2023年中国存储行业研究报告：DRAM与NAND Flash市场发展态势分析

2023年中国存储行业研究报告：DRAM与NAND Flash市场发展态势分析2023 China Storage Industry Research Report: Analysis of the Market Development Trend of DRAM and NAND Flash2023年中国ストレージ業界研究報告：DRAMとNAND Flash市場の発展態勢分析报告提供的任何内容（包括但不限于数据、文字、图表、图像等）均系头豹研究院独有的高度机密性文件（在报告中另行标明出处者除外）。未经头豹研究院事先书面许可，任何人不得以任何方式擅自复制、再造、传播、出版、引用、改编、汇编本报告内容，若有违反上述约定的行为发生，头豹研究院保留采取法律措施、追究相关人员责任的权利。头豹研究院开展的所有商业活动均使用“头豹研究院”或“头豹”的商号、商标，头豹研究院无任何前述名称之外的其他分支机构，也未授权或聘用其他任何第三方代表头豹研究院开展商业活动。www.leadleo.com报告标签：存储，DRAM，NAND Flash行业概览 2023/06 中国：存储系列行业概览 | 2023/06www.leadleo.com400-072-55882摘要◼DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期2022年，智能手机、PC消费需求持续疲软，数据中心服务器也面临着库存调整，以上使得全球DRAM行业进入下行周期。2023Q1，三星、美光、SK海力士等全球头部DRAM厂商的营收环比仍持续下降。作为供应商的DRAM原厂纷纷选择减产、降低资本支持以调整供需关系。因此，预计2023年全球DRAM市场规模将同比下降30%至553亿美元。◼NANDFlash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑2022年，PC需求疲软，以及数据中心面临剧烈的库存调整，使得数据中心及企业级SSD需求持续下降。2023年一季度，PC、SSD等终端需求不振，库存高涨现象显著，NANDFlash市场仍处于极度不平衡的状况。头部存储厂商纷纷减产来缓解价格的下跌、解决库存过剩的问题。2023年下半年备货旺季将至，NANDFlash价格有望止跌，但预计全年市场规模仍保持下滑。◼海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向美光“被禁”有望加速中国存储芯片国产化替代进程，然而美国对先进工艺制造设备的出口管制，使得国内存储厂商难以短时间内扩大产能，且国产存储厂商与三星、SK海力士仍存在技术差距，短期内瓜分美光遗留市场困难重重。按照读写方式，外部存储器中的半导体存储器可分为只读存储器ROM（EEPROM、PROM、EPROM）和闪存存储介质（NORFlash、NANDFlash）。磁存储器件主要包含磁带、磁盘。光存储器件主要包含蓝光光盘（BD）、归档光盘（AD）、全息存储、玻璃存储等。其中，半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，其分为易失性存储器（SRAM、DRAM）和非易失性存储器（NORFlash、NANDFlash）。目前，DRAM和NANDFlash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额。半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，本篇将重点讨论半导体存储器件中的DRAM和NANDFlash。 中国：存储系列行业概览 | 2023/06www.leadleo.com400-072-55883◆存储行业综述---------------------------04•存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器---------------------------05•存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘---------------------------06•半导体存储器：NAND Flash和DRAM占据全球超90%份额---------------------------07◆DRAM与NAND Flash行业分析---------------------------08•DRAM：广泛应用于手机、电脑内存条领域---------------------------09•DRAM市场规模：市场规模出现下滑，行业处于下行周期---------------------------11•DRAM价格：智能手机与PC需求疲软，价格持续衰退---------------------------12•NAND Flash：广泛应用于 eMMC/EMCP，U盘，SSD---------------------------13•NAND Flash市场规模：预计2023年市场规模仍保持下滑---------------------------14•NAND Flash价格：PC与SSD需求减弱，三季度有望回暖---------------------------15•海外与中国存储厂商竞争态势及市场动向---------------------------16•存储产业相关政策---------------------------18◆中国存储企业推荐---------------------------19•长鑫存储---------------------------20•长江存储---------------------------21•兆易创新---------------------------22◆方法论---------------------------25◆法律声明---------------------------26目录 www.leadleo.comChapter 1存储行业综述❑中国存储器综述◼存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器◼存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘◼半导体存储器：NANDFlash和DRAM占据全球超90%份额 中国：存储系列行业概览 | 2023/06www.leadleo.com400-072-55885存储器分类：总体分为外部存储器和内部存储器存储器可分为外部存储器和内部存储器，其中，外部存储器包括半导体存储器、磁存储器和光存储器，内部存储器包括易失性存储器和新型非易失性存储器来源：存储联盟，头豹研究院存储器分类◼存储器通过使用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据，其大体上可分为外部存储器和内部存储器存储器的工作原理为：通过使用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据，通常被组织成一个二维矩阵，其中的每个单元称为一个存储位置。