另外,ASML的High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影系統)設備將於9月首度抵台、傳出將直送交台積電全球研發中心,搶先布局埃米時代。
供應鏈消息透露,輝達(NVIDIA)Blackwell修改6層Metal layer(金屬層)光罩,不用重新流片(tape-out)再投產,遞延生產時間有限,樂觀估計GB200於12月量產,明年第一季大量交付ODM。
另外,ASML的High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影系統)設備將於9月首度抵台、傳出將直送交台積電全球研發中心,搶先布局埃米時代。
GB200遞延消息成為AI產業最大的多空指標;相關業者透露,Blackwell晶片金屬層在高壓製程下遇到不穩定情況,因此針對問題修正,該事件於7月便已克服,加上情況發生在後道工序(Back-of-Line),研判毋須重新流片生產。
但目前仍卡關在CoWoS-L產能,今年仍以S為大宗。
不過,改版的B200將在10月下半年完成,GB200可望順利於12月進入量產,明年第一季便能大量交付ODM業者。
另外,ASML的High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影系統)設備將於9月首度抵台、傳出將直送交台積電全球研發中心,搶先布局埃米時代。
供應鏈消息透露,輝達(NVIDIA)Blackwell修改6層Metal layer(金屬層)光罩,不用重新流片(tape-out)再投產,遞延生產時間有限,樂觀估計GB200於12月量產,明年第一季大量交付ODM。
另外,ASML的High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光微影系統)設備將於9月首度抵台、傳出將直送交台積電全球研發中心,搶先布局埃米時代。
GB200遞延消息成為AI產業最大的多空指標;相關業者透露,Blackwell晶片金屬層在高壓製程下遇到不穩定情況,因此針對問題修正,該事件於7月便已克服,加上情況發生在後道工序(Back-of-Line),研判毋須重新流片生產。
但目前仍卡關在CoWoS-L產能,今年仍以S為大宗。
不過,改版的B200將在10月下半年完成,GB200可望順利於12月進入量產,明年第一季便能大量交付ODM業者。