锴威特机构调研纪要

苏州锴威特半导体股份有限公司成立于2015年，专注于智能功率半导体器件与功率集成芯片设计、研发和销售，总部位于张家港市经济技术开发区，设有西安子公司、无锡及深圳分公司。公司以“自主创芯，助力核心芯片国产化”为发展理念，采取功率器件与功率IC双轮驱动策略，聚焦消费电子、工业控制和高可靠领域，产品广泛应用于多个行业。

1. 新领域或新客户开发进展
   公司针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研发，加大市场布局和产品推广，凭借丰富的产品矩阵、高性能产品和及时的服务能力实现广泛客户覆盖。

2. 应对行业威胁
   面对竞争，公司通过产品线优化、精准市场定位和新业务领域探索应对，持续加强研发实力提升核心竞争力。

3. 经营情况
   2024年前三季度，公司实现营业总收入9,249.48万元，同比下降43.37%；净利润为-3,780.95万元，同比下降273.47%。业绩受行业竞争加剧、研发投入增加及库存减值计提等因素影响。

4. 新客户和新市场开拓进展
   公司在新能源汽车、光伏能源、轨道交通、智能电网等领域布局，持续加大研发投入，拓宽产品系列。超高压平面MOSFET最高耐压达1700V，具备650V-3300V SiC MOSFET设计能力。与国内晶圆代工厂合作开发1200V、1700V、2600V、3300V SiC MOSFET工艺平台，其中1200V平台已进入中试阶段，新推出2600V和3300V SiC MOSFET产品。

5. 核心技术
   公司拥有多项核心技术，在超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等方面积累深厚，超高压平面MOSFET最高耐压达1700V，具备650V-3300V SiC MOSFET设计能力，技术水平及市场竞争力强。

6. 未来市场竞争优势
   公司具备功率器件和功率IC的设计研发能力，拥有丰富的产品矩阵，覆盖多个细分领域；产品可靠性高、参数一致性好，积累多家知名客户；持续研发投入掌握多项核心技术；广泛的客户覆盖。

7. 亏损原因
   公司围绕“自主创芯”发展定位，持续加大研发和销售投入，加大市场布局和产品推广，提升客户服务水平，力争提升经营效益。管理层将加强管理能力，保持业务韧性和持续运营能力。

8. 合作、并购计划
   公司将结合实际情况推动价值成长，为投资者创造长期回报。如有相关计划，将严格按照规定履行信息披露义务。