拓荆科技：2026年第三季度报告

拓荆科技2026年第三季度报告显示，公司在先进存储、逻辑等领域的产品核心竞争力持续提升，产品凭借高质量、高性能等优异表现，在客户端的量产规模不断扩大。涵盖PECVDACHM系列工艺、ADC系列工艺、LoK系列工艺、Stack（ONO叠层）、Bianca、SiB、OPN，PE-ALDSiCO、SiO2，沟槽填充（SACVD、HDPCVD、FlowableCVD）等先进薄膜沉积设备产品。新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX已顺利通过客户验证，采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，达到国际同类产品最先进水平。截至本报告披露日，公司累计出货超过4,400个设备反应腔，产品广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。报告还指出，由于阶段性验收的产品结构及产品平台类型不同，2026年前三季度营业收入同比持平，但毛利及毛利率均同比增长，公司综合盈利水平持续提升，盈利能力显著增强。

先进薄膜沉积设备行业发展趋势显示，随着半导体行业对先进制程技术的需求持续增长，先进薄膜沉积设备的重要性日益凸显。行业正朝着更高精度、更高效率、更广泛的应用领域发展。例如，拓荆科技的产品已涵盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等多种先进薄膜沉积技术，并广泛应用于先进存储、先进逻辑、先进封装、功率器件等多个领域。同时，新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品如Dione300eX的出现，标志着设备技术正朝着更高对准精度、键合精度和设备产能的方向发展，达到国际同类产品最先进水平。未来，随着技术的不断进步，先进薄膜沉积设备将在更多新兴领域如Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等发挥重要作用。

报告重点分析了拓荆科技在先进薄膜沉积设备领域的核心竞争力及其市场表现。报告显示，公司在先进存储、先进逻辑等领域的产品凭借高质量、高性能等优异表现，在客户端的量产规模不断扩大，涵盖多种先进工艺技术。新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX已顺利通过客户验证，达到国际同类产品最先进水平，累计出货超过4,400个设备反应腔。此外，报告还分析了公司生产规模效应逐步释放，有效降低了产品单位生产成本，致前三季度毛利及毛利率均同比增长，公司综合盈利水平持续提升，盈利能力显著增强。这些分析表明，公司在先进制程领域的技术持续突破，叠加先进产品、先进工艺设备已实现量产应用，为其未来发展奠定了坚实基础。

当前先进薄膜沉积设备市场正处于快速发展阶段，市场需求持续增长。随着半导体行业对先进制程技术的需求不断提升，先进薄膜沉积设备的重要性日益凸显。拓荆科技的产品已广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等多个领域，显示出其产品的市场竞争力。同时，行业正朝着更高精度、更高效率、更广泛的应用领域发展，例如新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品的出现，标志着设备技术正朝着更高对准精度、键合精度和设备产能的方向发展。此外，随着生产规模效应的逐步释放，设备制造商的生产成本得到有效控制，盈利能力显著增强，进一步推动了行业的健康发展。

研报中未披露具体股东信息及持股情况，但未提及其他特别提醒事项。从报告内容来看，主要风险可能包括市场竞争加剧、技术更新迭代加快、客户订单波动等因素。例如，先进薄膜沉积设备行业技术更新迅速，企业需要持续投入研发以保持技术领先地位。同时，市场竞争激烈，企业需要不断提升产品性能和降低成本以增强市场竞争力。此外，客户订单的波动也可能对企业的经营业绩产生影响。然而，报告并未对这些潜在风险进行详细说明，投资者在关注公司发展前景的同时，需要自行评估相关风险。