存算一体是一种旨在解决传统冯·诺依曼架构“存储墙”、“功耗墙”等瓶颈的新计算架构,其核心思想是将存储单元与计算单元融合,以减少数据搬运带来的功耗和延迟,从而显著提升计算能效 【1】 【2】 【9】 。
一、核心优势
- 解决“存储墙”问题:传统架构中处理器与存储器物理分离导致数据频繁迁移,存算一体通过融合存储与计算,消除数据搬运环节,突破带宽限制 【1】 【3】 。
- 降低功耗:数据搬运能耗远高于计算本身(如DRAM访问功耗是芯片内一级功耗的650倍),存算一体可实现能效的数量级提升 【3】 【5】 。
- 低延迟与高算力:尤其在AI大模型推理、边缘计算等场景,能满足低时延和高并行计算需求 【2】 【5】 。
二、技术分类(广义)
| 类型 | 英文 | 核心特征 | 成熟度与应用 |
|---|
| 近存计算 | PNM | 计算单元靠近存储单元(如HBM、2.5D/3D封装),仍为存算分离架构 | 技术成熟,已商业化,适合大规模并行处理(如数据中心) 【1】 【3】 【14】 。 |
| 存内处理 | PIM | 存储与计算集成在同一晶粒(如DRAM内嵌入处理单元),距离更近 | 逐步商业化,适合数据密集型任务(如智能安防) 【6】 【14】 。 |
| 存内计算 | CIM(狭义) | 存储与计算完全融合,存储单元直接参与计算(如利用RRAM、MRAM等新型介质) | 技术难度高,暂未大规模商用,但市场占比最高(2022年达88%),适合低功耗/大算力场景 【6】 【8】 。 |
三、存储介质
- 易失性:如SRAM(速度快、密度低)、DRAM(适合大容量场景,如AI手机大模型推理芯片) 【4】 【10】 。
- 非易失性:如Flash(存储密度高)、RRAM/MRAM(新型介质,支持原位计算) 【4】 。
四、应用场景
- 端侧设备:可穿戴设备(功耗降低10-20倍)、智能手表、AR/VR(低延迟、低功耗) 【5】 【15】 。
- AI与边缘计算:手机大模型推理、自动驾驶(实时性与可靠性要求高) 【4】 【15】 。
- 数据中心:通过HBM、存内计算芯片提升算力与能效,支持云计算升级 【9】 【10】 。
五、发展现状与趋势
- 量产阶段:2024年处于小规模量产,预计2025年进入大规模量产,产业链生态将逐步形成 【5】 。
- 挑战:存内计算面临器件波动性、纠错补偿等技术难题,需突破新型封装与算法优化 【7】 。
- 企业动态:兆易创新等公司正发力DRAM存算一体芯片,目标2027年销售不低于1000颗,推动AI手机应用落地 【4】 。
存算一体通过重构计算架构,正成为AI时代突破算力与能效瓶颈的关键技术,尤其在端侧和大算力场景潜力巨大。