LPDDR5技术与市场专家会

财务信息 每月LED需求量为100k，长鑫为主要供应商，其他供应商月供应量总计数千k。 三星、海力士、美光全年供应24万张12英寸300室米直径晶圆，其中三星9万片，海力士11万到12万片，美光3万片。预计明年末，海力士、三星、美光扩产后总产星将达到六七十万片。 1、LPDDR5技术与市场专家会 财务信息 每月LED需求量为100k，长鑫为主要供应商，其他供应商月供应量总计数千k。 三星、海力士、美光全年供应24万张12英寸300室米直径晶圆，其中三星9万片，海力士11万到12万片，美光3万片。预计明年末，海力士、三星、美光扩产后总产星将达到六七十万片。目前每年产出2. 400万颗HM粒子，预计明年超过6000万颗 2、产品与服务 合肥长鑫和其他国内存储企业在产品技术层面取得了实破，例如LP1. 25和LP1. 5产品的推出。合肥长鑫发布了LPDDR5产品，包括12GB POP封装FTPS和6GB DSC封装LPDDR5657B两款不同封装形式的产品。LPDDR5标准速率为6400兆赫兹秒，当前主流LPDDR4制程技术水平在D1Z和Dia，而LPDDR5至少在Dia水平，即14纳米长鑫技术发展方向可能是提升至D10水平或是开发适合高端市场的新技术 3、制程技术与封装 合肥长鑫使用的15. 8纳米D1Z制程，与其他公司使用更先进的Dia制程有性能上的差别。长鑫的产品适用于中低端市场，如小米红米系列和传音品牌。 封装技术有设计空间，长鑫的主要难点是纳米制程技术的提升 4、技术限制与应对 美国商务部对逻辑芯片、迪拜制品和flash制品的技术限制分别是14纳米、18纳米和128层以上美国的技术限制尚未影响存储制品领域的高端技术开发，但限制了设备和材料的进口。国内厂商采取措施克服制裁限制，包括发展国内产业线，如北方华创、中微公司等，开发纳米制程 5、市场需求与供应 因GPT的需求激增，导致供不应求的状况。 明年末，三家主要供应商扩产后的产量应能满足市场需求，但不至于供大于求。 Q：LPDDR5的速率和容量是怎样的？ A：LPDDR5的基本速率是在6400兆B每秒以上，最小容量为6个GB。 Q：DDR制成的水准是怎样的？ A：包括DDR和LPDDR4，其中主流的DDR制成在D1Z和D1阿尔法水准，最小容量为6个GB。而LPDDR5的制程水准较高，包括D1阿尔法水准，最小容量为6个GB。 Q：长鑫发布的DR阿尔法和LPDR5E的水准是什么？ A：目前来说，LPDR5E肯定是在D1Z级别，而DR阿尔法这种水准需要与D1Y相当于17.2纳米相比较。 Q：LPDR5E的功耗和尺寸体积是否会受到影响？ A：由于性能的差异，LPDR5E的功耗肯定会弱于其他制程的手机CPU，但只要速度以上，6400兆B每秒就可以了。 Q：LPDR5E的适用范围是什么？ A：在小米、传音等中低端机以上的市场，由于频率、功耗等指标的限制，它在高端机市场的表现可能较差。 Q：长鑫的制程发展方向是什么？ A：主要有两个方向，一是攻克现有的DLC工艺，往DR阿尔法和DR贝塔方向发展；二是直接开发DR阿尔法和DR贝塔的FGDR5，逐渐渗透到高端机领域。 Q：制成的先进程度对芯片面积的影响是什么？ A：芯片面积随着制成的先进程度越来越小，而POP产品因为要放在SOC上，单位面积上的晶体管或电路数量会越来越多，所以芯片面积肯定是越来越小的。 Q：LPDR5E和POP产品的尺寸是否有变更？ A：虽然LPDR5E和POP产品在封装形式上可能有所变更，但是目前主流的POP产品上面的LPDDR5和LPDD4的尺寸要比SOC的面积小，还有一定的空间可以扩大。 Q：为什么DDR和DRC工艺的封装形式有所变化？DDR5和DLC的封装角度是否受到制成的影响？A：面积会变大，但是还没有达到最终封装的标准。对于长期来说，目前还没有受到制成的制约因素。Q：制程与制成的关系是什么？为什么存储制品的制成与逻辑芯片的制成存在差异？A：逻辑芯片需要的制程决定了其所需的纳米制程，而memory制品和flash制品需要的制成则与其基于的电容或电荷有关。目前，dram存储制品和flash制品的制程还停留在几十纳米以下的水平，原因是电荷的稳定性和读取难度受到制成的影响。存储制品和逻辑芯片的架构和原理不同，存储制品的制成需要基于电容或电荷的原理，而逻辑芯片的制成需要基于晶体管的三级宽度和厚度等因素。Q：存储制品的制程与工艺设备有何关系？A：限制的关键是工艺和设备，存储制品需要限制工艺设备和材料，例如逻辑芯片需要限制进入设备和新材料的纳米制程，而存储制品需要限制设备和材料的制成水平。Q：晶圆制造的八大工艺包括哪些？逻辑芯片和存储芯片在技术上有何区别？晶圆制造中哪些工艺更容易受到卡脖子？A：光刻、彼此注入扩散、清洗量测检测这几种工艺。主要是光刻、沉积层、离子注入、清洗、量测检测等方面有区别，存储芯片的精度要求更高。晶圆制造中的设备主要包括光刻、沉积层、离子注入、清洗、量测检测等方面，材料主要是光刻胶、失电子化学、氢氟酸、硫酸等方面。Q：卡芯片制造的主要方面有哪些？A：美国主要从设备和材料的角度去卡国内的芯片制造，其中设备主要包括光刻、沉积层、离子注入、清洗、量测检测等方面，材料主要是光刻胶、失电子化学、氢氟酸、硫酸等方面。Q：修正刚才提到的ARBDGAA技术使用的是HKMG技术还是高节点常数的技术升级？长鑫现在使用的设备是否已经能做出最新的技术？A：刚才提到的ARBDGAA技术使用的是HKMG技术升级，而不是高节点常数的技术升级。长鑫现在使用的设备还无法做出最新的技术，需要通过往前推进技术向前发展，同时要与平台公司匹配，保证产品的兼容性。Q：存储产品是否会受到设备材料的限制？A：设备材料对存储产品的影响不大，更多的是如何克服美国境内原因而限制了很多设备导入到国内的问题。Q：技术和设备材料之间是否存在太多的差异？A：技术和设备材料之间的差异不是太大，存储产品更多的是一种通用性的产品，没有太多的专业限制。Q：存储产品未来要做的事情是什么？A：第一个是往高端去跨界，这需要与平台公司匹配，同时要与SOC产品匹配，解决软硬件方案的匹配问题。Q：具体到光刻机，19801的DUV光刻机能推进到什么水平？A：19801的光刻机能通过两次曝光到Z级别，但如果做到D1C，良率可能达到80%左右，再往后可能就不可行了。Q：国内厂商合作医院是否能通过目前的合作把HDM做出来？A：HM的制成需要先完成晶圆制造、封装测试等环节，包括DL贝塔的纳米制成工艺，因此需要投入大量资源和时间。长鑫和长城已经在产线和人员配比方面完成了设备的setup，但从技术角度来看，目前还处于起步阶段。最早需要到2025年才能生产出HM2和HMQE这个时代的产品。Q：HMM属于HM two和HMQE这个时代吗？A：目前还不确定HMM是否属于HM two和HMQE这个时代，但是从现有的技术来看，HM3是最主流的产品，对应于HAA100。Q：HMM需要解决哪些技术问题？A：HMM最大的变化是在封测端进行了变化，需要克服封测环节的难点。