富国银行_ SK海力士：拟投约130亿美元新建HBM先进封装与测试厂，聚焦2027年产出

SK海力士计划在韩国清州投资1900亿韩元（约129亿美元）建设新的HBM先进封装与测试工厂，该工厂预计于2027年下半年完成，重点面向2027年产量。此举旨在提升其在高带宽内存（HBM）领域的产能和技术水平，尽管不会立即改变到2026年及2027年下半年DRAM供需紧张的现状，但长期来看将有助于缓解市场压力。

该工厂的建设不会改变到2026年及2027年下半年DRAM供需紧张的现状，但投资者应关注2027年的DRAM产能扩张。此前，SK海力士已撤回其在永进（Yongin）的Y1 DRAM晶圆厂计划，该厂原计划于2027年3月建成首个洁净室。富国证券认为，任何有意义的DRAM晶圆厂产能增加仍将是2027年下半年晚些时候或2027年年中的故事。

富国证券分析指出，SK海力士的新建工厂是其在半导体封装测试领域的重大布局，预计将提升其市场竞争力。报告强调关注2027年的DRAM产能扩张，并指出三星、美光等竞争对手也在积极扩产。富国证券维持对SK海力士的“增持”评级，目标价未变，但提醒投资者关注行业整体供需变化。

当前DRAM市场供需依然紧张，SK海力士新建工厂的建设不会立即改变这一现状。富国证券认为，到2026年及2027年下半年，DRAM供需紧张的局面仍将持续。然而，随着SK海力士及其他厂商的产能扩张，预计2027年下半年后市场供需关系将逐渐改善。投资者需持续关注行业动态。

该工厂建设存在多重潜在风险，包括技术实施难度、市场需求波动以及竞争对手的快速响应。此前，SK海力士已撤回其在永进的Y1 DRAM晶圆厂计划，显示项目推进的不确定性。此外，SK海力士的M15X晶圆厂生产计划已推迟约4个月，进一步增加了项目风险。投资者需警惕行业竞争加剧和产能过剩的可能性。