长鑫存储IPO后扩产将围绕现有产能布局深化,其合肥一期、合肥二期及北京三座12寸DRAM晶圆厂预计于2026年实现全部达产[4][9]。具体来看:
技术支撑下的供给增量:长鑫已推出LPDDR5X产品,覆盖8533Mbps至10667Mbps速率(其中8533Mbps、9600Mbps型号已量产,10667Mbps送样),单颗粒容量12Gb/16Gb,技术水平基本追平三星、SK海力士等国际一线厂商[1][8]。技术突破为其大规模扩产LPDDR提供核心支撑,可直接增加全球中高端LPDDR供给。
需求缺口下的“补充性”供给:全球AI、手机、汽车等下游需求对存储的拉动显著,例如AI服务器存储需求或超当前整体产能,单机存储用量持续提升[8]。长鑫扩产更多是响应下游“强烈诉求”,填补国产替代缺口,缓解全球LPDDR供给紧张,而非引发过剩[8]。
全球市场格局仍由头部主导:当前三星、SK海力士等国际厂商占据全球DRAM市场90%以上份额[1][8],长鑫作为国产唯一规模化DRAM IDM厂商,扩产更多是“体系化推进”国产存储产业,短期内难以动摇国际厂商主导地位,对全球LPDDR供给的影响以“补充”为主[5][7]。
综上,长鑫IPO后扩产将加速国产LPDDR产能释放,缓解全球供给紧张,但全球市场格局仍由国际头部厂商主导,整体影响偏积极且可控。
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