封测端需要掌握TSV技术和micro bBB技术，但是目前国内在这两方面还存在一定差距。Q：长鑫为什么选择把自己的主要方向放在外部功课，而不是自己造HDM？A：长鑫之所以选择外部功课，是因为自己造HDM可能会落后于其他厂商，但他也把封装测试交给了佩顿和通富微电。这两家在国内来说，CAS产品的TFB和nikebomb工艺并不是很好，产业链大于技术。Q：长鑫要量产，产品需要做到EZ这一块，有什么新的方式吗？A：未来的话，他已经开始逐渐的去发展国内的产业线这样的这个角度。比如说开发一些北方华创、中微半导体斯密这种企业去开发这样的场景。去开发这种纳米制程的这个环节。而且随着这个政治局势的一旦变化，以后还说不清楚这个设备到底是不是私下里还能通过一些水货或者二手市场去拿到他现在。 Q：DDR制品分为哪几类？它们的区别是什么？ A：DDR制品分为三类：标准的DDR制品、lowpowerDDR和GDDR。标准的DDR制品是给PC notebook note book使用的，low powerDDR是给低功耗场景使用的，GDDR是给算力场景使用的。最大的区别是使用场景的变化。Q：DDR制品和LPDDR有什么区别？A：在架构、性能、应用场景等方面都有很大区别，例如LPDDR的单颗容量比DDR的要大。Q：HBM的性能和超频方面的性能如何？LPDDR和普通DDR制品在架构和性能方面有什么区别？A：是最好的，超频方面的性能也是最好的。有一定区别，但在终端应用场景中，可能LPDDR已经满足了一些需求，因为DPU的算力要求已经达到了DDR3的性能指标。Q：LPDDR5里面有几颗芯片？每颗芯片的大小是多少？A：每颗芯片的大小不一样，有的可能是八个小基地，有的可能是六个小基地。Q：请问专家LPDDR5的制程可以在技术上牺牲芯片的面积和功耗吗？A：可以在技术上牺牲芯片的面积和功耗，但会影响细的指标，如功耗和带宽延迟。终端应用需要复用逻辑理解。Q：未来可能有没有可能将GDDR代替DDR使用于CPU里面？A：未来可能性不高，因为HBM的出现导致需求增加。而对于DDR制品，AI和智能驾驶对于DDR是一个需求增加的态势。Q：DDR和GDDR的优劣势是什么？A：带宽不如GDDR，但延迟会少一些。而HBM可以弥补这个劣势。未来成本和技术都会提高，可能会逐渐替换。Q：HBM的优势是什么？A：HBM在整个的性能指标方面，其实主要是刚才说的带宽这个逻辑。但是DDR的话，它可以做到整个的标准性，就是它可以通用的做一些，就是跟比如说你买这一家的，买那一家的那都差不多。但GDR的话它可能在一些定制化方面，比如说在整个的solution方案角度，跟某些厂家可能要你在做的时候，EDA设计的时候都会有一些定制化，这是它最大的一个区别一点。Q：HBN的10数量是否会给GPU或CPU带来额外的10带？A：现在的SOC和HM并不是放在一起的，它是通做一个叫intel 0A的形式连接的。这个本身HM现在有多少？10接口的数量是目前的GPU所去匹配所需要的。而且它在整个的封装形式上和配这个接触或连接形式上，也在封装形式上或者什么也现在有技术方案去解决。所以不是说到额外增加了它一些东西，是这样的。Q：RPD点25的产量和HBM的产能预计是多少？A：LED DR的需求量不大，每个月大概是100K，每个月大概加起来都有几千K。而HM的用量的话需求，我们现在知道三家现在只有三家能供货。三星、海力士、美光全年的话大概是24万张这个晶圆，12英寸300毫米的直径的。Q：2400万颗是指的什么？A：是指一年内出货的H版本的带，需要乘以8才能得到一个颗粒。