功耗、高对比度、可弯曲等众多优良特性，OLED逐渐成为目前智能手机终端主流显示技术。 图表2:LCD/OLED显示结构图 图表3:LCD/OLED显示技术对比 OLED按驱动方式可划分为被动式驱动（PMOLED）和主动式驱动（AMOLED）两种。 PMOLED（Passive-matrixorganic lightemitting diode）又称为无源驱动，由阴极带、阳 极带以及位于二者重叠部分的像素构成，其中阴极带与阳极带相互垂直形成矩阵形状，水平一组显示像素共用同一性质的电极，纵向一组显示像素共用相同性质的另一电极，其发光机制为通过借助邦定的外接驱动IC，以扫描方式逐行或逐列点亮阵列中的像素，每个像素均在短脉冲模式下瞬间高亮度发光。PMOLED每个像素由分立的阴极阳极控制，不需要额外的驱动电路，因而结构较为简单；且生产工艺成熟，可以有效降低制造成本。 但因为需要保证每个像素在显示时的亮度和效率，因而驱动电压较高；同时，过多的控制线路也制约了其在大尺寸、高分辨率产品中的应用。PMOLED目前主要适用于低分辨 率、5英寸以内小尺寸面板上，如手环、智能手表等应用领域。 图表4:PMOLED和AMOLED结构图 AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode)又称为有源驱动，不同于 PMOLED 条状的阳极，阴极带结构，其构造包括整层完整的阴极层、有机分子层以及阳极层，并在阳极层上覆盖有一层薄膜晶体管(TFT)阵列。工作时，通过独立的薄膜晶体管电路对每个像素进行控制，以实现像素连续、独立发光。相较于PMOLED，AMOLED通过薄膜 晶体管阵列驱动二极管发光，不需要外加电路，可大幅减少控制线路数量，具备驱动电压低、功耗低、快速响应等光电性能优势；且AMOLED无占空比问题，不受扫描电极数 的限制，易于实现高分辨率、宽色域及柔性显示；此外AMOLED发光元件也具备更长的使用寿命。凭借低功耗、高分辨率、快速响应、长寿命等优良特性，AMOLED逐渐成为 OLED显示主流技术。 图表5:PMOLED/AMOLED技术对比 1.2OLED制备工艺流程 OLED的主要制作流程包含像素驱动电路（TFT背板）和器件制作两大部分。AMOLED像素驱动电路制作对应AMOLED显示面板制造的阵列工程（Array）环节，通过在基板 上成膜，曝光，蚀刻等工艺，叠加不同图形不同材质的膜层形成TFT驱动电路，为发光器件提供稳定的电源输入和信号点亮。具体的工艺流程为1）镀膜：将所需材质通过镀膜设备沉积到玻璃基板上；2）曝光：通过光学照射，将光罩上的图案通过光阻转印到镀膜后的基板上；3）蚀刻：运用物理或化学方法，蚀刻掉基板上未被光阻覆盖的图形下方的膜，然后将覆盖膜上的光阻洗掉，留下具有所需图形的膜层。 REATWALLSECURITIES 图表6:AMOLED像素驱动电路制作工艺流程 制作TFT 背板中沟道层的半导体材料主要有非晶硅（a-Si)、微晶硅（μ-Si)、低温多 晶硅（LTPS）、单晶硅、有机物和氧化物（OXIDE）等。其中LTPS技术是目前应用于AMOLED中最成熟的TFT背板技术，相较于非晶硅，LTPS因具备较高的电子迁移率和 阈值电压可靠性，可以满足OLED作为电流驱动型器件对于电流稳定性以及确保TFT长 时间处于开启状态的性能需求，以实现更好的发光特性。但LTPS的形成涉及准分子激光退火（ELA）等工艺制程，制作过程中需确保TFT一致性，若各像素间TFT特性不一，则会影响OLED发光的均匀性，进而导致面板成品率无法保障，因此LTPS技术对激光设 备和一致性要求较高，目前主要应用于G6世代线以内中小尺寸。与LTPS技术相比，Oxide技术成膜则主要通过化学气相沉积和物理气相沉积实现（CVD/PVD），因其无需经历ELA等工艺制程，因此基本不受世代线限制，适用于G8.5代线以上。 图表7:a