在计算机需要读取或写入数据时，向存储器发送地址信号，通过数据总线与存储器进行数据的传输。存储器主要可分为外部存储器和内部存储器。其中，外部存储器包含半导体存储器、磁存储器和光存储器，内部存储器包含易失性存储器和新型非易失性存储器。按照读写方式，外部存储器中的半导体存储器可分为只读存储器ROM（EEPROM、PROM、EPROM）和闪存存储介质（NORFlash、NANDFlash）。磁存储器件主要包含磁带、磁盘。光存储器件主要包含蓝光光盘（BD）、归档光盘（AD）、全息存储、玻璃存储等。半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，本篇将重点讨论半导体存储器件。存储器外部存储器内部存储器EEPROMNAND FlashPROMEPROMNOR Flash闪存存储介质ROM只读存储器半导体存储器件磁存储器件磁盘磁带光存储器件蓝光光盘（BD）归档光盘（AD）全息存储玻璃存储RAM（断电数据丢失）SRAMDRAM新型存储器件（断电数据不丢失）RRAM（阻变）MRAM（磁阻）FRAM（铁电）PCM（相变） 中国：存储系列行业概览 | 2023/06www.leadleo.com400-072-55886存储发展历程：存储介质从早期穿孔卡演进至固态硬盘存储介质在工业革命兴起后经历了从穿孔纸带、磁带、磁鼓存储器、磁芯存储器、软盘、光盘等传统存储设备，到固态硬盘、U盘、SD卡等现代存储设备的演进来源：中科院半导体所，头豹研究院存储发展历程◼在经历了结绳记事、甲骨、石碑、纸张等存储介质的演进后，工业革命的兴起也使得存储介质经历了从穿孔卡到固态硬盘等设备的变迁穿孔卡和穿孔纸带——机械化信息最初的存储形式：1890年，美国统计学家Herman Hollerith发明了打孔卡制表机，最多可记录960bits，用于收集并统计人口普查数据，标志着半自动化数据处理系统时代的开始。磁带——磁性存储时代的开始：1928年，德国雷德斯诺工程师Fritz Pfleumer发明了录音磁带，可以存储模拟信号。1980年出现了小型的盒式磁带，长度为90分钟的磁带每面壳记录约660kb的数据。磁鼓存储器——磁盘驱动器的前身：1932年，IBM公司的奥地利裔工程师Gustav Tauschek发明了磁鼓存储器，在磁存储器出现前广泛用于计算机内存，被认为是硬盘驱动器的前身。磁芯存储器——随机存取存储器（RAM）的早期版本：1949年，美国哈佛大学实验室的王安博士实现了对磁芯存储器“读后即写”的技术，其在20世纪70年代被广泛用作计算机的主存储器，直到Intel的半导体DRAM内存批量生产。硬盘驱动器——磁盘存储时代：1956年，IBM的ReynoldB.Johnson带领研发团队发明了世界上第一块硬盘 IBM305RAMAC。该驱动器约有两个冰箱大小，重达一吨，包含50个24英寸盘片，容量仅为5MB，数据传输速度10K/S。软盘——个人计算机中最早使用的可移介质：1971年，软盘由IBM引入，从上世纪70年代中期到90年代末期被广泛使用。光盘——以光信息为存储的载体：1982年，索尼和飞利浦公司发布了世界上第一部商用CD音频播放器CDP-101，光盘开始普及。固态硬盘——简化的计算机系统：1089年，第一款固态硬盘出现，又称固态驱动器，是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘。此后，固态硬盘逐渐市场化，并应用于专业领域，如医疗、航空和军事。U盘——以闪存芯片为存储介质的存储设备：1998年，U盘首次面市。2004年，中国朗科科技公司获得美国国家专利局正式授权的闪存盘基础发明专利。SD卡——基于半导体闪存工艺的存储卡：1999年，日本松下、东芝和美国SanDisk公司共同研制了SD卡。1890192819321949195619711982198919981999穿孔卡和穿孔纸带磁带磁鼓存储器磁芯存储器硬盘驱动器软盘光盘固态硬盘U盘SD卡早期存储设备现代存储设备 中国：存储系列行业概览 | 2023/06www.leadleo.com400-072-55887半导体存储器：NAND Flash和DRAM占据全球超90%份额半导体存储器是目前全球最大的存储细分市场，其分为易失性存储器（SRAM、DRAM）和非易失性存储器（NOR Flash、NAND Flash）。目前，DRAM和NAND Flash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额来源：存储联盟，头豹研究院计算机系统中的典型存储器层次结构及其使用的存储技术◼在半导体存储器中，典型易失性存储器包含SRAM和DRAM，典型非易失性存储器包含NANDFlash和NORFlash，其中，DRAM和NANDFlash合计占据全球超90%的存储器市场份额在半导体存储器件中，存储器被分为易失性存储器（内存）和非易失性存储器（外存）两大类，前者在掉电时数据会立即消失，后者则不受断电影响，持久储存数据。其中，易失性存储器主要以SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）为主。非易失性存储器技术则在不断演进，从早期的ROM（PROM、EPROM、EEPROM）到闪存（NOR Flash和NAND Flash）。目前，DRAM和NANDFlash两种主流存储器合计占据全球超90%的存储器市场份额。根据传输速度、容量、数据可擦除性等关键参数，不同存储器拥有各自的职责，以计算机系统中使用的存储器来看：SRAM速度够快，通常作为中央处理器（CPU）的缓存使用，DRAM价格低廉、容量大，通常用作内存，NOR Flash通常用于代码存储