您的浏览器禁用了JavaScript(一种计算机语言,用以实现您与网页的交互),请解除该禁用,或者联系我们。 [中国移动研究院]:<unk> <unk> <unk> 非 : RIS 系统性能的进一步评估 - 发现报告

非 : RIS 系统性能的进一步评估

基础化工 2023-12-06 中国移动研究院 杜佛光
报告封面

Yifei Yuan,博士学位2023年12月5日 •通常只反射输入信号,没有功率放大•控制链路的RF可以独立于数据链路•回程链路和接入链路紧密耦合,自然全双工 •RIS面板上的大量元素•可用于覆盖范围增强,能力提升等。 •随着功率放大,噪声也被放大•控制链路和回程链路的RF共享公共RF•两组RF,每组用于回程链路和接入链路,分别实现全双工•NCR上的天线元件不多•主要用于填充覆盖孔 低频性能比较 NCR与RIS:在低频中,NCR与RIS相比具有更高的功率增益,但由于干扰放大 NCR以固定增益放大信号、干扰和噪声 •RSRP (参考信号接收功率): NCR - UE RSRP = NCR AF增益+ BTS - NCR RSRP - NCR - UE耦合损耗总RSRP = BTS - UE RSRP + NCR - UE RSRP SINR =总RSRP / (UE接收噪声+直接链路干扰+邻居BTS -邻居中继器-UE干扰+邻居BTS -服务中继器- UE放大干扰)其中NCR AF增益可调,但NCR AF增益+ BTS - NCR RSRP + BTS - NCR噪声+邻居BTS -中继器RSRP干扰-线性≤继电器Tx功率 系统级仿真参数: •UE在小区边缘,每扇区4个NCR / RIS•每个RIS面板的元素数:40 * 40•每个NCR的元素数:4 * 8,AF增益30 / 40dB•频率:2.6 GHz 高频性能比较 NCR v. s. RIS:在高频带中,与NCR相比,RIS可以生成更精确的光束 NCR和RIS都在高频下执行波束成形 •NCR波束扫描•RISUE特定的波束成形 系统级仿真参数: •UE在小区边缘,每扇区4个NCR / RIS•每个RIS面板的元素数:40 * 40•每个NCR的元素数:4 * 8,AF增益30 / 40dB•频率:26 GHz RIS和NCR之间的性能差距在高频小于低频频段,由于NCR通过波束形成的干扰较小 RIS和NCR在波束形成方法上的差异 梁设计 BS:扫地。NCR:扫梁。RIS:UE特定的波束成形 •在高频中, BS执行波束扫描。•RIS级联链路的强度与直接链路相当•NCR级联链路的强度比直接链路强得多 建议书:在低频中, BS可以同时执行瞄准RIS和UE两者的波束成形。在高频中, BS考虑3个波束成形方案: 1)到UE, 2)到RIS, 3)同时UE和RIS两者。 谢谢!