一、12nm工艺的美国制裁相关情况
目前美国现有制裁规则尚未直接覆盖12nm制程:
根据已有的管制要求,美国此前仅明确禁止美企向中芯国际出货10nm以下先进制程的相关设备,10nm以上的成熟制程设备仅采用逐条审批的程序,核心封堵目标是7nm、5nm这类更先进的工艺,暂未将12nm纳入全面禁运的范围 【3】 。
不过当前市场有相关预判:如果后续美国BIS进一步将制裁范围扩大至16nm及以下制程节点,12nm也会被纳入管制范畴,届时会直接冲击全球相关晶圆代工格局,国内代工厂反而有望受益于国产替代趋势,承接相关产能回流订单 【1】 。
二、国内相关产能情况
国内晶圆厂当前的扩产重心集中在28nm及以上的成熟制程领域,相关产能扩张速度远高于全球其他地区:
- 2024-2027年中国大陆12寸成熟制程产能将保持年均27%的快速扩张,同期其他地区合计产能年复合增长率仅为3.6% 【2】 。具体来看,国内12英寸成熟制程产能将从2023年的81.7万片/月增长至2027年的211.1万片/月,对应年复合增长率26.8%,在全球的产能占比将从2023年的29%提升至2027年的47%,成为全球最大的成熟制程生产基地 【4】 【7】 。
- 先进制程方面国内也在持续推进,2023年中国大陆先进制程的全球份额已经达到8% 【11】 。
三、各工艺节点的价格趋势
不同制程节点的价格走势会随供需结构出现明显分化:
- 28nm节点:由于下游需求增长较快,且供给端竞争者较少,整体会保持结构性满载状态(产能利用率约90%),后续价格降幅相对最小,预计2024-2027年年均降幅仅3%左右 【2】 【4】 。
- 40-90nm节点:随着国内成熟制程产能持续释放,该区间节点后续会面临产能过剩压力,预计2024-2027年的晶圆代工价格将保持5-8%左右的年降幅度 【4】 。其中90nm的产能过剩情况会尤为突出,全球产能利用率或将长期保持在70%以下 【5】 。
- 16nm及以下的先进制程当前5/4nm节点凭借强劲的人工智能需求占据市场主导,收入占比在1Q24已经达到26%,当前供需偏紧,暂未出现明显的价格下行趋势 【1】 。
- 从下游相关半导体产品的价格来看,当前国内中低压MOS产品整体价格处于复苏阶段,但暂未出现大范围明显涨幅,IGBT产品仍存在一定价格压力 【12】 【13】 。